Siliciumcarbidesubstraten | SiC-wafels

Korte beschrijving:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. is een toonaangevende leverancier gespecialiseerd in verbruiksartikelen voor wafers en geavanceerde halfgeleiders. Wij zijn toegewijd aan het leveren van hoogwaardige, betrouwbare en innovatieve producten voor de halfgeleiderproductie, de fotovoltaïsche industrie en andere aanverwante gebieden.

Onze productlijn omvat SiC/TaC-gecoate grafietproducten en keramische producten, en omvat verschillende materialen zoals siliciumcarbide, siliciumnitride en aluminiumoxide, enz.

Momenteel zijn wij de enige fabrikant die een zuivere 99,9999% SiC-coating en 99,9% herkristalliseerd siliciumcarbide levert. De maximale lengte van de SiC-coating die we kunnen uitvoeren is 2640 mm.

Stuur een e-mail naar ons

Productdetail

Productlabels

Siliciumcarbide (SiC) eenkristalmateriaal heeft een grote bandbreedte (~Si 3 keer), hoge thermische geleidbaarheid (~Si 3,3 keer of GaAs 10 keer), hoge elektronenverzadigingsmigratiesnelheid (~Si 2,5 keer), hoge elektrische doorslag veld (~Si 10 keer of GaAs 5 keer) en andere uitstekende kenmerken.

SiC-apparaten hebben onvervangbare voordelen op het gebied van elektronische apparaten met hoge temperatuur, hoge druk, hoge frequentie en hoog vermogen en toepassingen in extreme omgevingen, zoals de lucht- en ruimtevaart, het leger, kernenergie, enz., en compenseren in de praktijk de tekortkomingen van traditionele apparaten van halfgeleidermateriaal. toepassingen, en worden geleidelijk de mainstream van vermogenshalfgeleiders.

4H-SiC Siliciumcarbide substraatspecificaties

Item is	Specificaties参数
Polytype 晶型	4H-SiC	6H-SiC
Diameter Geen probleem	2 inch \| 3 inch \| 4 inch \| 6 inch	2 inch \| 3 inch \| 4 inch \| 6 inch
Dikte 厚度	330 µm ~ 350 µm	330 µm ~ 350 µm
Geleidbaarheid 导电类型	N – type / Semi-isolerend Nbeste foto's/ beste foto's	N – type / Semi-isolerend Nbeste foto's/ beste foto's
Doteringsmiddel 掺杂剂	N2 (stikstof)V (vanadium)	N2 (stikstof) V (vanadium)
Oriëntatie 晶向	Op as <0001> Uit as <0001> uit 4°	Op as <0001> Uit as <0001> uit 4°
Weerstand 电阻率	0,015 ~ 0,03 ohm-cm (4H-N)	0,02 ~ 0,1 ohm-cm (6H-N)
Microbuisdichtheid (MPD) 微管密度	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2
TTV Ik denk dat dit het geval is	≤ 15 μm	≤ 15 μm
Boeg / Warp 翘曲度	≤25 μm	≤25 μm
Oppervlak 表面处理	DSP/SSP	DSP/SSP
Cijfer Er zijn geen producten gevonden die aan je zoekcriteria voldoen	Productie / onderzoekskwaliteit	Productie / onderzoekskwaliteit
Kristalstapelreeks 堆积方式	ABCB	ABCABC
Roosterparameter 晶格参数	a=3,076A, c=10,053A	a=3,073A, c=15,117A
Bijv./eV(bandafstand) 禁带宽度	3,27 eV	3,02 eV
ε (diëlektrische constante) Dit is het geval	9.6	9.66
Brekingsindex 折射率	n0 =2,719 ne =2,777	n0 =2,707, ne =2,755

6H-SiC Siliciumcarbide substraatspecificaties

Item is	Specificaties参数
Polytype 晶型	6H-SiC
Diameter Geen probleem	4 inch \| 6 inch
Dikte 厚度	350 μm ~ 450 μm
Geleidbaarheid 导电类型	N – type / Semi-isolerend Nbeste foto's/ beste foto's
Doteringsmiddel 掺杂剂	N2( Stikstof ) V (vanadium)
Oriëntatie 晶向	<0001> uit 4°± 0,5°
Weerstand 电阻率	0,02 ~ 0,1 ohm-cm (6H-N-type)
Microbuisdichtheid (MPD) 微管密度	≤ 10/cm2
TTV Ik denk dat dit het geval is	≤ 15 μm
Boeg / Warp 翘曲度	≤25 μm
Oppervlak 表面处理	Si Face: CMP, Epi-Ready C Gezicht: Optisch polijstmiddel
Cijfer Er zijn geen producten gevonden die aan je zoekcriteria voldoen	Onderzoeksgraad