Lange levensduur SiC-gecoate grafietdrager voor zonne-wafer

Korte beschrijving:

Siliciumcarbide is een nieuw type keramiek met hoge kostenprestaties en uitstekende materiaaleigenschappen.Vanwege eigenschappen als hoge sterkte en hardheid, hoge temperatuurbestendigheid, grote thermische geleidbaarheid en chemische corrosieweerstand, is siliciumcarbide bijna bestand tegen alle chemische media.Daarom wordt SiC veel gebruikt in de oliewinning, de chemische industrie, machines en het luchtruim. Zelfs kernenergie en het leger stellen hun speciale eisen aan SIC.Een aantal normale toepassingen die we kunnen bieden zijn afdichtingsringen voor pomp, klep en beschermend pantser enz.


Product detail

Productlabels

Voordelen

Oxidatieweerstand bij hoge temperaturen
Uitstekende corrosiebestendigheid
Goede slijtvastheid
Hoge warmtegeleidingscoëfficiënt
Zelfsmerend vermogen, lage dichtheid
Hoge hardheid
Aangepast ontwerp.

HGF (2)
HGF (1)

Toepassingen

-Slijtvast veld: bus, plaat, zandstraalmondstuk, cycloonvoering, slijpvat, enz ...
- Veld op hoge temperatuur: SiC-plaat, blusovenbuis, stralingsbuis, smeltkroes, verwarmingselement, rol, balk, warmtewisselaar, koudeluchtpijp, brandermondstuk, thermokoppelbeschermingsbuis, SiC-boot, ovenwagenstructuur, setter, enz.
- Siliciumcarbide halfgeleider: SiC-wafelboot, sic-klauwplaat, sic-peddel, sic-cassette, sic-diffusiebuis, wafeltjevork, zuigplaat, geleidingsbaan, enz.
-Siliconencarbide afdichtingsveld: alle soorten afdichtringen, lagers, bussen, enz.
-Fotovoltaïsch veld: cantileverpeddel, slijpvat, siliciumcarbiderol, enz.
-Lithiumbatterijveld

WAFELTJE (1)

WAFELTJE (2)

Fysische eigenschappen van SiC

Eigendom Waarde Methode
Dikte 3,21 g/cc Zink-float en dimensie
Specifieke hitte 0,66 J/g °K Gepulseerde laserflits
Buigsterkte 450 MPa560 MPa 4-puntsbocht, RT4-puntsbocht, 1300°
Breuktaaiheid 2,94 MPa m1/2 Micro-inspringing
Hardheid 2800 Vicker's, 500 gram lading
Elasticiteitsmodulus Young's modulus 450 GPa430 GPa 4 pt bocht, RT4 pt bocht, 1300 °C
Korrelgrootte 2 – 10 µm SEM

Thermische eigenschappen van SiC

Warmtegeleiding 250 W/m °K Laserflitsmethode, RT
Thermische uitzetting (CTE) 4,5x10-6°K Kamertemperatuur tot 950 °C, dilatometer van silica

Technische parameters

Item Eenheid Gegevens
RBSiC(SiSiC) NBSiC SSiC RSiC OSiC
SiC-inhoud % 85 75 99 99,9 ≥99
Gratis siliciumgehalte % 15 0 0 0 0
Maximale bedrijfstemperatuur 1380 1450 1650 1620 1400
Dikte g/cm3 3.02 2,75-2,85 3.08-3.16 2,65-2,75 2,75-2,85
Open porositeit % 0 13-15 0 15-18 7-8
Buigsterkte 20℃ Мpa 250 160 380 100 /
Buigsterkte 1200℃ Мpa 280 180 400 120 /
Elasticiteitsmodulus 20℃ Gpa 330 580 420 240 /
Elasticiteitsmodulus 1200℃ Gpa 300 / / 200 /
Thermische geleidbaarheid 1200℃ W/mK 45 19.6 100-120 36,6 /
Uitzettingscoëfficiënt K-1X10-6 4.5 4.7 4.1 4.69 /
HV Kg/mm2 2115 / 2800 / /

De CVD-siliciumcarbidecoating op het buitenoppervlak van geherkristalliseerde keramische producten van siliciumcarbide kan een zuiverheid bereiken van meer dan 99,9999% om te voldoen aan de behoeften van klanten in de halfgeleiderindustrie.

Semicera-werkplaats
Semicera-werkplaats 2
Uitrustingsmachine
CNN-verwerking, chemische reiniging, CVD-coating
Onze service

  • Vorig:
  • Volgende: