PART/1CVD-methode (Chemical Vapour Deposition): bij 900-2300 ℃, met behulp van TaCl5 en CnHm als tantaal- en koolstofbronnen, H₂ als reducerende atmosfeer, Ar₂ als draaggas, reactie-afzettingsfilm.De voorbereide coating is compact, uniform en hoge zuiverheid.Er zijn echter enkele problemen...
Lees verder