SiC Waferboot
Siliciumcarbide waferbootis een dragend apparaat voor wafers, voornamelijk gebruikt in zonne- en halfgeleiderdiffusieprocessen.Het heeft kenmerken zoals slijtvastheid, corrosieweerstand, slagvastheid bij hoge temperaturen, weerstand tegen plasmabombardementen, draagvermogen bij hoge temperaturen, hoge thermische geleidbaarheid, hoge warmteafvoer en langdurig gebruik dat niet gemakkelijk te buigen en te vervormen is.Ons bedrijf maakt gebruik van zeer zuiver siliciumcarbidemateriaal om de levensduur te garanderen en biedt op maat gemaakte ontwerpen, waaronder.diverse verticale en horizontalewafel boot.
SiC-peddel
Decantileverpeddel van siliciumcarbidewordt voornamelijk gebruikt bij het (diffusie)coaten van siliciumwafels, wat een cruciale rol speelt bij het laden en transporteren van siliciumwafels bij hoge temperatuur.Het is een belangrijk onderdeel vanhalfgeleider wafeltjelaadsystemen en heeft de volgende hoofdkenmerken:
1. Het vervormt niet in omgevingen met hoge temperaturen en heeft een hoge laadkracht op de wafers;
2. Het is bestand tegen extreme kou en snelle hitte en heeft een lange levensduur;
3. De thermische uitzettingscoëfficiënt is klein, waardoor de onderhouds- en reinigingscyclus aanzienlijk wordt verlengd en de verontreinigende stoffen aanzienlijk worden verminderd.
SiC-ovenbuis
Siliciumcarbide procesbuis, gemaakt van zeer zuiver SiC zonder metallische onzuiverheden, vervuilt de wafer niet en is geschikt voor processen zoals halfgeleider- en fotovoltaïsche diffusie-, uitgloei- en oxidatieprocessen.
SiC-robotarm
SiC-robotarm, ook bekend als wafer transfer end effector, is een robotarm die wordt gebruikt om halfgeleiderwafels te transporteren en wordt veel gebruikt in de halfgeleider-, opto-elektronische en zonne-energie-industrie.Het gebruik van zeer zuiver siliciumcarbide, met hoge hardheid, slijtvastheid, seismische weerstand, langdurig gebruik zonder vervorming, lange levensduur, enz., kan diensten op maat bieden.
Grafiet voor kristalgroei
Grafiet hitteschild
Grafiet elektrodebuis
Grafiet deflector
Grafiet boorkop
Alle processen die worden gebruikt voor het kweken van halfgeleiderkristallen werken in omgevingen met hoge temperaturen en corrosie.De hete zone van de kristalgroeioven is meestal voorzien van hittebestendige en corrosiebestendige hoge zuiverheid.grafietcomponenten, zoals grafietverwarmers, smeltkroezen, cilinders, deflector, klauwplaten, buizen, ringen, houders, moeren, enz. Ons eindproduct kan een asgehalte van minder dan 5 ppm bereiken.
Grafiet voor halfgeleider-epitaxie
Grafiet basis
Grafiet epitaxiaal vat
Monocry Stalline silicium epitaxiale basis
MOCVD grafietonderdelen
Halfgeleider grafietarmatuur
Epitaxiaal proces verwijst naar de groei van een monokristallijn materiaal op een monokristallijn substraat met dezelfde roosteropstelling als het substraat.Het vereist veel ultrazuivere grafietonderdelen en een grafietbasis met SIC-coating.Het zeer zuivere grafiet dat wordt gebruikt voor halfgeleiderepitaxie heeft een breed scala aan toepassingen, die overeenkomen met de meest gebruikte apparatuur in de industrie. Tegelijkertijd heeft het extreem hoge.zuiverheid, uniforme coating, uitstekende levensduur en extreem hoge chemische bestendigheid en thermische stabiliteit.
Isolatiemateriaal en andere
Thermische isolatiematerialen die worden gebruikt bij de productie van halfgeleiders zijn hard grafietvilt, zacht vilt, grafietfolie, koolstofcomposietmaterialen, enz. Onze grondstoffen zijn geïmporteerde grafietmaterialen, die kunnen worden gesneden volgens de specificaties van klanten, en ook kunnen worden verkocht als een geheel.Koolstofcomposietmateriaal wordt meestal gebruikt als drager voor het productieproces van monokristallijne en polysiliciumcellen op zonne-energie.