Siliciumcarbide schijf voor MOCVD

DeSiliciumcarbide schijfvoor MOCVD van semicera, een hoogwaardige oplossing ontworpen voor optimale efficiëntie in epitaxiale groeiprocessen. De semicera siliciumcarbideschijf biedt uitzonderlijke thermische stabiliteit en precisie, waardoor het een essentieel onderdeel is in Si Epitaxy- en SiC Epitaxy-processen. Deze schijf is ontworpen om de hoge temperaturen en veeleisende omstandigheden van MOCVD-toepassingen te weerstaan ​​en zorgt voor betrouwbare prestaties en een lange levensduur.

Onze siliciumcarbideschijf is compatibel met een breed scala aan MOCVD-opstellingen, waaronderMOCVD Susceptorsystemen en ondersteunt geavanceerde processen zoals GaN op SiC Epitaxy. Het kan ook probleemloos worden geïntegreerd met PSS Etching Carrier-, ICP Etching Carrier- en RTP Carrier-systemen, waardoor de precisie en kwaliteit van uw productie-output wordt verbeterd. Of deze schijf nu wordt gebruikt voor de productie van monokristallijn silicium of voor LED Epitaxiale Susceptor-toepassingen, deze schijf zorgt voor uitzonderlijke resultaten.

Bovendien is de siliciumcarbideschijf van semicera aanpasbaar aan verschillende configuraties, waaronder Pancake Susceptor- en Barrel Susceptor-opstellingen, wat flexibiliteit biedt in diverse productieomgevingen. De opname van fotovoltaïsche onderdelen breidt de toepassing ervan verder uit naar de zonne-energie-industrie, waardoor het een veelzijdig en onmisbaar onderdeel wordt voor de moderne tijdepitaxiaalgroei en halfgeleiderproductie.