Beschrijving
Ons bedrijf biedtSiC-coatingprocesdiensten via CVD-methode op het oppervlak van grafiet, keramiek en andere materialen, zodat speciale gassen die koolstof en silicium bevatten bij hoge temperatuur reageren om SiC-moleculen met een hoge zuiverheid te verkrijgen, moleculen die worden afgezet op het oppervlak van de gecoate materialen en vormenSIC-beschermlaag.
Belangrijkste kenmerken
1. Oxidatieweerstand op hoge temperatuur:
de oxidatieweerstand is nog steeds erg goed bij een temperatuur tot 1600 C.
2. Hoge zuiverheid: gemaakt door chemische dampafzetting onder chloreringsomstandigheden op hoge temperatuur.
3. Erosiebestendigheid: hoge hardheid, compact oppervlak, fijne deeltjes.
4. Corrosiebestendigheid: zuur, alkali, zout en organische reagentia.
Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating
| SiC-CVD-eigenschappen | ||
| Kristal structuur | FCC β-fase | |
| Dikte | g/cm³ | 3.21 |
| Hardheid | Vickers-hardheid | 2500 |
| Korrelgrootte | urn | 2~10 |
| Chemische zuiverheid | % | 99,99995 |
| Warmte capaciteit | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimatie temperatuur | ℃ | 2700 |
| Flexurale kracht | MPa (RT 4-punts) | 415 |
| Young's Modulus | Gpa (4pt bocht, 1300℃) | 430 |
| Thermische uitzetting (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Warmtegeleiding | (W/mK) | 300 |
-
Susceptor met siliciumcarbidecoating
-
SIC-gecoate grafietverwarmer met lange levensduur voor MOCVD ...
-
Poreus tantaalcarbide, heetveldmateriaal voor...
-
36 stuks MOCVD-uitrusting met 4 inch grafietbasis ...
-
Grafiet Susceptor met siliciumcarbidecoating...
-
Epitaxiale reactorvat met siliciumcarbide coating