Beschrijving
De Semicera GaN Epitaxy Carrier is zorgvuldig ontworpen om te voldoen aan de strenge eisen van de moderne halfgeleiderproductie. Met een basis van hoogwaardige materialen en precisietechniek onderscheidt deze drager zich door zijn uitzonderlijke prestaties en betrouwbaarheid. De integratie van Chemical Vapour Deposition (CVD) siliciumcarbide (SiC) coating zorgt voor superieure duurzaamheid, thermische efficiëntie en bescherming, waardoor het een voorkeurskeuze is voor professionals uit de industrie.
Belangrijkste kenmerken
1. Uitzonderlijke duurzaamheidDe CVD SiC-coating op de GaN Epitaxy Carrier verbetert de weerstand tegen slijtage, waardoor de operationele levensduur aanzienlijk wordt verlengd. Deze robuustheid zorgt voor consistente prestaties, zelfs in veeleisende productieomgevingen, waardoor de noodzaak voor frequente vervangingen en onderhoud wordt verminderd.
2. Superieure thermische efficiëntieThermisch beheer is van cruciaal belang bij de productie van halfgeleiders. De geavanceerde thermische eigenschappen van de GaN Epitaxy Carrier maken een efficiënte warmteafvoer mogelijk, waardoor optimale temperatuuromstandigheden worden gehandhaafd tijdens het epitaxiale groeiproces. Deze efficiëntie verbetert niet alleen de kwaliteit van de halfgeleiderwafels, maar verbetert ook de algehele productie-efficiëntie.
3. Beschermende mogelijkhedenDe SiC-coating biedt een sterke bescherming tegen chemische corrosie en thermische schokken. Dit zorgt ervoor dat de integriteit van de drager gedurende het hele productieproces behouden blijft, waardoor de delicate halfgeleidermaterialen worden beschermd en de algehele opbrengst en betrouwbaarheid van het productieproces worden verbeterd.
Technische specificaties:
Toepassingen:
De Semicorex GaN Epitaxy Carrier is ideaal voor een verscheidenheid aan halfgeleiderproductieprocessen, waaronder:
• GaN epitaxiale groei
• Halfgeleiderprocessen bij hoge temperaturen
• Chemische dampafzetting (CVD)
• Andere geavanceerde toepassingen voor de productie van halfgeleiders
