Halfgeleider SiC gecoate monokristallijne silicium epitaxiale schijf

De Semiconductor SiC-gecoate monokristallijne silicium epitaxiale schijf van semicera, een geavanceerde oplossing ontworpen voor geavanceerde epitaxiale groeiprocessen. Semicera is gespecialiseerd in het produceren van hoogwaardige schijven die uitstekende thermische geleidbaarheid en duurzaamheid bieden, ideaal voor toepassingen inSi epitaxieEnSiC-epitaxie. Deze epitaxiale schijf, gecoat met siliciumcarbide (SiC), verbetert de efficiëntie en precisie van halfgeleiderproductieprocessen.

OnsMOCVD Susceptorcompatibele epitaxiale schijf zorgt voor consistente prestaties in verschillende opstellingen, inclusief systemen die PSS Etching Carrier vereisen,ICP-etsenVervoerder en RTP-vervoerder. Deze schijf is ontworpen om te voldoen aan de hoge eisen van de productie van monokristallijn silicium, waardoor hij geschikt is voor LED Epitaxiale Susceptor-toepassingen en andere halfgeleidergroeiprocessen. De ontwerpen van de Barrel Susceptor en Pancake Susceptor bieden fabrikanten veelzijdigheid, terwijl het gebruik van fotovoltaïsche onderdelen de toepassing ervan uitbreidt naar de zonne-energie-industrie.

Met zijn robuuste constructie vergroten de GaN op SiC-epitaxiemogelijkheden van deze schijf de waarde ervan voor geavanceerde epitaxiale systemen nog verder. Deze oplossing is ontworpen om betrouwbare resultaten van hoge kwaliteit te leveren, waardoor het een essentieel onderdeel is voor de moderne halfgeleider- en fotovoltaïsche productie.