Semicera presenteert met trots deGa2O3Substraat, een baanbrekend materiaal dat klaar is om een revolutie teweeg te brengen in de vermogenselektronica en opto-elektronica.Galliumoxide (Ga2O3) substratenstaan bekend om hun ultrabrede bandafstand, waardoor ze ideaal zijn voor apparaten met een hoog vermogen en hoge frequentie.
Belangrijkste kenmerken:
• Ultrabrede bandafstand: Ga2O3 biedt een bandafstand van ongeveer 4,8 eV, waardoor het vermogen om hoge spanningen en temperaturen aan te kunnen aanzienlijk wordt verbeterd in vergelijking met traditionele materialen zoals silicium en GaN.
• Hoge doorslagspanning: Met een uitzonderlijk doorslagveld kan deGa2O3Substraatis perfect voor apparaten die een hoogspanningsbedrijf vereisen, waardoor een grotere efficiëntie en betrouwbaarheid wordt gegarandeerd.
• Thermische stabiliteit: De superieure thermische stabiliteit van het materiaal maakt het geschikt voor toepassingen in extreme omgevingen, waarbij de prestaties zelfs onder zware omstandigheden behouden blijven.
• Veelzijdige toepassingen: Ideaal voor gebruik in hoogefficiënte vermogenstransistors, UV-opto-elektronische apparaten en meer, en biedt een robuuste basis voor geavanceerde elektronische systemen.
Ervaar de toekomst van halfgeleidertechnologie met Semicera'sGa2O3Substraat. Ontworpen om te voldoen aan de groeiende eisen van hoogvermogen- en hoogfrequente elektronica, zet dit substraat een nieuwe standaard voor prestaties en duurzaamheid. Vertrouw op Semicera om innovatieve oplossingen te leveren voor uw meest uitdagende toepassingen.
| Artikelen | Productie | Onderzoek | Dummie |
| Kristalparameters | |||
| Polytype | 4H | ||
| Fout in oppervlakteoriëntatie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische parameters | |||
| Doteringsmiddel | n-type stikstof | ||
| Weerstand | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Mechanische parameters | |||
| Diameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dikte | 350±25 μm | ||
| Primaire vlakke oriëntatie | [1-100]±5° | ||
| Primaire platte lengte | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secundaire flat | Geen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Boog | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Verdraaien | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Structuur | |||
| Dichtheid van de micropijp | <1 stuk/cm2 | <10 stuks/cm2 | <15 stuks/cm2 |
| Metaalonzuiverheden | ≤5E10 atomen/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 e/cm2 | ≤3000 e/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 e/cm2 | NA |
| Front kwaliteit | |||
| Voorkant | Si | ||
| Oppervlakteafwerking | Si-face CMP | ||
| Deeltjes | ≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm) | NA | |
| Krassen | ≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter | Cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA |
| Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging | Geen | NA | |
| Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten | Geen | ||
| Polytype-gebieden | Geen | Cumulatief gebied≤20% | Cumulatief gebied≤30% |
| Lasermarkering aan de voorkant | Geen | ||
| Terug Kwaliteit | |||
| Afwerking achterkant | C-face CMP | ||
| Krassen | ≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA | |
| Rugdefecten (randchips/inkepingen) | Geen | ||
| Ruwheid van de rug | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkering op de achterkant | 1 mm (vanaf bovenrand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Afschuining | ||
| Verpakking | |||
| Verpakking | Epi-ready met vacuümverpakking Verpakking met meerdere wafercassettes | ||
| *Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD. | |||
