Semicerabiedt trots aanGa2O3Epitaxie, een ultramoderne oplossing die is ontworpen om de grenzen van vermogenselektronica en opto-elektronica te verleggen. Deze geavanceerde epitaxiale technologie maakt gebruik van de unieke eigenschappen van galliumoxide (Ga2O3) voor superieure prestaties in veeleisende toepassingen.
Belangrijkste kenmerken:
• Uitzonderlijke brede bandafstand: Ga2O3Epitaxiebeschikt over een ultrabrede bandafstand, waardoor hogere doorslagspanningen en efficiënte werking in omgevingen met hoog vermogen mogelijk zijn.
•Hoge thermische geleidbaarheid: De epitaxiale laag zorgt voor een uitstekende thermische geleidbaarheid en zorgt voor een stabiele werking, zelfs onder hoge temperaturen, waardoor deze ideaal is voor hoogfrequente apparaten.
•Superieure materiaalkwaliteit: Bereik een hoge kristalkwaliteit met minimale defecten, waardoor optimale apparaatprestaties en een lange levensduur worden gegarandeerd, vooral in kritische toepassingen zoals vermogenstransistors en UV-detectoren.
•Veelzijdigheid in toepassingen: Perfect geschikt voor vermogenselektronica, RF-toepassingen en opto-elektronica, en biedt een betrouwbare basis voor halfgeleiderapparaten van de volgende generatie.
Ontdek het potentieel vanGa2O3Epitaxiemet de innovatieve oplossingen van Semicera. Onze epitaxiale producten zijn ontworpen om te voldoen aan de hoogste normen op het gebied van kwaliteit en prestaties, waardoor uw apparaten met maximale efficiëntie en betrouwbaarheid kunnen werken. Kies Semicera voor geavanceerde halfgeleidertechnologie.
| Artikelen | Productie | Onderzoek | Dummie |
| Kristalparameters | |||
| Polytype | 4H | ||
| Fout in oppervlakteoriëntatie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische parameters | |||
| Doteringsmiddel | n-type stikstof | ||
| Weerstand | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Mechanische parameters | |||
| Diameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dikte | 350±25 μm | ||
| Primaire vlakke oriëntatie | [1-100]±5° | ||
| Primaire platte lengte | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secundaire flat | Geen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Boog | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Verdraaien | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Structuur | |||
| Dichtheid van de micropijp | <1 stuk/cm2 | <10 stuks/cm2 | <15 stuks/cm2 |
| Metaalonzuiverheden | ≤5E10 atomen/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 e/cm2 | ≤3000 e/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 e/cm2 | NA |
| Front kwaliteit | |||
| Voorkant | Si | ||
| Oppervlakteafwerking | Si-face CMP | ||
| Deeltjes | ≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm) | NA | |
| Krassen | ≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter | Cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA |
| Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging | Geen | NA | |
| Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten | Geen | ||
| Polytype-gebieden | Geen | Cumulatief gebied≤20% | Cumulatief gebied≤30% |
| Lasermarkering aan de voorkant | Geen | ||
| Terug Kwaliteit | |||
| Afwerking achterkant | C-face CMP | ||
| Krassen | ≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA | |
| Rugdefecten (randchips/inkepingen) | Geen | ||
| Ruwheid van de rug | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkering op de achterkant | 1 mm (vanaf bovenrand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Afschuining | ||
| Verpakking | |||
| Verpakking | Epi-ready met vacuümverpakking Verpakking met meerdere wafercassettes | ||
| *Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD. | |||
