Semiceraintroduceert met trots zijn4" galliumoxidesubstraten, een baanbrekend materiaal dat is ontworpen om te voldoen aan de groeiende eisen van hoogwaardige halfgeleiderapparaten. Galliumoxide (Ga2O3)-substraten bieden een ultrabrede bandafstand, waardoor ze ideaal zijn voor vermogenselektronica van de volgende generatie, UV-opto-elektronica en hoogfrequente apparaten.
Belangrijkste kenmerken:
• Ultrabrede bandafstand: De4" galliumoxidesubstratenbeschikken over een bandafstand van ongeveer 4,8 eV, waardoor uitzonderlijke spannings- en temperatuurtolerantie mogelijk is en aanzienlijk beter presteren dan traditionele halfgeleidermaterialen zoals silicium.
•Hoge doorslagspanning: Met deze substraten kunnen apparaten op hogere spanningen en vermogens werken, waardoor ze perfect zijn voor hoogspanningstoepassingen in vermogenselektronica.
•Superieure thermische stabiliteit: Galliumoxidesubstraten bieden uitstekende thermische geleidbaarheid en zorgen voor stabiele prestaties onder extreme omstandigheden, ideaal voor gebruik in veeleisende omgevingen.
•Hoge materiaalkwaliteit: Met een lage defectdichtheid en een hoge kristalkwaliteit zorgen deze substraten voor betrouwbare en consistente prestaties, waardoor de efficiëntie en duurzaamheid van uw apparaten worden verbeterd.
•Veelzijdige toepassing: Geschikt voor een breed scala aan toepassingen, waaronder vermogenstransistoren, Schottky-diodes en UV-C LED-apparaten, waardoor innovaties op zowel vermogens- als opto-elektronische gebieden mogelijk zijn.
Ontdek de toekomst van halfgeleidertechnologie met Semicera's4" galliumoxidesubstraten. Onze substraten zijn ontworpen om de meest geavanceerde toepassingen te ondersteunen en bieden de betrouwbaarheid en efficiëntie die nodig zijn voor de geavanceerde apparaten van vandaag. Vertrouw op Semicera voor kwaliteit en innovatie in uw halfgeleidermaterialen.
| Artikelen | Productie | Onderzoek | Dummie |
| Kristalparameters | |||
| Polytype | 4H | ||
| Fout in oppervlakteoriëntatie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische parameters | |||
| Doteringsmiddel | n-type stikstof | ||
| Weerstand | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Mechanische parameters | |||
| Diameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dikte | 350±25 μm | ||
| Primaire vlakke oriëntatie | [1-100]±5° | ||
| Primaire platte lengte | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secundaire flat | Geen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Boog | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Verdraaien | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Structuur | |||
| Dichtheid van de micropijp | <1 stuk/cm2 | <10 stuks/cm2 | <15 stuks/cm2 |
| Metaalonzuiverheden | ≤5E10 atomen/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 e/cm2 | ≤3000 e/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 e/cm2 | NA |
| Front kwaliteit | |||
| Voorkant | Si | ||
| Oppervlakteafwerking | Si-face CMP | ||
| Deeltjes | ≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm) | NA | |
| Krassen | ≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter | Cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA |
| Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging | Geen | NA | |
| Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten | Geen | ||
| Polytype-gebieden | Geen | Cumulatief gebied≤20% | Cumulatief gebied≤30% |
| Lasermarkering aan de voorkant | Geen | ||
| Terug Kwaliteit | |||
| Afwerking achterkant | C-face CMP | ||
| Krassen | ≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA | |
| Rugdefecten (randchips/inkepingen) | Geen | ||
| Ruwheid van de rug | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkering op de achterkant | 1 mm (vanaf bovenrand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Afschuining | ||
| Verpakking | |||
| Verpakking | Epi-ready met vacuümverpakking Verpakking met meerdere wafercassettes | ||
| *Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD. | |||
