Semicera's 4" 6" semi-isolerend SiC-substraat is een hoogwaardig materiaal dat is ontworpen om te voldoen aan de strenge eisen van RF- en stroomapparaattoepassingen. Het substraat combineert de uitstekende thermische geleidbaarheid en hoge doorslagspanning van siliciumcarbide met semi-isolerende eigenschappen, waardoor het een ideale keuze is voor de ontwikkeling van geavanceerde halfgeleiderapparaten.
4" 6" semi-isolerend SiC-substraat is zorgvuldig vervaardigd om materiaal met een hoge zuiverheid en consistente semi-isolerende prestaties te garanderen. Dit zorgt ervoor dat het substraat de noodzakelijke elektrische isolatie biedt in RF-apparaten zoals versterkers en transistors, terwijl het ook de thermische efficiëntie biedt die nodig is voor toepassingen met hoog vermogen. Het resultaat is een veelzijdig substraat dat kan worden gebruikt in een breed scala aan hoogwaardige elektronische producten.
Semicera erkent het belang van het leveren van betrouwbare, defectvrije substraten voor kritische halfgeleidertoepassingen. Ons 4" 6" semi-isolerende SiC-substraat wordt geproduceerd met behulp van geavanceerde productietechnieken die kristaldefecten minimaliseren en de materiaaluniformiteit verbeteren. Hierdoor kan het product de productie van apparaten ondersteunen met verbeterde prestaties, stabiliteit en levensduur.
Semicera's toewijding aan kwaliteit zorgt ervoor dat ons 4" 6" semi-isolerende SiC-substraat betrouwbare en consistente prestaties levert voor een breed scala aan toepassingen. Of u nu hoogfrequente apparaten of energie-efficiënte energieoplossingen ontwikkelt, onze semi-isolerende SiC-substraten vormen de basis voor het succes van de volgende generatie elektronica.
Basisparameters
| Maat | 6-inch | 4-inch |
| Diameter | 150,0 mm+0 mm/-0,2 mm | 100,0 mm+0 mm/-0,5 mm |
| Oppervlakteoriëntatie | {0001}±0,2° | |
| Primaire vlakke oriëntatie | / | <1120>±5° |
| Secundaire vlakke oriëntatie | / | Siliconenzijde naar boven: 90° CW vanaf Prime flat士5° |
| Primaire platte lengte | / | 32,5 mm 士2,0 mm |
| Secundaire platte lengte | / | 18,0 mm士2,0 mm |
| Inkepingsoriëntatie | <1100>±1,0° | / |
| Inkepingsoriëntatie | 1,0 mm+0,25 mm/-0,00 mm | / |
| Inkepingshoek | 90°+5°/-1° | / |
| Dikte | 500,0um en 25,0um | |
| Geleidend type | Semi-isolerend | |
Informatie over kristalkwaliteit
| Laatst | 6-inch | 4-inch |
| Weerstand | ≥1E9Q·cm | |
| Polytype | Geen toegestaan | |
| Dichtheid van de micropijp | ≤0,5/cm2 | ≤0,3/cm2 |
| Hex Platen door licht met hoge intensiteit | Geen toegestaan | |
| Visuele koolstofinsluitingen hoog | Cumulatief gebied≤0,05% | |
Weerstand －Getest door contactloze bladweerstand.
Dichtheid van de micropijp
