Semicerais enthousiast om aan te bieden2" galliumoxidesubstraten, een geavanceerd materiaal dat is ontworpen om de prestaties van geavanceerde halfgeleiderapparaten te verbeteren. Deze substraten, gemaakt van galliumoxide (Ga2O3), beschikken over een ultrabrede bandafstand, waardoor ze een ideale keuze zijn voor hoogvermogen, hoogfrequente en UV-opto-elektronische toepassingen.
Belangrijkste kenmerken:
• Ultrabrede bandafstand: De2" galliumoxidesubstratenbieden een uitstekende bandafstand van ongeveer 4,8 eV, waardoor werking op hogere spanning en temperatuur mogelijk is, wat de mogelijkheden van traditionele halfgeleidermaterialen zoals silicium ver overtreft.
•Uitzonderlijke doorslagspanning: Deze substraten zorgen ervoor dat apparaten aanzienlijk hogere spanningen kunnen verwerken, waardoor ze perfect zijn voor vermogenselektronica, vooral in hoogspanningstoepassingen.
•Uitstekende thermische geleidbaarheid: Met superieure thermische stabiliteit behouden deze substraten consistente prestaties, zelfs in extreme thermische omgevingen, ideaal voor toepassingen met hoog vermogen en hoge temperaturen.
•Hoogwaardig materiaal: De2" galliumoxidesubstratenbieden een lage defectdichtheid en een hoge kristallijne kwaliteit, waardoor de betrouwbare en efficiënte prestaties van uw halfgeleiderapparaten worden gegarandeerd.
•Veelzijdige toepassingen: Deze substraten zijn geschikt voor een reeks toepassingen, waaronder vermogenstransistors, Schottky-diodes en UV-C LED-apparaten, en bieden een robuuste basis voor zowel vermogens- als opto-elektronische innovaties.
Ontgrendel het volledige potentieel van uw halfgeleiderapparaten met Semicera's2" galliumoxidesubstraten. Onze substraten zijn ontworpen om te voldoen aan de veeleisende behoeften van de geavanceerde toepassingen van vandaag en garanderen hoge prestaties, betrouwbaarheid en efficiëntie. Kies Semicera voor ultramoderne halfgeleidermaterialen die innovatie stimuleren.
| Artikelen | Productie | Onderzoek | Dummie |
| Kristalparameters | |||
| Polytype | 4H | ||
| Fout in oppervlakteoriëntatie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische parameters | |||
| Doteringsmiddel | n-type stikstof | ||
| Weerstand | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Mechanische parameters | |||
| Diameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dikte | 350±25 μm | ||
| Primaire vlakke oriëntatie | [1-100]±5° | ||
| Primaire platte lengte | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secundaire flat | Geen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Boog | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Verdraaien | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Structuur | |||
| Dichtheid van de micropijp | <1 stuk/cm2 | <10 stuks/cm2 | <15 stuks/cm2 |
| Metaalonzuiverheden | ≤5E10 atomen/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 e/cm2 | ≤3000 e/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 e/cm2 | NA |
| Front kwaliteit | |||
| Voorkant | Si | ||
| Oppervlakteafwerking | Si-face CMP | ||
| Deeltjes | ≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm) | NA | |
| Krassen | ≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter | Cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA |
| Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging | Geen | NA | |
| Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten | Geen | ||
| Polytype-gebieden | Geen | Cumulatief gebied≤20% | Cumulatief gebied≤30% |
| Lasermarkering aan de voorkant | Geen | ||
| Terug Kwaliteit | |||
| Afwerking achterkant | C-face CMP | ||
| Krassen | ≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA | |
| Rugdefecten (randchips/inkepingen) | Geen | ||
| Ruwheid van de rug | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkering op de achterkant | 1 mm (vanaf bovenrand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Afschuining | ||
| Verpakking | |||
| Verpakking | Epi-ready met vacuümverpakking Verpakking met meerdere wafercassettes | ||
| *Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD. | |||
