Semicera introduceert deWafercassettedrager, een cruciale oplossing voor de veilige en efficiënte verwerking van halfgeleiderwafels. Deze drager is ontworpen om te voldoen aan de strenge eisen van de halfgeleiderindustrie en garandeert de bescherming en integriteit van uw wafers gedurende het hele productieproces.
Belangrijkste kenmerken:
•Robuuste constructie:DeWafercassettedrageris opgebouwd uit hoogwaardige, duurzame materialen die bestand zijn tegen de ontberingen van halfgeleideromgevingen en betrouwbare bescherming bieden tegen vervuiling en fysieke schade.
•Nauwkeurige uitlijning:Deze drager is ontworpen voor nauwkeurige uitlijning van wafers en zorgt ervoor dat wafers veilig op hun plaats worden gehouden, waardoor het risico op verkeerde uitlijning of schade tijdens transport wordt geminimaliseerd.
•Eenvoudige bediening:De drager is ergonomisch ontworpen voor gebruiksgemak en vereenvoudigt het laad- en losproces, waardoor de workflow-efficiëntie in cleanroomomgevingen wordt verbeterd.
•Verenigbaarheid:Compatibel met een breed scala aan wafelformaten en -typen, waardoor het veelzijdig is voor verschillende halfgeleiderproductiebehoeften.
Ervaar ongeëvenaarde bescherming en gemak met Semicera'sWafercassettedrager. Onze drager is ontworpen om te voldoen aan de hoogste normen voor de productie van halfgeleiders, zodat uw wafers van begin tot eind in onberispelijke staat blijven. Vertrouw erop dat Semicera de kwaliteit en betrouwbaarheid levert die u nodig heeft voor uw meest kritische processen.
| Artikelen | Productie | Onderzoek | Dummie |
| Kristalparameters | |||
| Polytype | 4H | ||
| Fout in oppervlakteoriëntatie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische parameters | |||
| Doteringsmiddel | n-type stikstof | ||
| Weerstand | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Mechanische parameters | |||
| Diameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dikte | 350±25 μm | ||
| Primaire vlakke oriëntatie | [1-100]±5° | ||
| Primaire platte lengte | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secundaire flat | Geen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Boog | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Verdraaien | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Structuur | |||
| Dichtheid van de micropijp | <1 stuk/cm2 | <10 stuks/cm2 | <15 stuks/cm2 |
| Metaalonzuiverheden | ≤5E10 atomen/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 e/cm2 | ≤3000 e/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 e/cm2 | NA |
| Front kwaliteit | |||
| Voorkant | Si | ||
| Oppervlakteafwerking | Si-face CMP | ||
| Deeltjes | ≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm) | NA | |
| Krassen | ≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter | Cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA |
| Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging | Geen | NA | |
| Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten | Geen | ||
| Polytype-gebieden | Geen | Cumulatief gebied≤20% | Cumulatief gebied≤30% |
| Lasermarkering aan de voorkant | Geen | ||
| Terug Kwaliteit | |||
| Afwerking achterkant | C-face CMP | ||
| Krassen | ≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA | |
| Rugdefecten (randchips/inkepingen) | Geen | ||
| Ruwheid van de rug | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkering op de achterkant | 1 mm (vanaf bovenrand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Afschuining | ||
| Verpakking | |||
| Verpakking | Epi-ready met vacuümverpakking Verpakking met meerdere wafercassettes | ||
| *Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD. | |||
