Semicera levert gespecialiseerde tantaalcarbide (TaC) coatings voor diverse componenten en dragers.Dankzij het toonaangevende coatingproces van Semicera kunnen tantaalcarbide (TaC) coatings een hoge zuiverheid, hoge temperatuurstabiliteit en hoge chemische tolerantie bereiken, waardoor de productkwaliteit van SIC/GAN-kristallen en EPI-lagen wordt verbeterd (Met grafiet gecoate TaC-susceptor), en het verlengen van de levensduur van belangrijke reactorcomponenten. Het gebruik van tantaalcarbide TaC-coating is om het randprobleem op te lossen en de kwaliteit van de kristalgroei te verbeteren, en Semicera heeft de tantaalcarbide-coatingtechnologie (CVD) doorbraak opgelost en daarmee het internationale geavanceerde niveau bereikt.
Na jaren van ontwikkeling heeft Semicera de technologie veroverdCVD TaCmet de gezamenlijke inspanningen van de R&D-afdeling. Defecten ontstaan gemakkelijk tijdens het groeiproces van SiC-wafels, maar ook na gebruikTaC, het verschil is aanzienlijk. Hieronder vindt u een vergelijking van wafers met en zonder TaC, evenals de onderdelen van Semicera voor de groei van één kristal
met en zonder TaC
Na gebruik van TaC (rechts)
Bovendien is de levensduur van de TaC-coatingproducten van Semicera langer en beter bestand tegen hoge temperaturen dan die van SiC-coating. Na een lange tijd aan laboratoriummeetgegevens kan onze TaC lange tijd werken op maximaal 2300 graden Celsius. Hieronder volgen enkele van onze voorbeelden:
(a) Schematisch diagram van een apparaat voor het kweken van SiC-monokristalstaven volgens de PVT-methode (b) Top TaC-gecoate zaadbeugel (inclusief SiC-zaad) (c) TAC-gecoate grafietgeleidingsring
