SOI Wafer Silicium op isolator

Korte beschrijving:

Semicera's SOI Wafer (Silicon On Insulator) biedt uitzonderlijke elektrische isolatie en prestaties voor geavanceerde halfgeleidertoepassingen. Deze wafers zijn ontworpen voor superieure thermische en elektrische efficiëntie en zijn ideaal voor hoogwaardige geïntegreerde schakelingen. Kies Semicera voor kwaliteit en betrouwbaarheid in SOI wafertechnologie.


Productdetail

Productlabels

De SOI Wafer (Silicon On Insulator) van Semicera is ontworpen om superieure elektrische isolatie en thermische prestaties te leveren. Deze innovatieve waferstructuur, met een siliciumlaag op een isolerende laag, zorgt voor betere apparaatprestaties en een lager energieverbruik, waardoor het ideaal is voor een verscheidenheid aan hightechtoepassingen.

Onze SOI-wafels bieden uitzonderlijke voordelen voor geïntegreerde schakelingen door de parasitaire capaciteit te minimaliseren en de snelheid en efficiëntie van het apparaat te verbeteren. Dit is cruciaal voor moderne elektronica, waar hoge prestaties en energie-efficiëntie essentieel zijn voor zowel consumenten- als industriële toepassingen.

Semicera maakt gebruik van geavanceerde productietechnieken om SOI-wafels te produceren met consistente kwaliteit en betrouwbaarheid. Deze wafers bieden uitstekende thermische isolatie, waardoor ze geschikt zijn voor gebruik in omgevingen waar warmteafvoer een probleem is, zoals in elektronische apparaten met hoge dichtheid en energiebeheersystemen.

Het gebruik van SOI-wafels bij de fabricage van halfgeleiders maakt de ontwikkeling van kleinere, snellere en betrouwbaardere chips mogelijk. Semicera's toewijding aan precisie-engineering zorgt ervoor dat onze SOI-wafers voldoen aan de hoge normen die vereist zijn voor geavanceerde technologieën op gebieden als telecommunicatie, auto-industrie en consumentenelektronica.

Kiezen voor de SOI Wafer van Semicera betekent investeren in een product dat de vooruitgang van elektronische en micro-elektronische technologieën ondersteunt. Onze wafers zijn ontworpen om betere prestaties en duurzaamheid te bieden, waardoor ze bijdragen aan het succes van uw hightechprojecten en ervoor zorgen dat u voorop blijft lopen op het gebied van innovatie.

Artikelen

Productie

Onderzoek

Dummie

Kristalparameters

Polytype

4H

Fout in oppervlakteoriëntatie

<11-20 >4±0,15°

Elektrische parameters

Doteringsmiddel

n-type stikstof

Weerstand

0,015-0,025 ohm·cm

Mechanische parameters

Diameter

150,0 ± 0,2 mm

Dikte

350±25 μm

Primaire vlakke oriëntatie

[1-100]±5°

Primaire platte lengte

47,5 ± 1,5 mm

Secundaire flat

Geen

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5 mm * 5 mm)

≤5 μm (5 mm * 5 mm)

≤10 μm (5 mm * 5 mm)

Boog

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Verdraaien

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM)

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Structuur

Dichtheid van de micropijp

<1 stuk/cm2

<10 stuks/cm2

<15 stuks/cm2

Metaalonzuiverheden

≤5E10 atomen/cm2

NA

BPD

≤1500 e/cm2

≤3000 e/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 e/cm2

NA

Front kwaliteit

Voorkant

Si

Oppervlakteafwerking

Si-face CMP

Deeltjes

≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm)

NA

Krassen

≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter

Cumulatieve lengte≤2*Diameter

NA

Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging

Geen

NA

Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten

Geen

Polytype-gebieden

Geen

Cumulatief gebied≤20%

Cumulatief gebied≤30%

Lasermarkering aan de voorkant

Geen

Terug Kwaliteit

Afwerking achterkant

C-face CMP

Krassen

≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter

NA

Rugdefecten (randchips/inkepingen)

Geen

Ruwheid van de rug

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Lasermarkering op de achterkant

1 mm (vanaf bovenrand)

Rand

Rand

Afschuining

Verpakking

Verpakking

Epi-ready met vacuümverpakking

Verpakking met meerdere wafercassettes

*Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD.

tech_1_2_grootte
SiC-wafels

  • Vorig:
  • Volgende: