De SOI Wafer (Silicon On Insulator) van Semicera is ontworpen om superieure elektrische isolatie en thermische prestaties te leveren. Deze innovatieve waferstructuur, met een siliciumlaag op een isolerende laag, zorgt voor betere apparaatprestaties en een lager energieverbruik, waardoor het ideaal is voor een verscheidenheid aan hightechtoepassingen.
Onze SOI-wafels bieden uitzonderlijke voordelen voor geïntegreerde schakelingen door de parasitaire capaciteit te minimaliseren en de snelheid en efficiëntie van het apparaat te verbeteren. Dit is cruciaal voor moderne elektronica, waar hoge prestaties en energie-efficiëntie essentieel zijn voor zowel consumenten- als industriële toepassingen.
Semicera maakt gebruik van geavanceerde productietechnieken om SOI-wafels te produceren met consistente kwaliteit en betrouwbaarheid. Deze wafers bieden uitstekende thermische isolatie, waardoor ze geschikt zijn voor gebruik in omgevingen waar warmteafvoer een probleem is, zoals in elektronische apparaten met hoge dichtheid en energiebeheersystemen.
Het gebruik van SOI-wafels bij de fabricage van halfgeleiders maakt de ontwikkeling van kleinere, snellere en betrouwbaardere chips mogelijk. Semicera's toewijding aan precisie-engineering zorgt ervoor dat onze SOI-wafers voldoen aan de hoge normen die vereist zijn voor geavanceerde technologieën op gebieden als telecommunicatie, auto-industrie en consumentenelektronica.
Kiezen voor de SOI Wafer van Semicera betekent investeren in een product dat de vooruitgang van elektronische en micro-elektronische technologieën ondersteunt. Onze wafers zijn ontworpen om betere prestaties en duurzaamheid te bieden, waardoor ze bijdragen aan het succes van uw hightechprojecten en ervoor zorgen dat u voorop blijft lopen op het gebied van innovatie.
Artikelen | Productie | Onderzoek | Dummie |
Kristalparameters | |||
Polytype | 4H | ||
Fout in oppervlakteoriëntatie | <11-20 >4±0,15° | ||
Elektrische parameters | |||
Doteringsmiddel | n-type stikstof | ||
Weerstand | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Mechanische parameters | |||
Diameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Dikte | 350±25 μm | ||
Primaire vlakke oriëntatie | [1-100]±5° | ||
Primaire platte lengte | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Secundaire flat | Geen | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
Boog | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Verdraaien | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Structuur | |||
Dichtheid van de micropijp | <1 stuk/cm2 | <10 stuks/cm2 | <15 stuks/cm2 |
Metaalonzuiverheden | ≤5E10 atomen/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 e/cm2 | ≤3000 e/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 e/cm2 | NA |
Front kwaliteit | |||
Voorkant | Si | ||
Oppervlakteafwerking | Si-face CMP | ||
Deeltjes | ≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm) | NA | |
Krassen | ≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter | Cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA |
Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging | Geen | NA | |
Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten | Geen | ||
Polytype-gebieden | Geen | Cumulatief gebied≤20% | Cumulatief gebied≤30% |
Lasermarkering aan de voorkant | Geen | ||
Terug Kwaliteit | |||
Afwerking achterkant | C-face CMP | ||
Krassen | ≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA | |
Rugdefecten (randchips/inkepingen) | Geen | ||
Ruwheid van de rug | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Lasermarkering op de achterkant | 1 mm (vanaf bovenrand) | ||
Rand | |||
Rand | Afschuining | ||
Verpakking | |||
Verpakking | Epi-ready met vacuümverpakking Verpakking met meerdere wafercassettes | ||
*Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD. |