SiN keramiek gewone substraten

Korte beschrijving:

Semicera's SiN Ceramics Plain Substraten leveren uitzonderlijke thermische en mechanische prestaties voor veeleisende toepassingen. Deze substraten zijn ontworpen voor superieure duurzaamheid en betrouwbaarheid en zijn ideaal voor geavanceerde elektronische apparaten. Kies Semicera voor hoogwaardige SiN-keramische oplossingen afgestemd op uw wensen.


Productdetail

Productlabels

Semicera's SiN Ceramics Plain Substraten bieden een hoogwaardige oplossing voor een verscheidenheid aan elektronische en industriële toepassingen. Deze substraten staan ​​bekend om hun uitstekende thermische geleidbaarheid en mechanische sterkte en zorgen voor een betrouwbare werking in veeleisende omgevingen.

Onze SiN-keramiek (siliciumnitride) is ontworpen om extreme temperaturen en omstandigheden met hoge spanning aan te kunnen, waardoor ze geschikt zijn voor krachtige elektronica en geavanceerde halfgeleiderapparaten. Hun duurzaamheid en weerstand tegen thermische schokken maken ze ideaal voor gebruik in toepassingen waar betrouwbaarheid en prestaties van cruciaal belang zijn.

De precisieproductieprocessen van Semicera zorgen ervoor dat elk gewoon substraat voldoet aan strenge kwaliteitsnormen. Dit resulteert in substraten met een consistente dikte en oppervlaktekwaliteit, die essentieel zijn voor het bereiken van optimale prestaties in elektronische assemblages en systemen.

Naast hun thermische en mechanische voordelen bieden SiN Ceramics Plain Substrates uitstekende elektrische isolatie-eigenschappen. Dit zorgt voor minimale elektrische interferentie en draagt ​​bij aan de algehele stabiliteit en efficiëntie van elektronische componenten, waardoor hun operationele levensduur wordt verlengd.

Door Semicera's SiN Ceramics Plain Substrates te selecteren, kiest u voor een product dat geavanceerde materiaalkunde combineert met eersteklas productie. Onze toewijding aan kwaliteit en innovatie garandeert dat u substraten ontvangt die voldoen aan de hoogste industrienormen en het succes van uw geavanceerde technologieprojecten ondersteunen.

Artikelen

Productie

Onderzoek

Dummie

Kristalparameters

Polytype

4H

Fout in oppervlakteoriëntatie

<11-20 >4±0,15°

Elektrische parameters

Doteringsmiddel

n-type stikstof

Weerstand

0,015-0,025 ohm·cm

Mechanische parameters

Diameter

150,0 ± 0,2 mm

Dikte

350±25 μm

Primaire vlakke oriëntatie

[1-100]±5°

Primaire platte lengte

47,5 ± 1,5 mm

Secundaire flat

Geen

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5 mm * 5 mm)

≤5 μm (5 mm * 5 mm)

≤10 μm (5 mm * 5 mm)

Boog

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Verdraaien

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM)

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Structuur

Dichtheid van de micropijp

<1 stuk/cm2

<10 stuks/cm2

<15 stuks/cm2

Metaalonzuiverheden

≤5E10 atomen/cm2

NA

BPD

≤1500 e/cm2

≤3000 e/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 e/cm2

NA

Front kwaliteit

Voorkant

Si

Oppervlakteafwerking

Si-face CMP

Deeltjes

≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm)

NA

Krassen

≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter

Cumulatieve lengte≤2*Diameter

NA

Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging

Geen

NA

Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten

Geen

Polytype-gebieden

Geen

Cumulatief gebied≤20%

Cumulatief gebied≤30%

Lasermarkering aan de voorkant

Geen

Terug Kwaliteit

Afwerking achterkant

C-face CMP

Krassen

≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter

NA

Rugdefecten (randchips/inkepingen)

Geen

Ruwheid van de rug

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Lasermarkering op de achterkant

1 mm (vanaf bovenrand)

Rand

Rand

Afschuining

Verpakking

Verpakking

Epi-ready met vacuümverpakking

Verpakking met meerdere wafercassettes

*Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD.

tech_1_2_grootte
SiC-wafels

  • Vorig:
  • Volgende: