Semicera's SiN Ceramics Plain Substraten bieden een hoogwaardige oplossing voor een verscheidenheid aan elektronische en industriële toepassingen. Deze substraten staan bekend om hun uitstekende thermische geleidbaarheid en mechanische sterkte en zorgen voor een betrouwbare werking in veeleisende omgevingen.
Onze SiN-keramiek (siliciumnitride) is ontworpen om extreme temperaturen en omstandigheden met hoge spanning aan te kunnen, waardoor ze geschikt zijn voor krachtige elektronica en geavanceerde halfgeleiderapparaten. Hun duurzaamheid en weerstand tegen thermische schokken maken ze ideaal voor gebruik in toepassingen waar betrouwbaarheid en prestaties van cruciaal belang zijn.
De precisieproductieprocessen van Semicera zorgen ervoor dat elk gewoon substraat voldoet aan strenge kwaliteitsnormen. Dit resulteert in substraten met een consistente dikte en oppervlaktekwaliteit, die essentieel zijn voor het bereiken van optimale prestaties in elektronische assemblages en systemen.
Naast hun thermische en mechanische voordelen bieden SiN Ceramics Plain Substrates uitstekende elektrische isolatie-eigenschappen. Dit zorgt voor minimale elektrische interferentie en draagt bij aan de algehele stabiliteit en efficiëntie van elektronische componenten, waardoor hun operationele levensduur wordt verlengd.
Door Semicera's SiN Ceramics Plain Substrates te selecteren, kiest u voor een product dat geavanceerde materiaalkunde combineert met eersteklas productie. Onze toewijding aan kwaliteit en innovatie garandeert dat u substraten ontvangt die voldoen aan de hoogste industrienormen en het succes van uw geavanceerde technologieprojecten ondersteunen.
Artikelen | Productie | Onderzoek | Dummie |
Kristalparameters | |||
Polytype | 4H | ||
Fout in oppervlakteoriëntatie | <11-20 >4±0,15° | ||
Elektrische parameters | |||
Doteringsmiddel | n-type stikstof | ||
Weerstand | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Mechanische parameters | |||
Diameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Dikte | 350±25 μm | ||
Primaire vlakke oriëntatie | [1-100]±5° | ||
Primaire platte lengte | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Secundaire flat | Geen | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
Boog | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Verdraaien | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Structuur | |||
Dichtheid van de micropijp | <1 stuk/cm2 | <10 stuks/cm2 | <15 stuks/cm2 |
Metaalonzuiverheden | ≤5E10 atomen/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 e/cm2 | ≤3000 e/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 e/cm2 | NA |
Front kwaliteit | |||
Voorkant | Si | ||
Oppervlakteafwerking | Si-face CMP | ||
Deeltjes | ≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm) | NA | |
Krassen | ≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter | Cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA |
Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging | Geen | NA | |
Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten | Geen | ||
Polytype-gebieden | Geen | Cumulatief gebied≤20% | Cumulatief gebied≤30% |
Lasermarkering aan de voorkant | Geen | ||
Terug Kwaliteit | |||
Afwerking achterkant | C-face CMP | ||
Krassen | ≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA | |
Rugdefecten (randchips/inkepingen) | Geen | ||
Ruwheid van de rug | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Lasermarkering op de achterkant | 1 mm (vanaf bovenrand) | ||
Rand | |||
Rand | Afschuining | ||
Verpakking | |||
Verpakking | Epi-ready met vacuümverpakking Verpakking met meerdere wafercassettes | ||
*Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD. |