Siliciumwafel

Korte beschrijving:

Semicera Silicon Wafers vormen de hoeksteen van moderne halfgeleiderapparaten en bieden ongeëvenaarde zuiverheid en precisie. Deze wafers zijn ontworpen om te voldoen aan de strenge eisen van de hightech-industrie en garanderen betrouwbare prestaties en consistente kwaliteit. Vertrouw op Semicera voor uw geavanceerde elektronische toepassingen en innovatieve technologische oplossingen.


Productdetail

Productlabels

Semicera Silicon Wafers zijn zorgvuldig vervaardigd om als basis te dienen voor een breed scala aan halfgeleiderapparaten, van microprocessors tot fotovoltaïsche cellen. Deze wafers zijn ontworpen met hoge precisie en zuiverheid, waardoor optimale prestaties in verschillende elektronische toepassingen worden gegarandeerd.

Semicera Silicon Wafers zijn vervaardigd met behulp van geavanceerde technieken en vertonen uitzonderlijke vlakheid en uniformiteit, die cruciaal zijn voor het bereiken van hoge opbrengsten bij de fabricage van halfgeleiders. Dit precisieniveau helpt bij het minimaliseren van defecten en het verbeteren van de algehele efficiëntie van elektronische componenten.

De superieure kwaliteit van Semicera Silicon Wafers komt tot uiting in hun elektrische eigenschappen, die bijdragen aan de verbeterde prestaties van halfgeleiderapparaten. Met lage onzuiverheidsniveaus en hoge kristalkwaliteit bieden deze wafers het ideale platform voor de ontwikkeling van hoogwaardige elektronica.

Semicera Silicon Wafers zijn verkrijgbaar in verschillende maten en specificaties en kunnen worden afgestemd op de specifieke behoeften van verschillende industrieën, waaronder computers, telecommunicatie en hernieuwbare energie. Of het nu gaat om grootschalige productie of gespecialiseerd onderzoek, deze wafers leveren betrouwbare resultaten.

Semicera streeft ernaar de groei en innovatie van de halfgeleiderindustrie te ondersteunen door hoogwaardige siliciumwafels te leveren die voldoen aan de hoogste industrienormen. Met een focus op precisie en betrouwbaarheid stelt Semicera fabrikanten in staat de grenzen van de technologie te verleggen, waardoor hun producten in de voorhoede van de markt blijven.

Artikelen

Productie

Onderzoek

Dummie

Kristalparameters

Polytype

4H

Fout in oppervlakteoriëntatie

<11-20 >4±0,15°

Elektrische parameters

Doteringsmiddel

n-type stikstof

Weerstand

0,015-0,025 ohm·cm

Mechanische parameters

Diameter

150,0 ± 0,2 mm

Dikte

350±25 μm

Primaire vlakke oriëntatie

[1-100]±5°

Primaire platte lengte

47,5 ± 1,5 mm

Secundaire flat

Geen

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5 mm * 5 mm)

≤5 μm (5 mm * 5 mm)

≤10 μm (5 mm * 5 mm)

Boog

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Verdraaien

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM)

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Structuur

Dichtheid van de micropijp

<1 stuk/cm2

<10 stuks/cm2

<15 stuks/cm2

Metaalonzuiverheden

≤5E10 atomen/cm2

NA

BPD

≤1500 e/cm2

≤3000 e/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 e/cm2

NA

Front kwaliteit

Voorkant

Si

Oppervlakteafwerking

Si-face CMP

Deeltjes

≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm)

NA

Krassen

≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter

Cumulatieve lengte≤2*Diameter

NA

Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging

Geen

NA

Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten

Geen

Polytype-gebieden

Geen

Cumulatief gebied≤20%

Cumulatief gebied≤30%

Lasermarkering aan de voorkant

Geen

Terug Kwaliteit

Afwerking achterkant

C-face CMP

Krassen

≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter

NA

Rugdefecten (randchips/inkepingen)

Geen

Ruwheid van de rug

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Lasermarkering op de achterkant

1 mm (vanaf bovenrand)

Rand

Rand

Afschuining

Verpakking

Verpakking

Epi-ready met vacuümverpakking

Verpakking met meerdere wafercassettes

*Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD.

tech_1_2_grootte
SiC-wafels

  • Vorig:
  • Volgende: