Semicera Silicon Wafers zijn zorgvuldig vervaardigd om als basis te dienen voor een breed scala aan halfgeleiderapparaten, van microprocessors tot fotovoltaïsche cellen. Deze wafers zijn ontworpen met hoge precisie en zuiverheid, waardoor optimale prestaties in verschillende elektronische toepassingen worden gegarandeerd.
Semicera Silicon Wafers zijn vervaardigd met behulp van geavanceerde technieken en vertonen uitzonderlijke vlakheid en uniformiteit, die cruciaal zijn voor het bereiken van hoge opbrengsten bij de fabricage van halfgeleiders. Dit precisieniveau helpt bij het minimaliseren van defecten en het verbeteren van de algehele efficiëntie van elektronische componenten.
De superieure kwaliteit van Semicera Silicon Wafers komt tot uiting in hun elektrische eigenschappen, die bijdragen aan de verbeterde prestaties van halfgeleiderapparaten. Met lage onzuiverheidsniveaus en hoge kristalkwaliteit bieden deze wafers het ideale platform voor de ontwikkeling van hoogwaardige elektronica.
Semicera Silicon Wafers zijn verkrijgbaar in verschillende maten en specificaties en kunnen worden afgestemd op de specifieke behoeften van verschillende industrieën, waaronder computers, telecommunicatie en hernieuwbare energie. Of het nu gaat om grootschalige productie of gespecialiseerd onderzoek, deze wafers leveren betrouwbare resultaten.
Semicera streeft ernaar de groei en innovatie van de halfgeleiderindustrie te ondersteunen door hoogwaardige siliciumwafels te leveren die voldoen aan de hoogste industrienormen. Met een focus op precisie en betrouwbaarheid stelt Semicera fabrikanten in staat de grenzen van de technologie te verleggen, waardoor hun producten in de voorhoede van de markt blijven.
Artikelen | Productie | Onderzoek | Dummie |
Kristalparameters | |||
Polytype | 4H | ||
Fout in oppervlakteoriëntatie | <11-20 >4±0,15° | ||
Elektrische parameters | |||
Doteringsmiddel | n-type stikstof | ||
Weerstand | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Mechanische parameters | |||
Diameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Dikte | 350±25 μm | ||
Primaire vlakke oriëntatie | [1-100]±5° | ||
Primaire platte lengte | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Secundaire flat | Geen | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
Boog | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Verdraaien | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Structuur | |||
Dichtheid van de micropijp | <1 stuk/cm2 | <10 stuks/cm2 | <15 stuks/cm2 |
Metaalonzuiverheden | ≤5E10 atomen/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 e/cm2 | ≤3000 e/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 e/cm2 | NA |
Front kwaliteit | |||
Voorkant | Si | ||
Oppervlakteafwerking | Si-face CMP | ||
Deeltjes | ≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm) | NA | |
Krassen | ≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter | Cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA |
Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging | Geen | NA | |
Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten | Geen | ||
Polytype-gebieden | Geen | Cumulatief gebied≤20% | Cumulatief gebied≤30% |
Lasermarkering aan de voorkant | Geen | ||
Terug Kwaliteit | |||
Afwerking achterkant | C-face CMP | ||
Krassen | ≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA | |
Rugdefecten (randchips/inkepingen) | Geen | ||
Ruwheid van de rug | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Lasermarkering op de achterkant | 1 mm (vanaf bovenrand) | ||
Rand | |||
Rand | Afschuining | ||
Verpakking | |||
Verpakking | Epi-ready met vacuümverpakking Verpakking met meerdere wafercassettes | ||
*Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD. |