Siliciumsubstraat

Korte beschrijving:

Semicera-siliciumsubstraten zijn nauwkeurig ontworpen voor hoogwaardige toepassingen in de elektronica- en halfgeleiderproductie. Met uitzonderlijke zuiverheid en uniformiteit zijn deze substraten ontworpen om geavanceerde technologische processen te ondersteunen. Semicera garandeert een consistente kwaliteit en betrouwbaarheid voor uw meest veeleisende projecten.


Productdetail

Productlabels

Semicera-siliciumsubstraten zijn vervaardigd om te voldoen aan de strenge eisen van de halfgeleiderindustrie en bieden ongeëvenaarde kwaliteit en precisie. Deze substraten bieden een betrouwbare basis voor diverse toepassingen, van geïntegreerde schakelingen tot fotovoltaïsche cellen, en zorgen voor optimale prestaties en een lange levensduur.

De hoge zuiverheid van Semicera Silicon Substraten zorgt voor minimale defecten en superieure elektrische eigenschappen, die cruciaal zijn voor de productie van uiterst efficiënte elektronische componenten. Dit zuiverheidsniveau helpt bij het verminderen van energieverlies en het verbeteren van de algehele efficiëntie van halfgeleiderapparaten.

Semicera maakt gebruik van de modernste productietechnieken om siliciumsubstraten met uitzonderlijke uniformiteit en vlakheid te produceren. Deze precisie is essentieel voor het bereiken van consistente resultaten bij de fabricage van halfgeleiders, waarbij zelfs de kleinste variatie de prestaties en opbrengst van apparaten kan beïnvloeden.

Semicera Silicon Substrates zijn verkrijgbaar in verschillende maten en specificaties en voorzien in een breed scala aan industriële behoeften. Of u nu geavanceerde microprocessors of zonnepanelen ontwikkelt, deze substraten bieden de flexibiliteit en betrouwbaarheid die nodig zijn voor uw specifieke toepassing.

Semicera zet zich in voor het ondersteunen van innovatie en efficiëntie in de halfgeleiderindustrie. Door hoogwaardige siliciumsubstraten te leveren, stellen we fabrikanten in staat de grenzen van de technologie te verleggen en producten te leveren die voldoen aan de veranderende eisen van de markt. Vertrouw op Semicera voor uw elektronische en fotovoltaïsche oplossingen van de volgende generatie.

Artikelen

Productie

Onderzoek

Dummie

Kristalparameters

Polytype

4H

Fout in oppervlakteoriëntatie

<11-20 >4±0,15°

Elektrische parameters

Doteringsmiddel

n-type stikstof

Weerstand

0,015-0,025 ohm·cm

Mechanische parameters

Diameter

150,0 ± 0,2 mm

Dikte

350±25 μm

Primaire vlakke oriëntatie

[1-100]±5°

Primaire platte lengte

47,5 ± 1,5 mm

Secundaire flat

Geen

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5 mm * 5 mm)

≤5 μm (5 mm * 5 mm)

≤10 μm (5 mm * 5 mm)

Boog

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Verdraaien

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM)

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Structuur

Dichtheid van de micropijp

<1 stuk/cm2

<10 stuks/cm2

<15 stuks/cm2

Metaalonzuiverheden

≤5E10 atomen/cm2

NA

BPD

≤1500 e/cm2

≤3000 e/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 e/cm2

NA

Front kwaliteit

Voorkant

Si

Oppervlakteafwerking

Si-face CMP

Deeltjes

≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm)

NA

Krassen

≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter

Cumulatieve lengte≤2*Diameter

NA

Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging

Geen

NA

Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten

Geen

Polytype-gebieden

Geen

Cumulatief gebied≤20%

Cumulatief gebied≤30%

Lasermarkering aan de voorkant

Geen

Terug Kwaliteit

Afwerking achterkant

C-face CMP

Krassen

≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter

NA

Rugdefecten (randchips/inkepingen)

Geen

Ruwheid van de rug

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Lasermarkering op de achterkant

1 mm (vanaf bovenrand)

Rand

Rand

Afschuining

Verpakking

Verpakking

Epi-ready met vacuümverpakking

Verpakking met meerdere wafercassettes

*Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD.

tech_1_2_grootte
SiC-wafels

  • Vorig:
  • Volgende: