Semicera-siliciumsubstraten zijn vervaardigd om te voldoen aan de strenge eisen van de halfgeleiderindustrie en bieden ongeëvenaarde kwaliteit en precisie. Deze substraten bieden een betrouwbare basis voor diverse toepassingen, van geïntegreerde schakelingen tot fotovoltaïsche cellen, en zorgen voor optimale prestaties en een lange levensduur.
De hoge zuiverheid van Semicera Silicon Substraten zorgt voor minimale defecten en superieure elektrische eigenschappen, die cruciaal zijn voor de productie van uiterst efficiënte elektronische componenten. Dit zuiverheidsniveau helpt bij het verminderen van energieverlies en het verbeteren van de algehele efficiëntie van halfgeleiderapparaten.
Semicera maakt gebruik van de modernste productietechnieken om siliciumsubstraten met uitzonderlijke uniformiteit en vlakheid te produceren. Deze precisie is essentieel voor het bereiken van consistente resultaten bij de fabricage van halfgeleiders, waarbij zelfs de kleinste variatie de prestaties en opbrengst van apparaten kan beïnvloeden.
Semicera Silicon Substrates zijn verkrijgbaar in verschillende maten en specificaties en voorzien in een breed scala aan industriële behoeften. Of u nu geavanceerde microprocessors of zonnepanelen ontwikkelt, deze substraten bieden de flexibiliteit en betrouwbaarheid die nodig zijn voor uw specifieke toepassing.
Semicera zet zich in voor het ondersteunen van innovatie en efficiëntie in de halfgeleiderindustrie. Door hoogwaardige siliciumsubstraten te leveren, stellen we fabrikanten in staat de grenzen van de technologie te verleggen en producten te leveren die voldoen aan de veranderende eisen van de markt. Vertrouw op Semicera voor uw elektronische en fotovoltaïsche oplossingen van de volgende generatie.
Artikelen | Productie | Onderzoek | Dummie |
Kristalparameters | |||
Polytype | 4H | ||
Fout in oppervlakteoriëntatie | <11-20 >4±0,15° | ||
Elektrische parameters | |||
Doteringsmiddel | n-type stikstof | ||
Weerstand | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Mechanische parameters | |||
Diameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Dikte | 350±25 μm | ||
Primaire vlakke oriëntatie | [1-100]±5° | ||
Primaire platte lengte | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Secundaire flat | Geen | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
Boog | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Verdraaien | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Structuur | |||
Dichtheid van de micropijp | <1 stuk/cm2 | <10 stuks/cm2 | <15 stuks/cm2 |
Metaalonzuiverheden | ≤5E10 atomen/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 e/cm2 | ≤3000 e/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 e/cm2 | NA |
Front kwaliteit | |||
Voorkant | Si | ||
Oppervlakteafwerking | Si-face CMP | ||
Deeltjes | ≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm) | NA | |
Krassen | ≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter | Cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA |
Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging | Geen | NA | |
Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten | Geen | ||
Polytype-gebieden | Geen | Cumulatief gebied≤20% | Cumulatief gebied≤30% |
Lasermarkering aan de voorkant | Geen | ||
Terug Kwaliteit | |||
Afwerking achterkant | C-face CMP | ||
Krassen | ≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA | |
Rugdefecten (randchips/inkepingen) | Geen | ||
Ruwheid van de rug | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Lasermarkering op de achterkant | 1 mm (vanaf bovenrand) | ||
Rand | |||
Rand | Afschuining | ||
Verpakking | |||
Verpakking | Epi-ready met vacuümverpakking Verpakking met meerdere wafercassettes | ||
*Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD. |