Silicium op isolatiewafel

Korte beschrijving:

Semicera's Silicon On Insulator (SOI) Wafer biedt uitzonderlijke elektrische isolatie en thermisch beheer voor hoogwaardige toepassingen. Deze wafers zijn ontworpen om superieure apparaatefficiëntie en betrouwbaarheid te leveren en zijn een uitstekende keuze voor geavanceerde halfgeleidertechnologie. Kies Semicera voor geavanceerde SOI-waferoplossingen.


Productdetail

Productlabels

De Silicon On Insulator (SOI) Wafer van Semicera loopt voorop op het gebied van halfgeleiderinnovatie en biedt verbeterde elektrische isolatie en superieure thermische prestaties. De SOI-structuur, bestaande uit een dunne siliciumlaag op een isolerend substraat, biedt cruciale voordelen voor hoogwaardige elektronische apparaten.

Onze SOI-wafels zijn ontworpen om parasitaire capaciteit en lekstromen te minimaliseren, wat essentieel is voor de ontwikkeling van geïntegreerde schakelingen met hoge snelheid en laag vermogen. Deze geavanceerde technologie zorgt ervoor dat apparaten efficiënter werken, met een hogere snelheid en een lager energieverbruik, cruciaal voor moderne elektronica.

De geavanceerde productieprocessen van Semicera garanderen de productie van SOI-wafels met uitstekende uniformiteit en consistentie. Deze kwaliteit is van vitaal belang voor toepassingen in de telecommunicatie, auto-industrie en consumentenelektronica, waar betrouwbare en hoogwaardige componenten vereist zijn.

Naast hun elektrische voordelen bieden de SOI-wafels van Semicera superieure thermische isolatie, waardoor de warmteafvoer en stabiliteit in apparaten met hoge dichtheid en hoog vermogen worden verbeterd. Deze functie is vooral waardevol bij toepassingen waarbij sprake is van een aanzienlijke warmteontwikkeling en die een effectief thermisch beheer vereisen.

Door te kiezen voor Silicon On Insulator Wafer van Semicera investeert u in een product dat de vooruitgang van de allernieuwste technologieën ondersteunt. Onze toewijding aan kwaliteit en innovatie zorgt ervoor dat onze SOI-wafers voldoen aan de strenge eisen van de hedendaagse halfgeleiderindustrie en zo de basis vormen voor elektronische apparaten van de volgende generatie.

Artikelen

Productie

Onderzoek

Dummie

Kristalparameters

Polytype

4H

Fout in oppervlakteoriëntatie

<11-20 >4±0,15°

Elektrische parameters

Doteringsmiddel

n-type stikstof

Weerstand

0,015-0,025 ohm·cm

Mechanische parameters

Diameter

150,0 ± 0,2 mm

Dikte

350±25 μm

Primaire vlakke oriëntatie

[1-100]±5°

Primaire platte lengte

47,5 ± 1,5 mm

Secundaire flat

Geen

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5 mm * 5 mm)

≤5 μm (5 mm * 5 mm)

≤10 μm (5 mm * 5 mm)

Boog

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Verdraaien

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM)

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Structuur

Dichtheid van de micropijp

<1 stuk/cm2

<10 stuks/cm2

<15 stuks/cm2

Metaalonzuiverheden

≤5E10 atomen/cm2

NA

BPD

≤1500 e/cm2

≤3000 e/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 e/cm2

NA

Front kwaliteit

Voorkant

Si

Oppervlakteafwerking

Si-face CMP

Deeltjes

≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm)

NA

Krassen

≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter

Cumulatieve lengte≤2*Diameter

NA

Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging

Geen

NA

Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten

Geen

Polytype-gebieden

Geen

Cumulatief gebied≤20%

Cumulatief gebied≤30%

Lasermarkering aan de voorkant

Geen

Terug Kwaliteit

Afwerking achterkant

C-face CMP

Krassen

≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter

NA

Rugdefecten (randchips/inkepingen)

Geen

Ruwheid van de rug

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Lasermarkering op de achterkant

1 mm (vanaf bovenrand)

Rand

Rand

Afschuining

Verpakking

Verpakking

Epi-ready met vacuümverpakking

Verpakking met meerdere wafercassettes

*Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD.

tech_1_2_grootte
SiC-wafels

  • Vorig:
  • Volgende: