De Silicon On Insulator (SOI) Wafer van Semicera loopt voorop op het gebied van halfgeleiderinnovatie en biedt verbeterde elektrische isolatie en superieure thermische prestaties. De SOI-structuur, bestaande uit een dunne siliciumlaag op een isolerend substraat, biedt cruciale voordelen voor hoogwaardige elektronische apparaten.
Onze SOI-wafels zijn ontworpen om parasitaire capaciteit en lekstromen te minimaliseren, wat essentieel is voor de ontwikkeling van geïntegreerde schakelingen met hoge snelheid en laag vermogen. Deze geavanceerde technologie zorgt ervoor dat apparaten efficiënter werken, met een hogere snelheid en een lager energieverbruik, cruciaal voor moderne elektronica.
De geavanceerde productieprocessen van Semicera garanderen de productie van SOI-wafels met uitstekende uniformiteit en consistentie. Deze kwaliteit is van vitaal belang voor toepassingen in de telecommunicatie, auto-industrie en consumentenelektronica, waar betrouwbare en hoogwaardige componenten vereist zijn.
Naast hun elektrische voordelen bieden de SOI-wafels van Semicera superieure thermische isolatie, waardoor de warmteafvoer en stabiliteit in apparaten met hoge dichtheid en hoog vermogen worden verbeterd. Deze functie is vooral waardevol bij toepassingen waarbij sprake is van een aanzienlijke warmteontwikkeling en die een effectief thermisch beheer vereisen.
Door te kiezen voor Silicon On Insulator Wafer van Semicera investeert u in een product dat de vooruitgang van de allernieuwste technologieën ondersteunt. Onze toewijding aan kwaliteit en innovatie zorgt ervoor dat onze SOI-wafers voldoen aan de strenge eisen van de hedendaagse halfgeleiderindustrie en zo de basis vormen voor elektronische apparaten van de volgende generatie.
Artikelen | Productie | Onderzoek | Dummie |
Kristalparameters | |||
Polytype | 4H | ||
Fout in oppervlakteoriëntatie | <11-20 >4±0,15° | ||
Elektrische parameters | |||
Doteringsmiddel | n-type stikstof | ||
Weerstand | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Mechanische parameters | |||
Diameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Dikte | 350±25 μm | ||
Primaire vlakke oriëntatie | [1-100]±5° | ||
Primaire platte lengte | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Secundaire flat | Geen | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
Boog | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Verdraaien | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Structuur | |||
Dichtheid van de micropijp | <1 stuk/cm2 | <10 stuks/cm2 | <15 stuks/cm2 |
Metaalonzuiverheden | ≤5E10 atomen/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 e/cm2 | ≤3000 e/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 e/cm2 | NA |
Front kwaliteit | |||
Voorkant | Si | ||
Oppervlakteafwerking | Si-face CMP | ||
Deeltjes | ≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm) | NA | |
Krassen | ≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter | Cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA |
Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging | Geen | NA | |
Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten | Geen | ||
Polytype-gebieden | Geen | Cumulatief gebied≤20% | Cumulatief gebied≤30% |
Lasermarkering aan de voorkant | Geen | ||
Terug Kwaliteit | |||
Afwerking achterkant | C-face CMP | ||
Krassen | ≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA | |
Rugdefecten (randchips/inkepingen) | Geen | ||
Ruwheid van de rug | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Lasermarkering op de achterkant | 1 mm (vanaf bovenrand) | ||
Rand | |||
Rand | Afschuining | ||
Verpakking | |||
Verpakking | Epi-ready met vacuümverpakking Verpakking met meerdere wafercassettes | ||
*Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD. |