Het siliciumnitride-keramische substraat van Semicera vertegenwoordigt het toppunt van geavanceerde materiaaltechnologie en biedt uitzonderlijke thermische geleidbaarheid en robuuste mechanische eigenschappen. Dit substraat is ontworpen voor hoogwaardige toepassingen en blinkt uit in omgevingen die een betrouwbaar thermisch beheer en structurele integriteit vereisen.
Onze siliciumnitride-keramische substraten zijn ontworpen om extreme temperaturen en zware omstandigheden te weerstaan, waardoor ze ideaal zijn voor elektronische apparaten met hoog vermogen en hoge frequentie. Hun superieure thermische geleidbaarheid zorgt voor een efficiënte warmteafvoer, wat cruciaal is voor het behoud van de prestaties en levensduur van elektronische componenten.
De toewijding van Semicera aan kwaliteit komt duidelijk tot uiting in elk siliciumnitride-keramisch substraat dat we produceren. Elk substraat wordt vervaardigd met behulp van de modernste processen om consistente prestaties en minimale defecten te garanderen. Dit hoge niveau van precisie ondersteunt de strenge eisen van industrieën zoals de automobielsector, de lucht- en ruimtevaart en de telecommunicatie.
Naast hun thermische en mechanische voordelen bieden onze substraten uitstekende elektrische isolatie-eigenschappen, die bijdragen aan de algehele betrouwbaarheid van uw elektronische apparaten. Door elektrische interferentie te verminderen en de stabiliteit van componenten te verbeteren, spelen Semicera's keramische siliciumnitride-substraten een cruciale rol bij het optimaliseren van de apparaatprestaties.
Kiezen voor het siliciumnitride-keramische substraat van Semicera betekent investeren in een product dat zowel hoge prestaties als duurzaamheid levert. Onze substraten zijn ontworpen om te voldoen aan de behoeften van geavanceerde elektronische toepassingen en zorgen ervoor dat uw apparaten profiteren van de allernieuwste materiaaltechnologie en uitzonderlijke betrouwbaarheid.
Artikelen | Productie | Onderzoek | Dummie |
Kristalparameters | |||
Polytype | 4H | ||
Fout in oppervlakteoriëntatie | <11-20 >4±0,15° | ||
Elektrische parameters | |||
Doteringsmiddel | n-type stikstof | ||
Weerstand | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Mechanische parameters | |||
Diameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Dikte | 350±25 μm | ||
Primaire vlakke oriëntatie | [1-100]±5° | ||
Primaire platte lengte | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Secundaire flat | Geen | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
Boog | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Verdraaien | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Structuur | |||
Dichtheid van de micropijp | <1 stuk/cm2 | <10 stuks/cm2 | <15 stuks/cm2 |
Metaalonzuiverheden | ≤5E10 atomen/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 e/cm2 | ≤3000 e/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 e/cm2 | NA |
Front kwaliteit | |||
Voorkant | Si | ||
Oppervlakteafwerking | Si-face CMP | ||
Deeltjes | ≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm) | NA | |
Krassen | ≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter | Cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA |
Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging | Geen | NA | |
Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten | Geen | ||
Polytype-gebieden | Geen | Cumulatief gebied≤20% | Cumulatief gebied≤30% |
Lasermarkering aan de voorkant | Geen | ||
Terug Kwaliteit | |||
Afwerking achterkant | C-face CMP | ||
Krassen | ≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA | |
Rugdefecten (randchips/inkepingen) | Geen | ||
Ruwheid van de rug | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Lasermarkering op de achterkant | 1 mm (vanaf bovenrand) | ||
Rand | |||
Rand | Afschuining | ||
Verpakking | |||
Verpakking | Epi-ready met vacuümverpakking Verpakking met meerdere wafercassettes | ||
*Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD. |