Siliciumnitride keramisch substraat

Korte beschrijving:

Semicera's siliciumnitride-keramisch substraat biedt uitstekende thermische geleidbaarheid en hoge mechanische sterkte voor veeleisende elektronische toepassingen. Deze substraten zijn ontworpen met het oog op betrouwbaarheid en efficiëntie en zijn ideaal voor apparaten met een hoog vermogen en hoge frequentie. Vertrouw op Semicera voor superieure prestaties in keramische substraattechnologie.


Productdetail

Productlabels

Het siliciumnitride-keramische substraat van Semicera vertegenwoordigt het toppunt van geavanceerde materiaaltechnologie en biedt uitzonderlijke thermische geleidbaarheid en robuuste mechanische eigenschappen. Dit substraat is ontworpen voor hoogwaardige toepassingen en blinkt uit in omgevingen die een betrouwbaar thermisch beheer en structurele integriteit vereisen.

Onze siliciumnitride-keramische substraten zijn ontworpen om extreme temperaturen en zware omstandigheden te weerstaan, waardoor ze ideaal zijn voor elektronische apparaten met hoog vermogen en hoge frequentie. Hun superieure thermische geleidbaarheid zorgt voor een efficiënte warmteafvoer, wat cruciaal is voor het behoud van de prestaties en levensduur van elektronische componenten.

De toewijding van Semicera aan kwaliteit komt duidelijk tot uiting in elk siliciumnitride-keramisch substraat dat we produceren. Elk substraat wordt vervaardigd met behulp van de modernste processen om consistente prestaties en minimale defecten te garanderen. Dit hoge niveau van precisie ondersteunt de strenge eisen van industrieën zoals de automobielsector, de lucht- en ruimtevaart en de telecommunicatie.

Naast hun thermische en mechanische voordelen bieden onze substraten uitstekende elektrische isolatie-eigenschappen, die bijdragen aan de algehele betrouwbaarheid van uw elektronische apparaten. Door elektrische interferentie te verminderen en de stabiliteit van componenten te verbeteren, spelen Semicera's keramische siliciumnitride-substraten een cruciale rol bij het optimaliseren van de apparaatprestaties.

Kiezen voor het siliciumnitride-keramische substraat van Semicera betekent investeren in een product dat zowel hoge prestaties als duurzaamheid levert. Onze substraten zijn ontworpen om te voldoen aan de behoeften van geavanceerde elektronische toepassingen en zorgen ervoor dat uw apparaten profiteren van de allernieuwste materiaaltechnologie en uitzonderlijke betrouwbaarheid.

Artikelen

Productie

Onderzoek

Dummie

Kristalparameters

Polytype

4H

Fout in oppervlakteoriëntatie

<11-20 >4±0,15°

Elektrische parameters

Doteringsmiddel

n-type stikstof

Weerstand

0,015-0,025 ohm·cm

Mechanische parameters

Diameter

150,0 ± 0,2 mm

Dikte

350±25 μm

Primaire vlakke oriëntatie

[1-100]±5°

Primaire platte lengte

47,5 ± 1,5 mm

Secundaire flat

Geen

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5 mm * 5 mm)

≤5 μm (5 mm * 5 mm)

≤10 μm (5 mm * 5 mm)

Boog

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Verdraaien

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM)

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Structuur

Dichtheid van de micropijp

<1 stuk/cm2

<10 stuks/cm2

<15 stuks/cm2

Metaalonzuiverheden

≤5E10 atomen/cm2

NA

BPD

≤1500 e/cm2

≤3000 e/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 e/cm2

NA

Front kwaliteit

Voorkant

Si

Oppervlakteafwerking

Si-face CMP

Deeltjes

≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm)

NA

Krassen

≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter

Cumulatieve lengte≤2*Diameter

NA

Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging

Geen

NA

Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten

Geen

Polytype-gebieden

Geen

Cumulatief gebied≤20%

Cumulatief gebied≤30%

Lasermarkering aan de voorkant

Geen

Terug Kwaliteit

Afwerking achterkant

C-face CMP

Krassen

≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter

NA

Rugdefecten (randchips/inkepingen)

Geen

Ruwheid van de rug

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Lasermarkering op de achterkant

1 mm (vanaf bovenrand)

Rand

Rand

Afschuining

Verpakking

Verpakking

Epi-ready met vacuümverpakking

Verpakking met meerdere wafercassettes

*Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD.

tech_1_2_grootte
SiC-wafels

  • Vorig:
  • Volgende: