Productoverzicht
DeMet silicium geïmpregneerde siliciumcarbide (SiC) schoepen- en waferdrageris ontworpen om te voldoen aan de veeleisende eisen van thermische halfgeleiderverwerkingstoepassingen. Dit product is gemaakt van zeer zuiver SiC en verbeterd door middel van siliciumimpregnatie en biedt een unieke combinatie van prestaties bij hoge temperaturen, uitstekende thermische geleidbaarheid, corrosieweerstand en uitstekende mechanische sterkte.
Door geavanceerde materiaalwetenschap te integreren met precisieproductie, zorgt deze oplossing voor superieure prestaties, betrouwbaarheid en duurzaamheid voor halfgeleiderfabrikanten.
Belangrijkste kenmerken
1.Uitzonderlijke weerstand tegen hoge temperaturen
Met een smeltpunt hoger dan 2700°C zijn SiC-materialen inherent stabiel onder extreme hitte. Impregnatie met silicium verbetert hun thermische stabiliteit verder, waardoor ze langdurige blootstelling aan hoge temperaturen kunnen weerstaan zonder structurele verzwakking of prestatieverlies.
2.Superieure thermische geleidbaarheid
De uitzonderlijke thermische geleidbaarheid van met silicium geïmpregneerd SiC zorgt voor een uniforme warmteverdeling, waardoor thermische spanningen tijdens kritische verwerkingsfasen worden verminderd. Deze eigenschap verlengt de levensduur van de apparatuur en minimaliseert productiestilstand, waardoor deze ideaal is voor thermische verwerking bij hoge temperaturen.
3.Oxidatie- en corrosiebestendigheid
Er vormt zich op natuurlijke wijze een robuuste siliciumoxidelaag op het oppervlak, die uitstekende weerstand biedt tegen oxidatie en corrosie. Dit zorgt voor langdurige betrouwbaarheid in zware gebruiksomstandigheden, waarbij zowel het materiaal als de omliggende componenten worden beschermd.
4.Hoge mechanische sterkte en slijtvastheid
Met silicium geïmpregneerd SiC beschikt over uitstekende druksterkte en slijtvastheid, waardoor de structurele integriteit behouden blijft onder omstandigheden van hoge belasting en hoge temperaturen. Dit vermindert het risico op slijtagegerelateerde schade en zorgt voor consistente prestaties gedurende langere gebruikscycli.
Specificaties
| Productnaam | SC-RSiC-Si |
| Materiaal | Siliciumimpregnatie Siliciumcarbide Compact (hoge zuiverheid) |
| Toepassingen | Onderdelen voor warmtebehandeling van halfgeleiders, onderdelen voor halfgeleiderproductieapparatuur |
| Leveringsvorm | Gevormd lichaam (gesinterd lichaam) |
| Samenstelling | Mechanische eigendom | Young-modulus (GPa) | Buigsterkte (MPa) | ||
| Samenstelling (vol%) | α-SiC | α-SiC | RT | 370 | 250 |
| 82 | 18 | 800°C | 360 | 220 | |
| Bulkdichtheid (kg/m³) | 3,02 x 103 | 1200°C | 340 | 220 | |
| Hittebestendige temperatuur°C | 1350 | Poisson-ratio | 0,18(RT) | ||
| Thermische eigenschap | Thermische geleidbaarheid (W/(m · K)) | Specifieke warmtecapaciteit (kJ/(kg·K)) | Coëfficiënt van thermische uitzetting (1/K) | ||
| RT | 220 | 0,7 | RT~700°C | 3,4 x 10-6 | |
| 700°C | 60 | 1.23 | 700~1200°C | 4,3x10-6 | |
| Onzuiverheidsgehalte ((ppm) | |||||||||||||
| Element | Fe | Ni | Na | K | Mg | Ca | Cr | Mn | Zn | Cu | Ti | Va | Ai |
| Inhoudstarief | 3 | <2 | <0,5 | <0,1 | <1 | 5 | 0,3 | <0,1 | <0,1 | <0,1 | <0,3 | <0,3 | 25 |
Toepassingen
▪Halfgeleider thermische verwerking:Ideaal voor processen zoals chemische dampafzetting (CVD), epitaxiale groei en gloeien, waarbij nauwkeurige temperatuurregeling en materiaalduurzaamheid van cruciaal belang zijn.
▪Waferdragers en peddels:Ontworpen om wafers veilig vast te houden en te transporteren tijdens thermische behandelingen bij hoge temperaturen.
▪Extreme gebruiksomgevingen: Geschikt voor omgevingen die weerstand vereisen tegen hitte, blootstelling aan chemicaliën en mechanische belasting.
Voordelen van met silicium geïmpregneerd SiC
De combinatie van zeer zuiver siliciumcarbide en geavanceerde siliciumimpregnatietechnologie levert ongeëvenaarde prestatievoordelen op:
▪Precisie:Verbetert de nauwkeurigheid en controle van halfgeleiderverwerking.
▪Stabiliteit:Bestand tegen zware omstandigheden zonder afbreuk te doen aan de functionaliteit.
▪Levensduur:Verlengt de levensduur van halfgeleiderproductieapparatuur.
▪Efficiëntie:Verbetert de productiviteit door betrouwbare en consistente resultaten te garanderen.
Waarom kiezen voor onze met silicium geïmpregneerde SiC-oplossingen?
At Semicera, zijn wij gespecialiseerd in het leveren van hoogwaardige oplossingen die zijn afgestemd op de behoeften van halfgeleiderfabrikanten. Onze met silicium geïmpregneerde siliciumcarbide schoepen en waferdragers ondergaan strenge tests en kwaliteitsborging om aan de industrienormen te voldoen. Door voor Semicera te kiezen, krijgt u toegang tot geavanceerde materialen die zijn ontworpen om uw productieprocessen te optimaliseren en uw productiemogelijkheden te verbeteren.
Technische specificaties
▪Materiaalsamenstelling:Hoogzuiver siliciumcarbide met siliciumimpregnering.
▪Bedrijfstemperatuurbereik:Tot 2700°C.
▪ Thermische geleidbaarheid:Uitzonderlijk hoog voor gelijkmatige warmteverdeling.
▪Weerstandseigenschappen:Oxidatie, corrosie en slijtvast.
▪Toepassingen:Compatibel met verschillende thermische halfgeleidersystemen.
Neem contact met ons op
Klaar om uw halfgeleiderproductieproces naar een hoger niveau te tillen? ContactSemiceravandaag nog voor meer informatie over onze met silicium geïmpregneerde siliciumcarbide peddel- en waferdrager.
▪E-mail: sales01@semi-cera.com/sales05@semi-cera.com
▪Telefoon: +86-0574-8650 3783
▪Locatie:No.1958 Jiangnan Road, Ningbo Hightech, Zone, provincie Zhejiang, 315201, China
