De Silicon Film van Semicera is een hoogwaardig, nauwkeurig vervaardigd materiaal dat is ontworpen om te voldoen aan de strenge eisen van de halfgeleiderindustrie. Deze dunnefilmoplossing is vervaardigd uit puur silicium en biedt uitstekende uniformiteit, hoge zuiverheid en uitzonderlijke elektrische en thermische eigenschappen. Het is ideaal voor gebruik in verschillende halfgeleidertoepassingen, waaronder de productie van Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate en Epi-Wafer. Semicera's Silicon Film zorgt voor betrouwbare en consistente prestaties, waardoor het een essentieel materiaal is voor geavanceerde micro-elektronica.
Superieure kwaliteit en prestaties voor de productie van halfgeleiders
Semicera's Silicon Film staat bekend om zijn uitstekende mechanische sterkte, hoge thermische stabiliteit en lage defectpercentages, die allemaal cruciaal zijn bij de fabricage van hoogwaardige halfgeleiders. Of de film nu wordt gebruikt bij de productie van Gallium Oxide (Ga2O3)-apparaten, AlN Wafer of Epi-Wafers, biedt een sterke basis voor dunnefilmafzetting en epitaxiale groei. De compatibiliteit met andere halfgeleidersubstraten zoals SiC Substrate en SOI Wafers zorgt voor een naadloze integratie in bestaande productieprocessen, waardoor hoge opbrengsten en een consistente productkwaliteit behouden blijven.
Toepassingen in de halfgeleiderindustrie
In de halfgeleiderindustrie wordt Semicera's siliciumfilm gebruikt in een breed scala aan toepassingen, van de productie van Si Wafer en SOI Wafer tot meer gespecialiseerde toepassingen zoals het maken van SiN-substraten en het maken van Epi-Wafers. De hoge zuiverheid en precisie van deze film maken het essentieel bij de productie van geavanceerde componenten die in alles worden gebruikt, van microprocessors en geïntegreerde schakelingen tot opto-elektronische apparaten.
De siliciumfilm speelt een cruciale rol in halfgeleiderprocessen zoals epitaxiale groei, waferbinding en dunnefilmafzetting. De betrouwbare eigenschappen zijn vooral waardevol voor industrieën die een zeer gecontroleerde omgeving vereisen, zoals cleanrooms in halfgeleiderfabrieken. Bovendien kan de Silicon Film worden geïntegreerd in cassettesystemen voor een efficiënte behandeling en transport van wafers tijdens de productie.
Betrouwbaarheid en consistentie op lange termijn
Een van de belangrijkste voordelen van het gebruik van Semicera's Silicon Film is de betrouwbaarheid op lange termijn. Met zijn uitstekende duurzaamheid en consistente kwaliteit biedt deze film een betrouwbare oplossing voor productieomgevingen met grote volumes. Of het nu wordt gebruikt in uiterst nauwkeurige halfgeleiderapparaten of geavanceerde elektronische toepassingen, Semicera's Silicon Film zorgt ervoor dat fabrikanten hoge prestaties en betrouwbaarheid kunnen bereiken voor een breed scala aan producten.
Waarom kiezen voor de siliciumfilm van Semicera?
De Silicon Film van Semicera is een essentieel materiaal voor geavanceerde toepassingen in de halfgeleiderindustrie. De hoogwaardige eigenschappen, waaronder uitstekende thermische stabiliteit, hoge zuiverheid en mechanische sterkte, maken het de ideale keuze voor fabrikanten die de hoogste normen bij de productie van halfgeleiders willen bereiken. Van Si Wafer en SiC-substraat tot de productie van Gallium Oxide Ga2O3-apparaten: deze film levert ongeëvenaarde kwaliteit en prestaties.
Met Silicon Film van Semicera kunt u vertrouwen op een product dat voldoet aan de behoeften van de moderne halfgeleiderproductie en een betrouwbare basis biedt voor de volgende generatie elektronica.
Artikelen | Productie | Onderzoek | Dummie |
Kristalparameters | |||
Polytype | 4H | ||
Fout in oppervlakteoriëntatie | <11-20 >4±0,15° | ||
Elektrische parameters | |||
Doteringsmiddel | n-type stikstof | ||
Weerstand | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Mechanische parameters | |||
Diameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Dikte | 350±25 μm | ||
Primaire vlakke oriëntatie | [1-100]±5° | ||
Primaire platte lengte | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Secundaire flat | Geen | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
Boog | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Verdraaien | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Structuur | |||
Dichtheid van de micropijp | <1 stuk/cm2 | <10 stuks/cm2 | <15 stuks/cm2 |
Metaalonzuiverheden | ≤5E10 atomen/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 e/cm2 | ≤3000 e/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 e/cm2 | NA |
Front kwaliteit | |||
Voorkant | Si | ||
Oppervlakteafwerking | Si-face CMP | ||
Deeltjes | ≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm) | NA | |
Krassen | ≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter | Cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA |
Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging | Geen | NA | |
Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten | Geen | ||
Polytype-gebieden | Geen | Cumulatief gebied≤20% | Cumulatief gebied≤30% |
Lasermarkering aan de voorkant | Geen | ||
Terug Kwaliteit | |||
Afwerking achterkant | C-face CMP | ||
Krassen | ≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA | |
Rugdefecten (randchips/inkepingen) | Geen | ||
Ruwheid van de rug | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Lasermarkering op de achterkant | 1 mm (vanaf bovenrand) | ||
Rand | |||
Rand | Afschuining | ||
Verpakking | |||
Verpakking | Epi-ready met vacuümverpakking Verpakking met meerdere wafercassettes | ||
*Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD. |