Siliciumfilm

Korte beschrijving:

De Silicon Film van Semicera is een hoogwaardig materiaal dat is ontworpen voor een verscheidenheid aan geavanceerde toepassingen in de halfgeleider- en elektronica-industrie. Deze film is gemaakt van hoogwaardig silicium en biedt uitzonderlijke uniformiteit, thermische stabiliteit en elektrische eigenschappen, waardoor het een ideale oplossing is voor dunnefilmdepositie, MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) en de fabricage van halfgeleiderapparaten.


Productdetail

Productlabels

De Silicon Film van Semicera is een hoogwaardig, nauwkeurig vervaardigd materiaal dat is ontworpen om te voldoen aan de strenge eisen van de halfgeleiderindustrie. Deze dunnefilmoplossing is vervaardigd uit puur silicium en biedt uitstekende uniformiteit, hoge zuiverheid en uitzonderlijke elektrische en thermische eigenschappen. Het is ideaal voor gebruik in verschillende halfgeleidertoepassingen, waaronder de productie van Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate en Epi-Wafer. Semicera's Silicon Film zorgt voor betrouwbare en consistente prestaties, waardoor het een essentieel materiaal is voor geavanceerde micro-elektronica.

Superieure kwaliteit en prestaties voor de productie van halfgeleiders

Semicera's Silicon Film staat bekend om zijn uitstekende mechanische sterkte, hoge thermische stabiliteit en lage defectpercentages, die allemaal cruciaal zijn bij de fabricage van hoogwaardige halfgeleiders. Of de film nu wordt gebruikt bij de productie van Gallium Oxide (Ga2O3)-apparaten, AlN Wafer of Epi-Wafers, biedt een sterke basis voor dunnefilmafzetting en epitaxiale groei. De compatibiliteit met andere halfgeleidersubstraten zoals SiC Substrate en SOI Wafers zorgt voor een naadloze integratie in bestaande productieprocessen, waardoor hoge opbrengsten en een consistente productkwaliteit behouden blijven.

Toepassingen in de halfgeleiderindustrie

In de halfgeleiderindustrie wordt Semicera's siliciumfilm gebruikt in een breed scala aan toepassingen, van de productie van Si Wafer en SOI Wafer tot meer gespecialiseerde toepassingen zoals het maken van SiN-substraten en het maken van Epi-Wafers. De hoge zuiverheid en precisie van deze film maken het essentieel bij de productie van geavanceerde componenten die in alles worden gebruikt, van microprocessors en geïntegreerde schakelingen tot opto-elektronische apparaten.

De siliciumfilm speelt een cruciale rol in halfgeleiderprocessen zoals epitaxiale groei, waferbinding en dunnefilmafzetting. De betrouwbare eigenschappen zijn vooral waardevol voor industrieën die een zeer gecontroleerde omgeving vereisen, zoals cleanrooms in halfgeleiderfabrieken. Bovendien kan de Silicon Film worden geïntegreerd in cassettesystemen voor een efficiënte behandeling en transport van wafers tijdens de productie.

Betrouwbaarheid en consistentie op lange termijn

Een van de belangrijkste voordelen van het gebruik van Semicera's Silicon Film is de betrouwbaarheid op lange termijn. Met zijn uitstekende duurzaamheid en consistente kwaliteit biedt deze film een ​​betrouwbare oplossing voor productieomgevingen met grote volumes. Of het nu wordt gebruikt in uiterst nauwkeurige halfgeleiderapparaten of geavanceerde elektronische toepassingen, Semicera's Silicon Film zorgt ervoor dat fabrikanten hoge prestaties en betrouwbaarheid kunnen bereiken voor een breed scala aan producten.

Waarom kiezen voor de siliciumfilm van Semicera?

De Silicon Film van Semicera is een essentieel materiaal voor geavanceerde toepassingen in de halfgeleiderindustrie. De hoogwaardige eigenschappen, waaronder uitstekende thermische stabiliteit, hoge zuiverheid en mechanische sterkte, maken het de ideale keuze voor fabrikanten die de hoogste normen bij de productie van halfgeleiders willen bereiken. Van Si Wafer en SiC-substraat tot de productie van Gallium Oxide Ga2O3-apparaten: deze film levert ongeëvenaarde kwaliteit en prestaties.

Met Silicon Film van Semicera kunt u vertrouwen op een product dat voldoet aan de behoeften van de moderne halfgeleiderproductie en een betrouwbare basis biedt voor de volgende generatie elektronica.

Artikelen

Productie

Onderzoek

Dummie

Kristalparameters

Polytype

4H

Fout in oppervlakteoriëntatie

<11-20 >4±0,15°

Elektrische parameters

Doteringsmiddel

n-type stikstof

Weerstand

0,015-0,025 ohm·cm

Mechanische parameters

Diameter

150,0 ± 0,2 mm

Dikte

350±25 μm

Primaire vlakke oriëntatie

[1-100]±5°

Primaire platte lengte

47,5 ± 1,5 mm

Secundaire flat

Geen

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5 mm * 5 mm)

≤5 μm (5 mm * 5 mm)

≤10 μm (5 mm * 5 mm)

Boog

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Verdraaien

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM)

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Structuur

Dichtheid van de micropijp

<1 stuk/cm2

<10 stuks/cm2

<15 stuks/cm2

Metaalonzuiverheden

≤5E10 atomen/cm2

NA

BPD

≤1500 e/cm2

≤3000 e/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 e/cm2

NA

Front kwaliteit

Voorkant

Si

Oppervlakteafwerking

Si-face CMP

Deeltjes

≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm)

NA

Krassen

≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter

Cumulatieve lengte≤2*Diameter

NA

Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging

Geen

NA

Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten

Geen

Polytype-gebieden

Geen

Cumulatief gebied≤20%

Cumulatief gebied≤30%

Lasermarkering aan de voorkant

Geen

Terug Kwaliteit

Afwerking achterkant

C-face CMP

Krassen

≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter

NA

Rugdefecten (randchips/inkepingen)

Geen

Ruwheid van de rug

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Lasermarkering op de achterkant

1 mm (vanaf bovenrand)

Rand

Rand

Afschuining

Verpakking

Verpakking

Epi-ready met vacuümverpakking

Verpakking met meerdere wafercassettes

*Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD.

tech_1_2_grootte
SiC-wafels

  • Vorig:
  • Volgende: