Beschrijving
DeSiliciumcarbide (SiC) wafer-susceptorsvoor MOCVD van semicera zijn ontworpen voor geavanceerde epitaxiale processen en bieden superieure prestaties voor beideSi epitaxieEnSiC-epitaxietoepassingen. De innovatieve aanpak van Semicera zorgt ervoor dat deze susceptors duurzaam en efficiënt zijn en stabiliteit en precisie bieden voor kritische productieactiviteiten.
Ontworpen om de ingewikkelde behoeften van te ondersteunenMOCVD Susceptorsystemen zijn deze producten veelzijdig en compatibel met dragers zoals PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier en RTP Carrier. Hun flexibiliteit maakt ze geschikt voor hightech-industrieën, inclusief de industrieën die ermee werkenLED EpitaxiaalSusceptor en monokristallijn silicium.
Met meerdere configuraties, waaronder Barrel Susceptor en Pancake Susceptor, zijn deze wafer susceptors ook essentieel in de fotovoltaïsche sector, ter ondersteuning van de productie van fotovoltaïsche onderdelen. Voor halfgeleiderfabrikanten maakt de mogelijkheid om GaN-op-SiC-epitaxyprocessen te verwerken deze susceptors zeer waardevol voor het garanderen van hoogwaardige output voor een breed scala aan toepassingen.
Belangrijkste kenmerken
1. Hoge zuiverheid SiC gecoat grafiet
2. Superieure hittebestendigheid en thermische uniformiteit
3. PrimaSiC-kristalcoatingvoor een glad oppervlak
4. Hoge duurzaamheid tegen chemische reiniging
Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coatings:
| SiC-CVD | ||
| Dikte | (g/cc) | 3.21 |
| Buigsterkte | (Mpa) | 470 |
| Thermische uitzetting | (10-6/K) | 4 |
| Thermische geleidbaarheid | (W/mK) | 300 |
Verpakking en verzending
Leveringscapaciteit:
10000 Stuk/Stukken per Maand
Verpakking en levering:
Verpakking: standaard en sterke verpakking
Polyzak + doos + doos + pallet
Haven:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Doorlooptijd:
| Hoeveelheid (stuks) | 1-1000 | >1000 |
| Geschat. Tijd (dagen) | 30 | Te onderhandelen |
