Semicera'sSiliciumcarbide-epitaxieis ontworpen om te voldoen aan de strenge eisen van moderne halfgeleidertoepassingen. Door gebruik te maken van geavanceerde epitaxiale groeitechnieken zorgen we ervoor dat elke siliciumcarbidelaag een uitzonderlijke kristallijne kwaliteit, uniformiteit en minimale defectdichtheid vertoont. Deze kenmerken zijn cruciaal voor de ontwikkeling van hoogwaardige vermogenselektronica, waarbij efficiëntie en thermisch beheer voorop staan.
DeSiliciumcarbide-epitaxieHet proces bij Semicera is geoptimaliseerd om epitaxiale lagen te produceren met nauwkeurige dikte- en dopingcontrole, waardoor consistente prestaties op een reeks apparaten worden gegarandeerd. Dit nauwkeurigheidsniveau is essentieel voor toepassingen in elektrische voertuigen, duurzame energiesystemen en hoogfrequente communicatie, waarbij betrouwbaarheid en efficiëntie van cruciaal belang zijn.
Bovendien Semicera'sSiliciumcarbide-epitaxiebiedt verbeterde thermische geleidbaarheid en hogere doorslagspanning, waardoor het de voorkeurskeuze is voor apparaten die onder extreme omstandigheden werken. Deze eigenschappen dragen bij aan een langere levensduur van apparaten en een verbeterde algehele systeemefficiëntie, vooral in omgevingen met hoog vermogen en hoge temperaturen.
Semicera biedt ook aanpassingsmogelijkheden voorSiliciumcarbide-epitaxie, waardoor oplossingen op maat mogelijk zijn die voldoen aan specifieke apparaatvereisten. Of het nu gaat om onderzoek of grootschalige productie, onze epitaxiale lagen zijn ontworpen om de volgende generatie halfgeleiderinnovaties te ondersteunen, waardoor de ontwikkeling van krachtigere, efficiëntere en betrouwbaardere elektronische apparaten mogelijk wordt.
Door geavanceerde technologie en strenge kwaliteitscontroleprocessen te integreren, zorgt Semicera ervoor dat onzeSiliciumcarbide-epitaxieproducten voldoen niet alleen aan de industriële normen, maar overtreffen deze zelfs. Deze toewijding aan uitmuntendheid maakt onze epitaxiale lagen tot de ideale basis voor geavanceerde halfgeleidertoepassingen, waardoor de weg wordt vrijgemaakt voor doorbraken in vermogenselektronica en opto-elektronica.
| Artikelen | Productie | Onderzoek | Dummie |
| Kristalparameters | |||
| Polytype | 4H | ||
| Fout in oppervlakteoriëntatie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische parameters | |||
| Doteringsmiddel | n-type stikstof | ||
| Weerstand | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Mechanische parameters | |||
| Diameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dikte | 350±25 μm | ||
| Primaire vlakke oriëntatie | [1-100]±5° | ||
| Primaire platte lengte | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secundaire flat | Geen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Boog | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Verdraaien | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Structuur | |||
| Dichtheid van de micropijp | <1 stuk/cm2 | <10 stuks/cm2 | <15 stuks/cm2 |
| Metaalonzuiverheden | ≤5E10 atomen/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 e/cm2 | ≤3000 e/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 e/cm2 | NA |
| Front kwaliteit | |||
| Voorkant | Si | ||
| Oppervlakteafwerking | Si-face CMP | ||
| Deeltjes | ≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm) | NA | |
| Krassen | ≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter | Cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA |
| Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging | Geen | NA | |
| Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten | Geen | ||
| Polytype-gebieden | Geen | Cumulatief gebied≤20% | Cumulatief gebied≤30% |
| Lasermarkering aan de voorkant | Geen | ||
| Terug Kwaliteit | |||
| Afwerking achterkant | C-face CMP | ||
| Krassen | ≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA | |
| Rugdefecten (randchips/inkepingen) | Geen | ||
| Ruwheid van de rug | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkering op de achterkant | 1 mm (vanaf bovenrand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Afschuining | ||
| Verpakking | |||
| Verpakking | Epi-ready met vacuümverpakking Verpakking met meerdere wafercassettes | ||
| *Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD. | |||
