De SemiceraSiC cantilever-wafelpeddelis ontworpen om te voldoen aan de eisen van de moderne halfgeleiderproductie. Ditwafel peddelbiedt uitstekende mechanische sterkte en thermische weerstand, wat van cruciaal belang is voor het hanteren van wafers in omgevingen met hoge temperaturen.
Het SiC-cantileverontwerp maakt een nauwkeurige plaatsing van de wafer mogelijk, waardoor het risico op schade tijdens het hanteren wordt verminderd. De hoge thermische geleidbaarheid zorgt ervoor dat de wafer zelfs onder extreme omstandigheden stabiel blijft, wat van cruciaal belang is voor het behoud van de productie-efficiëntie.
Naast de structurele voordelen biedt Semicera'sSiC cantilever-wafelpeddelbiedt ook voordelen in gewicht en duurzaamheid. De lichtgewicht constructie maakt het gemakkelijker te hanteren en te integreren in bestaande systemen, terwijl het SiC-materiaal met hoge dichtheid zorgt voor langdurige duurzaamheid onder veeleisende omstandigheden.
| Fysische eigenschappen van herkristalliseerd siliciumcarbide | |
| Eigendom | Typische waarde |
| Werktemperatuur (°C) | 1600°C (met zuurstof), 1700°C (reducerende omgeving) |
| SiC-inhoud | > 99,96% |
| Gratis Si-inhoud | < 0,1% |
| Bulkdichtheid | 2,60-2,70 g/cm33 |
| Schijnbare porositeit | < 16% |
| Compressie sterkte | > 600 MPa |
| Koude buigsterkte | 80-90 MPa (20°C) |
| Hete buigsterkte | 90-100 MPa (1400°C) |
| Thermische uitzetting @1500°C | 4,70 10-6/°C |
| Thermische geleidbaarheid @1200°C | 23 W/m•K |
| Elasticiteitsmodulus | 240 GPa |
| Bestand tegen thermische schokken | Zeer goed |
