Beschrijving
De SiC Wafer Susceptors van Semicorex voor MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapour Deposition) zijn ontworpen om te voldoen aan de veeleisende eisen van epitaxiale depositieprocessen. Deze susceptors maken gebruik van hoogwaardig siliciumcarbide (SiC) en bieden ongeëvenaarde duurzaamheid en prestaties in omgevingen met hoge temperaturen en corrosieve omstandigheden, waardoor de precieze en efficiënte groei van halfgeleidermaterialen wordt gegarandeerd.
Belangrijkste kenmerken:
1. Superieure materiaaleigenschappenOnze wafer-susceptoren zijn gemaakt van hoogwaardig SiC en vertonen een uitzonderlijke thermische geleidbaarheid en chemische weerstand. Dankzij deze eigenschappen zijn ze bestand tegen de extreme omstandigheden van MOCVD-processen, inclusief hoge temperaturen en corrosieve gassen, waardoor een lange levensduur en betrouwbare prestaties worden gegarandeerd.
2. Precisie bij epitaxiale afzettingDe precieze techniek van onze SiC Wafer Susceptors zorgt voor een uniforme temperatuurverdeling over het waferoppervlak, waardoor een consistente en hoogwaardige epitaxiale laaggroei mogelijk wordt gemaakt. Deze precisie is van cruciaal belang voor het produceren van halfgeleiders met optimale elektrische eigenschappen.
3. Verbeterde duurzaamheidHet robuuste SiC-materiaal biedt uitstekende weerstand tegen slijtage en degradatie, zelfs bij voortdurende blootstelling aan zware procesomgevingen. Deze duurzaamheid vermindert de frequentie van susceptorvervangingen, waardoor uitvaltijd en operationele kosten worden geminimaliseerd.
Toepassingen:
De SiC Wafer Susceptors voor MOCVD van Semicorex zijn bij uitstek geschikt voor:
• Epitaxiale groei van halfgeleidermaterialen
• MOCVD-processen op hoge temperatuur
• Productie van GaN, AlN en andere samengestelde halfgeleiders
• Geavanceerde toepassingen voor de productie van halfgeleiders
Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coatings:
Voordelen:
•Hoge precisie: Zorgt voor een uniforme en hoogwaardige epitaxiale groei.
•Langdurige prestaties: Uitzonderlijke duurzaamheid vermindert de vervangingsfrequentie.
• Kostenefficiëntie: Minimaliseert de operationele kosten door verminderde uitvaltijd en onderhoud.
•Veelzijdigheid: Aanpasbaar om te voldoen aan verschillende MOCVD-procesvereisten.
-
SiC-pintrays voor ICP-etsprocessen in de ...
-
Halve onderdelen voor SiC epitaxiale apparatuur
-
SiC-gecoate vatreactor voor epitaxie in de vloeibare fase
-
CVD SiC-coating Epitaxiale afzetting in epitaxy...
-
19 stuks 2 inch MOCVD-apparatuur met grafietbasis ...
-
Grafiet Susceptors met siliciumcarbidecoating...