Susceptors op basis van SiC-gecoate grafietbasis voor MOCVD

Susceptors op basis van SiC-gecoate grafietbasisvoor MOCVD van semicera zijn ontworpen om uitzonderlijke prestaties te leveren bij epitaxiale groeiprocessen. De hoogwaardige siliciumcarbidecoating op de grafietbasis zorgt voor stabiliteit, duurzaamheid en optimale thermische geleidbaarheid tijdens MOCVD-operaties (Metal Organic Chemical Vapour Deposition). Door de innovatieve susceptortechnologie van semicera te gebruiken, kunt u verbeterde precisie en efficiëntie bereikenSi epitaxieEnSiC-epitaxietoepassingen.

DezeMOCVD-susceptorenzijn ontworpen om een ​​reeks essentiële halfgeleidercomponenten te ondersteunen, zoalsPSS-etsdrager, ICP-etsdrager, EnRTP-provider, waardoor ze veelzijdig zijn voor diverse ets- en epitaxiale taken. Semicera's toewijding aan hoge normen zorgt ervoor dat deze susceptors voldoen aan de strenge eisen van de moderne halfgeleiderproductie.

Ideaal voor gebruik bijLED EpitaxiaalSusceptor-, Barrel Susceptor- en monokristallijne siliciumprocessen. Deze susceptors kunnen worden aangepast voor verschillende wafelformaten, inclusief Pancake Susceptor-configuraties. Ze zijn ook zeer effectief in het omgaan met fotovoltaïsche onderdelen, waardoor ze een cruciaal onderdeel zijn in de ontwikkeling van efficiënte zonnecellen.

Bovendien zijn SiC-gecoate grafietbasissusceptors voor MOCVD geoptimaliseerd voor GaN op SiC-epitaxy, wat een hoge compatibiliteit biedt met geavanceerde halfgeleidermaterialen. Of u nu gefocust bent op het verbeteren van de opbrengsten of het verbeteren van de kwaliteit van de epitaxiale groei, de susceptors van semicera bieden de betrouwbaarheid en prestaties die nodig zijn voor succes in hightech-industrieën.