Si-substraat

Korte beschrijving:

Met zijn superieure precisie en hoge zuiverheid zorgt Semicera's Si-substraat voor betrouwbare en consistente prestaties in kritische toepassingen, waaronder de productie van Epi-Wafer en Gallium Oxide (Ga2O3). Dit substraat is ontworpen om de productie van geavanceerde micro-elektronica te ondersteunen en biedt uitzonderlijke compatibiliteit en stabiliteit, waardoor het een essentieel materiaal is voor geavanceerde technologieën in de telecommunicatie-, automobiel- en industriële sectoren.


Productdetail

Productlabels

Het Si Substrate van Semicera is een essentieel onderdeel bij de productie van hoogwaardige halfgeleiderapparaten. Dit substraat is gemaakt van zeer zuiver silicium (Si) en biedt uitzonderlijke uniformiteit, stabiliteit en uitstekende geleidbaarheid, waardoor het ideaal is voor een breed scala aan geavanceerde toepassingen in de halfgeleiderindustrie. Of het nu wordt gebruikt bij de productie van Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer of SiN Substrate, het Semicera Si Substrate levert consistente kwaliteit en superieure prestaties om te voldoen aan de groeiende eisen van moderne elektronica en materiaalwetenschap.

Ongeëvenaarde prestaties met hoge zuiverheid en precisie

Semicera's Si-substraat wordt vervaardigd met behulp van geavanceerde processen die een hoge zuiverheid en strakke maatvoering garanderen. Het substraat dient als basis voor de productie van een verscheidenheid aan hoogwaardige materialen, waaronder Epi-Wafers en AlN Wafers. De precisie en uniformiteit van het Si-substraat maken het een uitstekende keuze voor het creëren van epitaxiale dunne-filmlagen en andere kritische componenten die worden gebruikt bij de productie van halfgeleiders van de volgende generatie. Of u nu werkt met galliumoxide (Ga2O3) of andere geavanceerde materialen, het Si-substraat van Semicera garandeert de hoogste niveaus van betrouwbaarheid en prestaties.

Toepassingen in de productie van halfgeleiders

In de halfgeleiderindustrie wordt het Si-substraat van Semicera gebruikt in een breed scala aan toepassingen, waaronder de productie van Si Wafers en SiC-substraten, waar het een stabiele, betrouwbare basis biedt voor de afzetting van actieve lagen. Het substraat speelt een cruciale rol bij het vervaardigen van SOI Wafers (Silicon On Insulator), die essentieel zijn voor geavanceerde micro-elektronica en geïntegreerde schakelingen. Bovendien zijn Epi-Wafers (epitaxiale wafers) gebouwd op Si-substraten een integraal onderdeel van de productie van hoogwaardige halfgeleiderapparaten zoals vermogenstransistors, diodes en geïntegreerde schakelingen.

Het Si-substraat ondersteunt ook de productie van apparaten die gebruik maken van galliumoxide (Ga2O3), een veelbelovend materiaal met een brede bandafstand dat wordt gebruikt voor toepassingen met hoog vermogen in de vermogenselektronica. Bovendien zorgt de compatibiliteit van Semicera's Si-substraat met AlN-wafels en andere geavanceerde substraten ervoor dat het kan voldoen aan de uiteenlopende eisen van hightech-industrieën, waardoor het een ideale oplossing is voor de productie van geavanceerde apparaten in de telecommunicatie-, automobiel- en industriële sectoren. .

Betrouwbare en consistente kwaliteit voor hightech toepassingen

Het Si-substraat van Semicera is zorgvuldig ontworpen om te voldoen aan de strenge eisen van de halfgeleiderfabricage. De uitzonderlijke structurele integriteit en hoogwaardige oppervlakte-eigenschappen maken het tot het ideale materiaal voor gebruik in cassettesystemen voor wafertransport, maar ook voor het creëren van uiterst nauwkeurige lagen in halfgeleiderapparaten. Het vermogen van het substraat om onder wisselende procesomstandigheden een consistente kwaliteit te behouden, zorgt voor minimale defecten, waardoor de opbrengst en prestaties van het eindproduct worden verbeterd.

Met zijn superieure thermische geleidbaarheid, mechanische sterkte en hoge zuiverheid is Semicera's Si-substraat het materiaal bij uitstek voor fabrikanten die de hoogste normen op het gebied van precisie, betrouwbaarheid en prestaties bij de productie van halfgeleiders willen bereiken.

Kies het Si-substraat van Semicera voor oplossingen met een hoge zuiverheid en hoge prestaties

Voor fabrikanten in de halfgeleiderindustrie biedt het Si Substrate van Semicera een robuuste, hoogwaardige oplossing voor een breed scala aan toepassingen, van Si Wafer-productie tot het maken van Epi-Wafers en SOI Wafers. Met een ongeëvenaarde zuiverheid, precisie en betrouwbaarheid maakt dit substraat de productie van geavanceerde halfgeleiderapparaten mogelijk, waardoor prestaties op de lange termijn en optimale efficiëntie worden gegarandeerd. Kies Semicera voor uw Si-substraatbehoeften en vertrouw op een product dat is ontworpen om te voldoen aan de eisen van de technologieën van morgen.

Artikelen

Productie

Onderzoek

Dummie

Kristalparameters

Polytype

4H

Fout in oppervlakteoriëntatie

<11-20 >4±0,15°

Elektrische parameters

Doteringsmiddel

n-type stikstof

Weerstand

0,015-0,025 ohm·cm

Mechanische parameters

Diameter

150,0 ± 0,2 mm

Dikte

350±25 μm

Primaire vlakke oriëntatie

[1-100]±5°

Primaire platte lengte

47,5 ± 1,5 mm

Secundaire flat

Geen

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5 mm * 5 mm)

≤5 μm (5 mm * 5 mm)

≤10 μm (5 mm * 5 mm)

Boog

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Verdraaien

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM)

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Structuur

Dichtheid van de micropijp

<1 stuk/cm2

<10 stuks/cm2

<15 stuks/cm2

Metaalonzuiverheden

≤5E10 atomen/cm2

NA

BPD

≤1500 e/cm2

≤3000 e/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 e/cm2

NA

Front kwaliteit

Voorkant

Si

Oppervlakteafwerking

Si-face CMP

Deeltjes

≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm)

NA

Krassen

≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter

Cumulatieve lengte≤2*Diameter

NA

Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging

Geen

NA

Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten

Geen

Polytype-gebieden

Geen

Cumulatief gebied≤20%

Cumulatief gebied≤30%

Lasermarkering aan de voorkant

Geen

Terug Kwaliteit

Afwerking achterkant

C-face CMP

Krassen

≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter

NA

Rugdefecten (randchips/inkepingen)

Geen

Ruwheid van de rug

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Lasermarkering op de achterkant

1 mm (vanaf bovenrand)

Rand

Rand

Afschuining

Verpakking

Verpakking

Epi-ready met vacuümverpakking

Verpakking met meerdere wafercassettes

*Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD.

tech_1_2_grootte
SiC-wafels

  • Vorig:
  • Volgende: