Si epitaxie

Korte beschrijving:

Si epitaxie– Bereik superieure apparaatprestaties met Semicera's Si Epitaxy, dat nauwkeurig gegroeide siliciumlagen biedt voor geavanceerde halfgeleidertoepassingen.


Productdetail

Productlabels

Semiceraintroduceert zijn hoge kwaliteitSi epitaxiediensten, ontworpen om te voldoen aan de veeleisende normen van de hedendaagse halfgeleiderindustrie. Epitaxiale siliciumlagen zijn van cruciaal belang voor de prestaties en betrouwbaarheid van elektronische apparaten, en onze Si Epitaxy-oplossingen zorgen ervoor dat uw componenten optimale functionaliteit bereiken.

Nauwkeurig gegroeide siliciumlagen Semicerabegrijpt dat de basis van hoogwaardige apparaten ligt in de kwaliteit van de gebruikte materialen. OnsSi epitaxieHet proces wordt nauwgezet gecontroleerd om siliciumlagen met uitzonderlijke uniformiteit en kristalintegriteit te produceren. Deze lagen zijn essentieel voor toepassingen variërend van micro-elektronica tot geavanceerde energieapparaten, waarbij consistentie en betrouwbaarheid van het grootste belang zijn.

Geoptimaliseerd voor apparaatprestatiesDeSi epitaxieDe door Semicera aangeboden diensten zijn afgestemd op het verbeteren van de elektrische eigenschappen van uw apparaten. Door zeer zuivere siliciumlagen met lage defectdichtheden te laten groeien, zorgen we ervoor dat uw componenten optimaal presteren, met verbeterde dragermobiliteit en minimale elektrische weerstand. Deze optimalisatie is van cruciaal belang voor het bereiken van de hoge snelheids- en hoogefficiëntiekarakteristieken die door de moderne technologie worden vereist.

Veelzijdigheid in toepassingen Semicera'SSi epitaxieis geschikt voor een breed scala aan toepassingen, waaronder de productie van CMOS-transistors, vermogens-MOSFET's en bipolaire junctie-transistors. Ons flexibele proces maakt maatwerk mogelijk op basis van de specifieke vereisten van uw project, of u nu dunne lagen nodig heeft voor hoogfrequente toepassingen of dikkere lagen voor elektrische apparaten.

Superieure materiaalkwaliteitKwaliteit staat centraal bij alles wat we doen bij Semicera. OnsSi epitaxieHet proces maakt gebruik van de modernste apparatuur en technieken om ervoor te zorgen dat elke siliciumlaag voldoet aan de hoogste normen van zuiverheid en structurele integriteit. Deze aandacht voor detail minimaliseert het optreden van defecten die de prestaties van het apparaat kunnen beïnvloeden, wat resulteert in betrouwbaardere en duurzamere componenten.

Toewijding aan innovatie Semicerastreeft ernaar voorop te blijven lopen op het gebied van halfgeleidertechnologie. OnsSi epitaxiediensten weerspiegelen deze toewijding en omvatten de nieuwste ontwikkelingen op het gebied van epitaxiale groeitechnieken. We verfijnen voortdurend onze processen om siliciumlagen te leveren die voldoen aan de veranderende behoeften van de industrie, zodat uw producten concurrerend blijven op de markt.

Op maat gemaakte oplossingen voor uw behoeftenOmdat we begrijpen dat elk project uniek is,Semiceraaanbiedingen op maatSi epitaxieoplossingen die aansluiten bij uw specifieke behoeften. Of u nu specifieke dopingprofielen, laagdiktes of oppervlakteafwerkingen nodig heeft, ons team werkt nauw met u samen om een ​​product te leveren dat precies aan uw specificaties voldoet.

Artikelen

Productie

Onderzoek

Dummie

Kristalparameters

Polytype

4H

Fout in oppervlakteoriëntatie

<11-20 >4±0,15°

Elektrische parameters

Doteringsmiddel

n-type stikstof

Weerstand

0,015-0,025 ohm·cm

Mechanische parameters

Diameter

150,0 ± 0,2 mm

Dikte

350±25 μm

Primaire vlakke oriëntatie

[1-100]±5°

Primaire platte lengte

47,5 ± 1,5 mm

Secundaire flat

Geen

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5 mm * 5 mm)

≤5 μm (5 mm * 5 mm)

≤10 μm (5 mm * 5 mm)

Boog

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Verdraaien

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM)

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Structuur

Dichtheid van de micropijp

<1 stuk/cm2

<10 stuks/cm2

<15 stuks/cm2

Metaalonzuiverheden

≤5E10 atomen/cm2

NA

BPD

≤1500 e/cm2

≤3000 e/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 e/cm2

NA

Front kwaliteit

Voorkant

Si

Oppervlakteafwerking

Si-face CMP

Deeltjes

≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm)

NA

Krassen

≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter

Cumulatieve lengte≤2*Diameter

NA

Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging

Geen

NA

Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten

Geen

Polytype-gebieden

Geen

Cumulatief gebied≤20%

Cumulatief gebied≤30%

Lasermarkering aan de voorkant

Geen

Terug Kwaliteit

Afwerking achterkant

C-face CMP

Krassen

≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter

NA

Rugdefecten (randchips/inkepingen)

Geen

Ruwheid van de rug

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Lasermarkering op de achterkant

1 mm (vanaf bovenrand)

Rand

Rand

Afschuining

Verpakking

Verpakking

Epi-ready met vacuümverpakking

Verpakking met meerdere wafercassettes

*Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD.

tech_1_2_grootte
SiC-wafels

  • Vorig:
  • Volgende: