Semiceraintroduceert zijn hoge kwaliteitSi epitaxiediensten, ontworpen om te voldoen aan de veeleisende normen van de hedendaagse halfgeleiderindustrie. Epitaxiale siliciumlagen zijn van cruciaal belang voor de prestaties en betrouwbaarheid van elektronische apparaten, en onze Si Epitaxy-oplossingen zorgen ervoor dat uw componenten optimale functionaliteit bereiken.
Nauwkeurig gegroeide siliciumlagen Semicerabegrijpt dat de basis van hoogwaardige apparaten ligt in de kwaliteit van de gebruikte materialen. OnsSi epitaxieHet proces wordt nauwgezet gecontroleerd om siliciumlagen met uitzonderlijke uniformiteit en kristalintegriteit te produceren. Deze lagen zijn essentieel voor toepassingen variërend van micro-elektronica tot geavanceerde energieapparaten, waarbij consistentie en betrouwbaarheid van het grootste belang zijn.
Geoptimaliseerd voor apparaatprestatiesDeSi epitaxieDe door Semicera aangeboden diensten zijn afgestemd op het verbeteren van de elektrische eigenschappen van uw apparaten. Door zeer zuivere siliciumlagen met lage defectdichtheden te laten groeien, zorgen we ervoor dat uw componenten optimaal presteren, met verbeterde dragermobiliteit en minimale elektrische weerstand. Deze optimalisatie is van cruciaal belang voor het bereiken van de hoge snelheids- en hoogefficiëntiekarakteristieken die door de moderne technologie worden vereist.
Veelzijdigheid in toepassingen Semicera'SSi epitaxieis geschikt voor een breed scala aan toepassingen, waaronder de productie van CMOS-transistors, vermogens-MOSFET's en bipolaire junctie-transistors. Ons flexibele proces maakt maatwerk mogelijk op basis van de specifieke vereisten van uw project, of u nu dunne lagen nodig heeft voor hoogfrequente toepassingen of dikkere lagen voor elektrische apparaten.
Superieure materiaalkwaliteitKwaliteit staat centraal bij alles wat we doen bij Semicera. OnsSi epitaxieHet proces maakt gebruik van de modernste apparatuur en technieken om ervoor te zorgen dat elke siliciumlaag voldoet aan de hoogste normen van zuiverheid en structurele integriteit. Deze aandacht voor detail minimaliseert het optreden van defecten die de prestaties van het apparaat kunnen beïnvloeden, wat resulteert in betrouwbaardere en duurzamere componenten.
Toewijding aan innovatie Semicerastreeft ernaar voorop te blijven lopen op het gebied van halfgeleidertechnologie. OnsSi epitaxiediensten weerspiegelen deze toewijding en omvatten de nieuwste ontwikkelingen op het gebied van epitaxiale groeitechnieken. We verfijnen voortdurend onze processen om siliciumlagen te leveren die voldoen aan de veranderende behoeften van de industrie, zodat uw producten concurrerend blijven op de markt.
Op maat gemaakte oplossingen voor uw behoeftenOmdat we begrijpen dat elk project uniek is,Semiceraaanbiedingen op maatSi epitaxieoplossingen die aansluiten bij uw specifieke behoeften. Of u nu specifieke dopingprofielen, laagdiktes of oppervlakteafwerkingen nodig heeft, ons team werkt nauw met u samen om een product te leveren dat precies aan uw specificaties voldoet.
Artikelen | Productie | Onderzoek | Dummie |
Kristalparameters | |||
Polytype | 4H | ||
Fout in oppervlakteoriëntatie | <11-20 >4±0,15° | ||
Elektrische parameters | |||
Doteringsmiddel | n-type stikstof | ||
Weerstand | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Mechanische parameters | |||
Diameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Dikte | 350±25 μm | ||
Primaire vlakke oriëntatie | [1-100]±5° | ||
Primaire platte lengte | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Secundaire flat | Geen | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
Boog | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Verdraaien | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Structuur | |||
Dichtheid van de micropijp | <1 stuk/cm2 | <10 stuks/cm2 | <15 stuks/cm2 |
Metaalonzuiverheden | ≤5E10 atomen/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 e/cm2 | ≤3000 e/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 e/cm2 | NA |
Front kwaliteit | |||
Voorkant | Si | ||
Oppervlakteafwerking | Si-face CMP | ||
Deeltjes | ≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm) | NA | |
Krassen | ≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter | Cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA |
Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging | Geen | NA | |
Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten | Geen | ||
Polytype-gebieden | Geen | Cumulatief gebied≤20% | Cumulatief gebied≤30% |
Lasermarkering aan de voorkant | Geen | ||
Terug Kwaliteit | |||
Afwerking achterkant | C-face CMP | ||
Krassen | ≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA | |
Rugdefecten (randchips/inkepingen) | Geen | ||
Ruwheid van de rug | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Lasermarkering op de achterkant | 1 mm (vanaf bovenrand) | ||
Rand | |||
Rand | Afschuining | ||
Verpakking | |||
Verpakking | Epi-ready met vacuümverpakking Verpakking met meerdere wafercassettes | ||
*Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD. |