Ons bedrijf biedtSiC-coatingprocesdiensten op het oppervlak van grafiet, keramiek en andere materialen volgens de CVD-methode, zodat speciale gassen die koolstof en silicium bevatten bij hoge temperaturen kunnen reageren om zeer zuivere Sic-moleculen te verkrijgen, die op het oppervlak van gecoate materialen kunnen worden afgezet om eenSiC-beschermlaagvoor epitaxie-barreltype hy pnotic.
Belangrijkste kenmerken:
1. Hoge zuiverheid SiC gecoat grafiet
2. Superieure hittebestendigheid en thermische uniformiteit
3. PrimaSiC-kristalcoatingvoor een glad oppervlak
4. Hoge duurzaamheid tegen chemische reiniging
Belangrijkste specificaties vanCVD-SIC-coating
| SiC-CVD-eigenschappen | ||
| Kristalstructuur | FCC β-fase | |
| Dikte | g/cm³ | 3.21 |
| Hardheid | Vickers-hardheid | 2500 |
| Korrelgrootte | urn | 2~10 |
| Chemische zuiverheid | % | 99,99995 |
| Warmtecapaciteit | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimatietemperatuur | ℃ | 2700 |
| Flexurale kracht | MPa (RT 4-punts) | 415 |
| Young's Modulus | Gpa (4pt bocht, 1300℃) | 430 |
| Thermische uitzetting (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Thermische geleidbaarheid | (W/mK) | 300 |
-
Hoge temperatuur SiC-gecoate epitaxiale reactorb...
-
Epitaxiale reactorvat met siliciumcarbide coating
-
Hoge zuiverheid siliciumcarbide poeder halfgeleider...
-
Bied geavanceerde lasertechnologie met LMJ-microjettechnologie ...
-
SiC-coating Epi-systeem met inductieverwarmde cilinder
-
Met siliciumcarbide gecoate grafietwafeldragers