Siliciumcarbide gecoate vatsusceptor voor epitaxiale wafel

Susceptor met siliciumcarbidecoating voor epitaxiale wafel Uitgelichte afbeelding

Korte beschrijving:

Semicera biedt een uitgebreid assortiment susceptoren en grafietcomponenten ontworpen voor verschillende epitaxiereactoren.

Door strategische partnerschappen met toonaangevende OEM's, uitgebreide expertise op het gebied van materialen en geavanceerde productiemogelijkheden, levert Semicera op maat gemaakte ontwerpen om aan de specifieke eisen van uw toepassing te voldoen. Onze toewijding aan uitmuntendheid zorgt ervoor dat u optimale oplossingen krijgt voor uw epitaxiereactorbehoeften.

Stuur een e-mail naar ons

Productdetail

Productlabels

Ons bedrijf biedtSiC-coatingprocesdiensten op het oppervlak van grafiet, keramiek en andere materialen volgens de CVD-methode, zodat speciale gassen die koolstof en silicium bevatten bij hoge temperaturen kunnen reageren om zeer zuivere Sic-moleculen te verkrijgen, die op het oppervlak van gecoate materialen kunnen worden afgezet om eenSiC-beschermlaagvoor epitaxie-barreltype hy pnotic.

Belangrijkste kenmerken:

1. Hoge zuiverheid SiC gecoat grafiet

2. Superieure hittebestendigheid en thermische uniformiteit

3. PrimaSiC-kristalcoatingvoor een glad oppervlak

4. Hoge duurzaamheid tegen chemische reiniging

Susceptor met SiC-coating voor epitaxiale wafel

Belangrijkste specificaties vanCVD-SIC-coating

SiC-CVD-eigenschappen
Kristalstructuur	FCC β-fase
Dikte	g/cm³	3.21
Hardheid	Vickers-hardheid	2500
Korrelgrootte	urn	2~10
Chemische zuiverheid	%	99,99995
Warmtecapaciteit	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimatietemperatuur	℃	2700
Flexurale kracht	MPa (RT 4-punts)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bocht, 1300℃)	430
Thermische uitzetting (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermische geleidbaarheid	(W/mK)	300