CVD bulk-siliciumcarbide (SiC)
Overzicht:CVDbulk siliciumcarbide (SiC)is een zeer gewild materiaal in plasma-etsapparatuur, toepassingen voor snelle thermische verwerking (RTP) en andere halfgeleiderproductieprocessen. De uitzonderlijke mechanische, chemische en thermische eigenschappen maken het een ideaal materiaal voor geavanceerde technologische toepassingen die hoge precisie en duurzaamheid vereisen.
Toepassingen van CVD Bulk SiC:Bulk-SiC is van cruciaal belang in de halfgeleiderindustrie, vooral in plasma-etssystemen, waar componenten zoals focusringen, gasdouchekoppen, randringen en platen profiteren van de uitstekende corrosieweerstand en thermische geleidbaarheid van SiC. Het gebruik ervan strekt zich uit totRTPsystemen vanwege het vermogen van SiC om snelle temperatuurschommelingen te weerstaan zonder significante degradatie.
Naast etsapparatuur biedt CVDbulk-SiCheeft de voorkeur in diffusieovens en kristalgroeiprocessen, waar hoge thermische stabiliteit en weerstand tegen agressieve chemische omgevingen vereist zijn. Deze eigenschappen maken SiC het materiaal bij uitstek voor veeleisende toepassingen met hoge temperaturen en corrosieve gassen, zoals die welke chloor en fluor bevatten.
Voordelen van CVD Bulk SiC-componenten:
•Hoge dichtheid:Met een dichtheid van 3,2 g/cm³,CVD bulk-SiCcomponenten zijn zeer goed bestand tegen slijtage en mechanische impact.
•Superieure thermische geleidbaarheid:Met een thermische geleidbaarheid van 300 W/m·K beheert bulk-SiC de warmte efficiënt, waardoor het ideaal is voor componenten die worden blootgesteld aan extreme thermische cycli.
•Uitzonderlijke chemische weerstand:De lage reactiviteit van SiC met etsgassen, waaronder chemicaliën op chloor- en fluorbasis, zorgt voor een langere levensduur van de componenten.
•Verstelbare weerstand: CVD bulk-SiC'sDe soortelijke weerstand kan worden aangepast binnen het bereik van 10⁻²–10⁴ Ω-cm, waardoor deze kan worden aangepast aan specifieke ets- en halfgeleiderproductiebehoeften.
•Thermische uitzettingscoëfficiënt:Met een thermische uitzettingscoëfficiënt van 4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C) is CVD bulk SiC bestand tegen thermische schokken, waardoor de maatvastheid behouden blijft, zelfs tijdens snelle verwarmings- en afkoelcycli.
•Duurzaamheid in plasma:Blootstelling aan plasma en reactieve gassen is onvermijdelijk bij halfgeleiderprocessenCVD bulk-SiCbiedt superieure weerstand tegen corrosie en degradatie, waardoor de vervangingsfrequentie en de totale onderhoudskosten worden verminderd.
Technische specificaties:
•Diameter:Groter dan 305 mm
•Weerstand:Verstelbaar binnen 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Dikte:3,2 g/cm³
•Thermische geleidbaarheid:300 W/m·K
•Thermische uitzettingscoëfficiënt:4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Maatwerk en flexibiliteit:BijSemicera-halfgeleiderbegrijpen wij dat elke halfgeleidertoepassing andere specificaties kan vereisen. Daarom zijn onze CVD bulk SiC-componenten volledig aanpasbaar, met instelbare weerstand en op maat gemaakte afmetingen om aan de behoeften van uw apparatuur te voldoen. Of u nu uw plasma-etssystemen optimaliseert of op zoek bent naar duurzame componenten in RTP- of diffusieprocessen, onze CVD bulk SiC levert ongeëvenaarde prestaties.
