P-type SiC-substraatwafel

Korte beschrijving:

Semicera's P-type SiC-substraatwafer is ontworpen voor superieure elektronische en opto-elektronische toepassingen. Deze wafers bieden uitzonderlijke geleidbaarheid en thermische stabiliteit, waardoor ze ideaal zijn voor hoogwaardige apparaten. Met Semicera kunt u precisie en betrouwbaarheid verwachten van uw P-type SiC-substraatwafels.


Productdetail

Productlabels

Semicera's P-type SiC-substraatwafer is een sleutelcomponent voor de ontwikkeling van geavanceerde elektronische en opto-elektronische apparaten. Deze wafers zijn speciaal ontworpen om betere prestaties te leveren in omgevingen met hoog vermogen en hoge temperaturen, en ondersteunen daarmee de groeiende vraag naar efficiënte en duurzame componenten.

De P-type dotering in onze SiC-wafels zorgt voor een verbeterde elektrische geleiding en mobiliteit van ladingsdragers. Dit maakt ze bijzonder geschikt voor toepassingen in vermogenselektronica, LED's en fotovoltaïsche cellen, waar een laag vermogensverlies en een hoog rendement van cruciaal belang zijn.

De P-type SiC-wafels van Semicera zijn vervaardigd volgens de hoogste normen op het gebied van precisie en kwaliteit en bieden een uitstekende oppervlakte-uniformiteit en minimale defectpercentages. Deze kenmerken zijn van vitaal belang voor industrieën waar consistentie en betrouwbaarheid essentieel zijn, zoals de lucht- en ruimtevaart-, automobiel- en hernieuwbare energiesector.

Semicera's toewijding aan innovatie en uitmuntendheid komt duidelijk tot uiting in onze P-type SiC-substraatwafel. Door deze wafers in uw productieproces te integreren, zorgt u ervoor dat uw apparaten profiteren van de uitzonderlijke thermische en elektrische eigenschappen van SiC, waardoor ze effectief kunnen functioneren onder uitdagende omstandigheden.

Investeren in Semicera's P-type SiC-substraatwafer betekent kiezen voor een product dat geavanceerde materiaalwetenschap combineert met nauwgezette engineering. Semicera is toegewijd aan het ondersteunen van de volgende generatie elektronische en opto-elektronische technologieën en levert de essentiële componenten die nodig zijn voor uw succes in de halfgeleiderindustrie.

Artikelen

Productie

Onderzoek

Dummie

Kristalparameters

Polytype

4H

Fout in oppervlakteoriëntatie

<11-20 >4±0,15°

Elektrische parameters

Doteringsmiddel

n-type stikstof

Weerstand

0,015-0,025 ohm·cm

Mechanische parameters

Diameter

150,0 ± 0,2 mm

Dikte

350±25 μm

Primaire vlakke oriëntatie

[1-100]±5°

Primaire platte lengte

47,5 ± 1,5 mm

Secundaire flat

Geen

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5 mm * 5 mm)

≤5 μm (5 mm * 5 mm)

≤10 μm (5 mm * 5 mm)

Boog

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Verdraaien

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM)

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Structuur

Dichtheid van de micropijp

<1 stuk/cm2

<10 stuks/cm2

<15 stuks/cm2

Metaalonzuiverheden

≤5E10 atomen/cm2

NA

BPD

≤1500 e/cm2

≤3000 e/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 e/cm2

NA

Front kwaliteit

Voorkant

Si

Oppervlakteafwerking

Si-face CMP

Deeltjes

≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm)

NA

Krassen

≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter

Cumulatieve lengte≤2*Diameter

NA

Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging

Geen

NA

Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten

Geen

Polytype-gebieden

Geen

Cumulatief gebied≤20%

Cumulatief gebied≤30%

Lasermarkering aan de voorkant

Geen

Terug Kwaliteit

Afwerking achterkant

C-face CMP

Krassen

≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter

NA

Rugdefecten (randchips/inkepingen)

Geen

Ruwheid van de rug

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Lasermarkering op de achterkant

1 mm (vanaf bovenrand)

Rand

Rand

Afschuining

Verpakking

Verpakking

Epi-ready met vacuümverpakking

Verpakking met meerdere wafercassettes

*Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD.

tech_1_2_grootte
SiC-wafels

  • Vorig:
  • Volgende: