Semicera's P-type SiC-substraatwafer is een sleutelcomponent voor de ontwikkeling van geavanceerde elektronische en opto-elektronische apparaten. Deze wafers zijn speciaal ontworpen om betere prestaties te leveren in omgevingen met hoog vermogen en hoge temperaturen, en ondersteunen zo de groeiende vraag naar efficiënte en duurzame componenten.
De P-type dotering in onze SiC-wafels zorgt voor een verbeterde elektrische geleiding en mobiliteit van ladingsdragers. Dit maakt ze bijzonder geschikt voor toepassingen in vermogenselektronica, LED's en fotovoltaïsche cellen, waar een laag vermogensverlies en een hoog rendement van cruciaal belang zijn.
De P-type SiC-wafels van Semicera zijn vervaardigd volgens de hoogste normen op het gebied van precisie en kwaliteit en bieden een uitstekende oppervlakte-uniformiteit en minimale defectpercentages. Deze kenmerken zijn van vitaal belang voor industrieën waar consistentie en betrouwbaarheid essentieel zijn, zoals de lucht- en ruimtevaart-, automobiel- en hernieuwbare energiesector.
Semicera's toewijding aan innovatie en uitmuntendheid komt duidelijk tot uiting in onze P-type SiC-substraatwafel. Door deze wafers in uw productieproces te integreren, zorgt u ervoor dat uw apparaten profiteren van de uitzonderlijke thermische en elektrische eigenschappen van SiC, waardoor ze effectief kunnen functioneren onder uitdagende omstandigheden.
Investeren in Semicera's P-type SiC-substraatwafer betekent kiezen voor een product dat geavanceerde materiaalwetenschap combineert met nauwgezette engineering. Semicera is toegewijd aan het ondersteunen van de volgende generatie elektronische en opto-elektronische technologieën en levert de essentiële componenten die nodig zijn voor uw succes in de halfgeleiderindustrie.
| Artikelen | Productie | Onderzoek | Dummie |
| Kristalparameters | |||
| Polytype | 4H | ||
| Fout in oppervlakteoriëntatie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische parameters | |||
| Doteringsmiddel | n-type stikstof | ||
| Weerstand | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Mechanische parameters | |||
| Diameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dikte | 350±25 μm | ||
| Primaire vlakke oriëntatie | [1-100]±5° | ||
| Primaire platte lengte | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secundaire flat | Geen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Boog | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Verdraaien | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Structuur | |||
| Dichtheid van de micropijp | <1 stuk/cm2 | <10 stuks/cm2 | <15 stuks/cm2 |
| Metaalonzuiverheden | ≤5E10 atomen/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 e/cm2 | ≤3000 e/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 e/cm2 | NA |
| Front kwaliteit | |||
| Voorkant | Si | ||
| Oppervlakteafwerking | Si-face CMP | ||
| Deeltjes | ≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm) | NA | |
| Krassen | ≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter | Cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA |
| Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging | Geen | NA | |
| Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten | Geen | ||
| Polytype-gebieden | Geen | Cumulatief gebied≤20% | Cumulatief gebied≤30% |
| Lasermarkering aan de voorkant | Geen | ||
| Terug Kwaliteit | |||
| Afwerking achterkant | C-face CMP | ||
| Krassen | ≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA | |
| Rugdefecten (randchips/inkepingen) | Geen | ||
| Ruwheid van de rug | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkering op de achterkant | 1 mm (vanaf bovenrand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Afschuining | ||
| Verpakking | |||
| Verpakking | Epi-ready met vacuümverpakking Verpakking met meerdere wafercassettes | ||
| *Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD. | |||
