LiNbO3 Bondingwafel

LiNbO3-verbindingswafel Uitgelichte afbeelding

Korte beschrijving:

Lithiumniobaatkristal heeft uitstekende elektro-optische, akoesto-optische, piëzo-elektrische en niet-lineaire eigenschappen. Lithiumniobaatkristal is een belangrijk multifunctioneel kristal met goede niet-lineaire optische eigenschappen en een grote niet-lineaire optische coëfficiënt; het kan ook niet-kritische faseafstemming bereiken. Als elektro-optisch kristal is het gebruikt als belangrijk materiaal voor optische golfgeleiders; als piëzo-elektrisch kristal kan het worden gebruikt voor het maken van midden- en laagfrequente SAW-filters, krachtige ultrasone transducers die bestand zijn tegen hoge temperaturen, enz. Gedoteerde lithiumniobaatmaterialen worden ook veel gebruikt.

Stuur een e-mail naar ons

Productdetail

Productlabels

Semicera's LiNbO3 Bonding Wafer is ontworpen om te voldoen aan de hoge eisen van geavanceerde halfgeleiderproductie. Met zijn uitzonderlijke eigenschappen, waaronder superieure slijtvastheid, hoge thermische stabiliteit en uitstekende zuiverheid, is deze wafer ideaal voor gebruik in toepassingen die precisie en langdurige prestaties vereisen.

In de halfgeleiderindustrie worden LiNbO3 Bonding Wafers vaak gebruikt voor het verbinden van dunne lagen in opto-elektronische apparaten, sensoren en geavanceerde IC's. Ze worden vooral gewaardeerd in de fotonica en MEMS (micro-elektromechanische systemen) vanwege hun uitstekende diëlektrische eigenschappen en hun vermogen om zware bedrijfsomstandigheden te weerstaan. Semicera's LiNbO3 Bonding Wafer is ontworpen om nauwkeurige laaghechting te ondersteunen, waardoor de algehele prestaties en betrouwbaarheid van halfgeleiderapparaten worden verbeterd.

Thermische en elektrische eigenschappen van LiNbO3
Smeltpunt	1250 ℃
Curie-temperatuur	1140 ℃
Thermische geleidbaarheid	38 W/m/K @ 25 ℃
Thermische uitzettingscoëfficiënt (@ 25°C)	//a，2,0×10^-6/K //c，2,2×10^-6/K
Weerstand	2×10^-6Ω·cm @ 200 ℃
Diëlektrische constante	εS11/ε0=43，εT11/ε0=78 εS33/ε0=28，εT33/ε0= 2
Piëzo-elektrische constante	D₂₂=2,04×10^-11C/N D₃₃=19,22×10^-11C/N
Elektro-optische coëfficiënt	γT₃₃=32 pm/V， γS₃₃=31 uur/V， γT₃₁= 22.00 uur/V, γS₃₁= 20,6 uur/V， γT₂₂= 18,8 uur/V, γS₂₂= 15,4 uur/V，
Halve golfspanning, DC Elektrisch veld // z, licht ⊥ Z; Elektrisch veld // x of y, licht ⊥ z	3,03 kv 4,02 kv

De LiNbO3 Bonding Wafer is gemaakt van materialen van topkwaliteit en zorgt voor consistente betrouwbaarheid, zelfs onder extreme omstandigheden. De hoge thermische stabiliteit maakt het bijzonder geschikt voor omgevingen met hoge temperaturen, zoals die gevonden worden in halfgeleider-epitaxieprocessen. Bovendien zorgt de hoge zuiverheid van de wafer voor minimale vervuiling, waardoor het een betrouwbare keuze is voor kritische halfgeleidertoepassingen.

Bij Semicera streven we ernaar toonaangevende oplossingen te bieden. Onze LiNbO3 Bonding Wafer levert ongeëvenaarde duurzaamheid en hoogwaardige mogelijkheden voor toepassingen die een hoge zuiverheid, slijtvastheid en thermische stabiliteit vereisen. Of het nu gaat om geavanceerde halfgeleiderproductie of andere gespecialiseerde technologieën, deze wafer dient als een essentieel onderdeel voor de productie van geavanceerde apparaten.