Semicera hoge zuiverheidSiliciumcarbide peddelis zorgvuldig ontworpen om te voldoen aan de strenge eisen van moderne halfgeleiderproductieprocessen. DitSiC cantileverpeddelblinkt uit in omgevingen met hoge temperaturen en biedt ongeëvenaarde thermische stabiliteit en mechanische duurzaamheid. De SiC Cantilever-structuur is gebouwd om extreme omstandigheden te weerstaan en zorgt voor een betrouwbare verwerking van wafers tijdens verschillende processen.
Een van de belangrijkste innovaties van deSiC-peddelis het lichtgewicht en toch robuuste ontwerp, dat een eenvoudige integratie in bestaande systemen mogelijk maakt. De hoge thermische geleidbaarheid helpt de waferstabiliteit te behouden tijdens kritieke fasen zoals etsen en depositie, waardoor het risico op waferbeschadiging wordt geminimaliseerd en hogere productieopbrengsten worden gegarandeerd. Het gebruik van siliciumcarbide met hoge dichtheid in de peddelconstructie verbetert de weerstand tegen slijtage, waardoor de levensduur wordt verlengd en de noodzaak voor frequente vervangingen wordt verminderd.
Semicera legt een sterke nadruk op innovatie en levert eenSiC cantileverpeddeldie niet alleen voldoet aan de industriële normen, maar deze zelfs overtreft. Deze paddle is geoptimaliseerd voor gebruik in diverse halfgeleidertoepassingen, van depositie tot etsen, waarbij precisie en betrouwbaarheid cruciaal zijn. Door deze geavanceerde technologie te integreren, kunnen fabrikanten een verbeterde efficiëntie, lagere onderhoudskosten en een consistente productkwaliteit verwachten.
Fysische eigenschappen van herkristalliseerd siliciumcarbide | |
Eigendom | Typische waarde |
Werktemperatuur (°C) | 1600°C (met zuurstof), 1700°C (reducerende omgeving) |
SiC-inhoud | > 99,96% |
Gratis Si-inhoud | < 0,1% |
Bulkdichtheid | 2,60-2,70 g/cm33 |
Schijnbare porositeit | < 16% |
Compressie sterkte | > 600 MPa |
Koude buigsterkte | 80-90 MPa (20°C) |
Hete buigsterkte | 90-100 MPa (1400°C) |
Thermische uitzetting @1500°C | 4,70 10-6/°C |
Thermische geleidbaarheid @1200°C | 23 W/m•K |
Elasticiteitsmodulus | 240 GPa |
Bestand tegen thermische schokken | Zeer goed |