Hoge zuiverheid siliciumcarbide peddel

Korte beschrijving:

Semicera High Purity Silicon Carbide Paddle is ontworpen voor geavanceerde halfgeleidertoepassingen en biedt superieure thermische stabiliteit en mechanische sterkte. Deze SiC-paddle zorgt voor een nauwkeurige handling van wafers, waardoor het een ideale keuze is voor omgevingen met hoge temperaturen. Neem contact met ons op voor vragen!


Productdetail

Productlabels

Semicera hoge zuiverheidSiliciumcarbide peddelis zorgvuldig ontworpen om te voldoen aan de strenge eisen van moderne halfgeleiderproductieprocessen. DitSiC cantileverpeddelblinkt uit in omgevingen met hoge temperaturen en biedt ongeëvenaarde thermische stabiliteit en mechanische duurzaamheid. De SiC Cantilever-structuur is gebouwd om extreme omstandigheden te weerstaan ​​en zorgt voor een betrouwbare verwerking van wafers tijdens verschillende processen.

Een van de belangrijkste innovaties van deSiC-peddelis het lichtgewicht en toch robuuste ontwerp, dat een eenvoudige integratie in bestaande systemen mogelijk maakt. De hoge thermische geleidbaarheid helpt de waferstabiliteit te behouden tijdens kritieke fasen zoals etsen en depositie, waardoor het risico op waferbeschadiging wordt geminimaliseerd en hogere productieopbrengsten worden gegarandeerd. Het gebruik van siliciumcarbide met hoge dichtheid in de peddelconstructie verbetert de weerstand tegen slijtage, waardoor de levensduur wordt verlengd en de noodzaak voor frequente vervangingen wordt verminderd.

Semicera legt een sterke nadruk op innovatie en levert eenSiC cantileverpeddeldie niet alleen voldoet aan de industriële normen, maar deze zelfs overtreft. Deze paddle is geoptimaliseerd voor gebruik in diverse halfgeleidertoepassingen, van depositie tot etsen, waarbij precisie en betrouwbaarheid cruciaal zijn. Door deze geavanceerde technologie te integreren, kunnen fabrikanten een verbeterde efficiëntie, lagere onderhoudskosten en een consistente productkwaliteit verwachten.

Fysische eigenschappen van herkristalliseerd siliciumcarbide

Eigendom

Typische waarde

Werktemperatuur (°C)

1600°C (met zuurstof), 1700°C (reducerende omgeving)

SiC-inhoud

> 99,96%

Gratis Si-inhoud

< 0,1%

Bulkdichtheid

2,60-2,70 g/cm33

Schijnbare porositeit

< 16%

Compressie sterkte

> 600 MPa

Koude buigsterkte

80-90 MPa (20°C)

Hete buigsterkte

90-100 MPa (1400°C)

Thermische uitzetting @1500°C

4,70 10-6/°C

Thermische geleidbaarheid @1200°C

23 W/m•K

Elasticiteitsmodulus

240 GPa

Bestand tegen thermische schokken

Zeer goed

0f75f96b9a8d9016a504c0c47e59375
Semicera-werkplaats
Semicera-werkplaats 2
Uitrustingsmachine
CNN-verwerking, chemische reiniging, CVD-coating
Semicera Warenhuis
Onze service

  • Vorig:
  • Volgende: