Zeer zuiver SiC-poeder

Korte beschrijving:

Het zeer zuivere SiC-poeder van Semicera beschikt over een uitzonderlijk hoog koolstof- en siliciumgehalte, met zuiverheidsniveaus variërend van 4N tot 6N. Met deeltjesgroottes van nanometers tot micrometers heeft het een groot specifiek oppervlak. Semicera's SiC-poeder verbetert de reactiviteit, dispergeerbaarheid en oppervlakteactiviteit, ideaal voor geavanceerde materiaaltoepassingen.

Productdetail

Productlabels

Siliciumcarbide (SiC)wordt in snel tempo een voorkeurskeuze boven silicium voor elektronische componenten, vooral in toepassingen met een grote bandafstand. SiC biedt verbeterde energie-efficiëntie, compact formaat, lager gewicht en lagere totale systeemkosten.

 De vraag naar hoogzuivere SiC-poeders in de elektronica- en halfgeleiderindustrie heeft Semicera ertoe aangezet een superieur hoogzuiver poeder te ontwikkelen.SiC-poeder. Semicera's innovatieve methode voor het produceren van zeer zuiver SiC resulteert in poeders die vloeiendere morfologieveranderingen, een langzamer materiaalverbruik en stabielere groei-interfaces in kristalgroei-opstellingen vertonen.

 Ons hoogzuivere SiC-poeder is verkrijgbaar in verschillende maten en kan worden aangepast aan de specifieke eisen van de klant. Voor meer details en om uw project te bespreken kunt u contact opnemen met Semicera.

 

1. Deeltjesgroottebereik:

Bestrijkt submicron- tot millimeterschalen.

siliciumcarbide power_Semicera-1
siliciumcarbide power_Semicera-3
siliciumcarbide power_Semicera-2
siliciumcarbide power_Semicera-4

2. Poederzuiverheid

siliciumcarbide vermogenszuiverheid_Semicera1
siliciumcarbide krachtzuiverheid_Semicera2

4N-testrapport

3. Poederkristallen

Bestrijkt submicron- tot millimeterschalen.

siliciumcarbide power_Semicera-5
siliciumcarbide power_Semicera-6

4. Microscopische morfologie

3
4

5. Macroscopische morfologie

5

  • Vorig:
  • Volgende: