De High Purity CVD SiC Raw Material van Semicera is een geavanceerd materiaal dat is ontworpen voor gebruik in hoogwaardige toepassingen die uitzonderlijke thermische stabiliteit, hardheid en elektrische eigenschappen vereisen. Deze grondstof is gemaakt van hoogwaardig CVD-siliciumcarbide (Chemical Vapour Deposition) en biedt superieure zuiverheid en consistentie, waardoor het ideaal is voor de productie van halfgeleiders, coatings bij hoge temperaturen en andere industriële precisietoepassingen.
De zeer zuivere CVD SiC-grondstof van Semicera staat bekend om zijn uitstekende weerstand tegen slijtage, oxidatie en thermische schokken, waardoor betrouwbare prestaties worden gegarandeerd, zelfs in de meest veeleisende omgevingen. Of het nu wordt gebruikt bij de productie van halfgeleiderapparaten, schuurgereedschappen of geavanceerde coatings, dit materiaal biedt een solide basis voor hoogwaardige toepassingen die de hoogste normen van zuiverheid en precisie vereisen.
Met de zeer zuivere CVD SiC-grondstof van Semicera kunnen fabrikanten superieure productkwaliteit en operationele efficiëntie bereiken. Dit materiaal ondersteunt een reeks industrieën, van elektronica tot energie, en biedt ongeëvenaarde duurzaamheid en prestaties.
Semicera hoogzuivere CVD-siliciumcarbidegrondstoffen hebben de volgende kenmerken:
▪Hoge zuiverheid:extreem laag onzuiverheidsgehalte, waardoor de betrouwbaarheid van het apparaat wordt gegarandeerd.
▪Hoge kristalliniteit:perfecte kristalstructuur, wat bevorderlijk is voor het verbeteren van de prestaties van het apparaat.
▪Lage defectdichtheid:klein aantal defecten, waardoor de lekstroom van het apparaat wordt verminderd.
▪Groot formaat:Er kunnen grote siliciumcarbidesubstraten worden geleverd om aan de behoeften van verschillende klanten te voldoen.
▪Aangepaste service:verschillende soorten en specificaties van siliciumcarbidematerialen kunnen worden aangepast aan de behoeften van de klant.
Productvoordelen
▪ Brede bandafstand:Siliciumcarbide heeft een brede bandafstand, waardoor het uitstekende prestaties levert in ruwe omgevingen zoals hoge temperaturen, hoge druk en hoge frequentie.
▪Hoge doorslagspanning:Siliciumcarbide-apparaten hebben een hogere doorslagspanning en kunnen apparaten met een hoger vermogen produceren.
▪Hoge thermische geleidbaarheid:Siliciumcarbide heeft een uitstekende thermische geleidbaarheid, wat bevorderlijk is voor de warmteafvoer van het apparaat.
▪Hoge elektronenmobiliteit:Siliciumcarbide-apparaten hebben een hogere elektronenmobiliteit, wat de werkfrequentie van het apparaat kan verhogen.
