CVD-siliciumcarbide(SiC)-ringen aangeboden door Semicera zijn sleutelcomponenten bij het etsen van halfgeleiders, een cruciale fase in de productie van halfgeleiderapparaten. De samenstelling van deze CVD Siliciumcarbide(SiC) Ringen zorgt voor een robuuste en duurzame structuur die bestand is tegen de zware omstandigheden van het etsproces. Chemische dampafzetting helpt bij het vormen van een zeer zuivere, uniforme en dichte SiC-laag, waardoor de ringen uitstekende mechanische sterkte, thermische stabiliteit en corrosieweerstand krijgen.
Als sleutelelement bij de productie van halfgeleiders fungeren CVD-siliciumcarbide(SiC)-ringen als een beschermende barrière om de integriteit van halfgeleiderchips te beschermen. Het precieze ontwerp zorgt voor uniform en gecontroleerd etsen, wat helpt bij de vervaardiging van zeer complexe halfgeleiderapparaten, wat zorgt voor verbeterde prestaties en betrouwbaarheid.
Het gebruik van CVD SiC-materiaal bij de constructie van de ringen getuigt van toewijding aan kwaliteit en prestaties bij de productie van halfgeleiders. Dit materiaal heeft unieke eigenschappen, waaronder een hoge thermische geleidbaarheid, uitstekende chemische inertie en slijtvastheid en corrosieweerstand, waardoor CVD siliciumcarbide (SiC) ringen een onmisbaar onderdeel zijn bij het nastreven van precisie en efficiëntie bij het etsen van halfgeleiders.
De CVD Silicium Carbide (SiC) Ring van Semicera vertegenwoordigt een geavanceerde oplossing op het gebied van de productie van halfgeleiders, waarbij gebruik wordt gemaakt van de unieke eigenschappen van chemisch opgedampt siliciumcarbide om betrouwbare en hoogwaardige etsprocessen te realiseren, waardoor de voortdurende vooruitgang van halfgeleidertechnologie wordt bevorderd. We streven ernaar klanten uitstekende producten en professionele technische ondersteuning te bieden om te voldoen aan de vraag van de halfgeleiderindustrie naar hoogwaardige en efficiënte etsoplossingen.
✓Topkwaliteit op de Chinese markt
✓Goede service altijd voor u, 7*24 uur
✓Korte leverdatum
✓Kleine MOQ welkom en geaccepteerd
✓Aangepaste diensten
Epitaxiegroeisusceptor
Silicium/siliciumcarbidewafels moeten meerdere processen doorlopen voordat ze in elektronische apparaten kunnen worden gebruikt. Een belangrijk proces is silicium/sic-epitaxie, waarbij silicium/sic-wafels op een grafietbasis worden gedragen. Speciale voordelen van de met siliciumcarbide gecoate grafietbasis van Semicera zijn onder meer een extreem hoge zuiverheid, uniforme coating en een extreem lange levensduur. Ze hebben ook een hoge chemische weerstand en thermische stabiliteit.
Productie van LED-chips
Tijdens het uitgebreide coating van de MOCVD-reactor beweegt de planetaire basis of drager de substraatwafel. De prestaties van het basismateriaal hebben een grote invloed op de coatingkwaliteit, wat op zijn beurt de afvalsnelheid van de chip beïnvloedt. De met siliciumcarbide gecoate basis van Semicera verhoogt de productie-efficiëntie van hoogwaardige LED-wafels en minimaliseert de golflengteafwijking. We leveren ook aanvullende grafietcomponenten voor alle MOCVD-reactoren die momenteel in gebruik zijn. We kunnen vrijwel elk onderdeel coaten met een siliciumcarbidecoating, zelfs als de componentdiameter maximaal 1,5M bedraagt, kunnen we nog steeds coaten met siliciumcarbide.
Halfgeleiderveld, oxidatiediffusieproces, enz.
In het halfgeleiderproces vereist het oxidatie-expansieproces een hoge productzuiverheid, en bij Semicera bieden we op maat gemaakte en CVD-coatingdiensten voor de meeste siliciumcarbideonderdelen.
Op de volgende foto is de ruw verwerkte siliciumcarbideslurry van Semicea te zien en de siliciumcarbide ovenbuis die in de 1000-niveaustofvrijkamer. Onze werknemers werken vóór het coaten. De zuiverheid van ons siliciumcarbide kan 99,99% bereiken en de zuiverheid van de sic-coating is groter dan 99,99995%.
Ruwe siliciumcarbide-peddel en SiC-procesbuis tijdens het reinigen
Siliciumcarbide waferboot CVD SiC gecoat
