8 lnch n-type geleidend SiC-substraat biedt ongeëvenaarde prestaties voor elektronische vermogensapparaten en biedt uitstekende thermische geleidbaarheid, hoge doorslagspanning en uitstekende kwaliteit voor geavanceerde halfgeleidertoepassingen. Semicera biedt toonaangevende oplossingen met zijn ontwikkelde 8 lnch n-type geleidend SiC-substraat.
Semicera's 8 lnch n-type geleidend SiC-substraat is een geavanceerd materiaal dat is ontworpen om te voldoen aan de groeiende eisen van vermogenselektronica en hoogwaardige halfgeleidertoepassingen. Het substraat combineert de voordelen van siliciumcarbide en n-type geleidbaarheid om ongeëvenaarde prestaties te leveren in apparaten die een hoge vermogensdichtheid, thermische efficiëntie en betrouwbaarheid vereisen.
Semicera's 8 lnch n-type geleidend SiC-substraat is zorgvuldig vervaardigd om superieure kwaliteit en consistentie te garanderen. Het beschikt over een uitstekende thermische geleidbaarheid voor efficiënte warmteafvoer, waardoor het ideaal is voor toepassingen met hoog vermogen, zoals stroomomvormers, diodes en transistors. Bovendien zorgt de hoge doorslagspanning van dit substraat ervoor dat het bestand is tegen veeleisende omstandigheden, waardoor een robuust platform wordt geboden voor hoogwaardige elektronica.
Semicera erkent de cruciale rol die 8 lnch n-type geleidend SiC-substraat speelt in de vooruitgang van halfgeleidertechnologie. Onze substraten worden vervaardigd met behulp van de modernste processen om een minimale defectdichtheid te garanderen, wat van cruciaal belang is voor de ontwikkeling van efficiënte apparaten. Deze aandacht voor detail maakt producten mogelijk die de productie van elektronica van de volgende generatie ondersteunen met hogere prestaties en duurzaamheid.
Ons 8 lnch n-type geleidend SiC-substraat is ook ontworpen om te voldoen aan de behoeften van een breed scala aan toepassingen, van de automobielsector tot hernieuwbare energie. n-type geleidbaarheid biedt de elektrische eigenschappen die nodig zijn om efficiënte energieapparaten te ontwikkelen, waardoor dit substraat een sleutelcomponent wordt in de transitie naar energiezuinigere technologieën.
Bij Semicera streven we ernaar om substraten te leveren die innovatie in de productie van halfgeleiders stimuleren. Het 8 lnch n-type geleidende SiC-substraat is een bewijs van onze toewijding aan kwaliteit en uitmuntendheid, waardoor onze klanten het best mogelijke materiaal voor hun toepassingen ontvangen.
Basisparameters
| Maat | 8-inch |
| Diameter | 200,0 mm+0 mm/-0,2 mm |
| Oppervlakteoriëntatie | buiten de as: 4° richting <1120>士0,5° |
| Inkepingsoriëntatie | <1100>士1° |
| Inkepingshoek | 90°+5°/-1° |
| Inkepingsdiepte | 1 mm+0,25 mm/-0 mm |
| Secundair plat | / |
| Dikte | 500,0°25,0um/350,0±25,0um |
| Polytype | 4H |
| Geleidend type | n-type |
