Semiceraintroduceert de850V GaN-op-Si Epi-wafel met hoog vermogen, een doorbraak in halfgeleiderinnovatie. Deze geavanceerde epiwafer combineert het hoge rendement van galliumnitride (GaN) met de kosteneffectiviteit van silicium (Si), waardoor een krachtige oplossing ontstaat voor hoogspanningstoepassingen.
Belangrijkste kenmerken:
•Behandeling van hoogspanning: Deze GaN-op-Si Epi Wafer is ontworpen om tot 850 V te ondersteunen en is ideaal voor veeleisende vermogenselektronica, waardoor hogere efficiëntie en prestaties mogelijk zijn.
•Verbeterde vermogensdichtheid: Met superieure elektronenmobiliteit en thermische geleidbaarheid maakt GaN-technologie compacte ontwerpen en verhoogde vermogensdichtheid mogelijk.
•Kosteneffectieve oplossing: Door silicium als substraat te gebruiken, biedt deze epi-wafer een kosteneffectief alternatief voor traditionele GaN-wafels, zonder concessies te doen aan kwaliteit of prestaties.
•Breed toepassingsbereik: Perfect voor gebruik in stroomomvormers, RF-versterkers en andere krachtige elektronische apparaten, waardoor betrouwbaarheid en duurzaamheid worden gegarandeerd.
Ontdek de toekomst van hoogspanningstechnologie met Semicera's850V GaN-op-Si Epi-wafel met hoog vermogen. Dit product is ontworpen voor geavanceerde toepassingen en zorgt ervoor dat uw elektronische apparaten met maximale efficiëntie en betrouwbaarheid werken. Kies Semicera voor uw halfgeleiderbehoeften van de volgende generatie.
| Artikelen | Productie | Onderzoek | Dummie |
| Kristalparameters | |||
| Polytype | 4H | ||
| Fout in oppervlakteoriëntatie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische parameters | |||
| Doteringsmiddel | n-type stikstof | ||
| Weerstand | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Mechanische parameters | |||
| Diameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dikte | 350±25 μm | ||
| Primaire vlakke oriëntatie | [1-100]±5° | ||
| Primaire platte lengte | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secundaire flat | Geen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Boog | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Verdraaien | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Structuur | |||
| Dichtheid van de micropijp | <1 stuk/cm2 | <10 stuks/cm2 | <15 stuks/cm2 |
| Metaalonzuiverheden | ≤5E10 atomen/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 e/cm2 | ≤3000 e/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 e/cm2 | NA |
| Front kwaliteit | |||
| Voorkant | Si | ||
| Oppervlakteafwerking | Si-face CMP | ||
| Deeltjes | ≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm) | NA | |
| Krassen | ≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter | Cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA |
| Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging | Geen | NA | |
| Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten | Geen | ||
| Polytype-gebieden | Geen | Cumulatief gebied≤20% | Cumulatief gebied≤30% |
| Lasermarkering aan de voorkant | Geen | ||
| Terug Kwaliteit | |||
| Afwerking achterkant | C-face CMP | ||
| Krassen | ≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA | |
| Rugdefecten (randchips/inkepingen) | Geen | ||
| Ruwheid van de rug | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkering op de achterkant | 1 mm (vanaf bovenrand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Afschuining | ||
| Verpakking | |||
| Verpakking | Epi-ready met vacuümverpakking Verpakking met meerdere wafercassettes | ||
| *Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD. | |||
