De 8 inch N-type SiC-wafels van Semicera lopen voorop op het gebied van halfgeleiderinnovatie en bieden een solide basis voor de ontwikkeling van hoogwaardige elektronische apparaten. Deze wafers zijn ontworpen om te voldoen aan de strenge eisen van moderne elektronische toepassingen, van vermogenselektronica tot hoogfrequente circuits.
De N-type dotering in deze SiC-wafels verbetert hun elektrische geleidbaarheid, waardoor ze ideaal zijn voor een breed scala aan toepassingen, waaronder vermogensdiodes, transistors en versterkers. De superieure geleidbaarheid zorgt voor minimaal energieverlies en een efficiënte werking, wat van cruciaal belang is voor apparaten die op hoge frequenties en vermogensniveaus werken.
Semicera maakt gebruik van geavanceerde productietechnieken om SiC-wafels te produceren met uitzonderlijke oppervlakte-uniformiteit en minimale defecten. Dit nauwkeurigheidsniveau is essentieel voor toepassingen die consistente prestaties en duurzaamheid vereisen, zoals in de lucht- en ruimtevaart-, automobiel- en telecommunicatie-industrie.
Het integreren van Semicera's 8 inch N-type SiC-wafels in uw productielijn biedt een basis voor het creëren van componenten die bestand zijn tegen zware omstandigheden en hoge temperaturen. Deze wafers zijn perfect voor toepassingen op het gebied van stroomconversie, RF-technologie en andere veeleisende gebieden.
Kiezen voor de 8 inch N-type SiC Wafers van Semicera betekent investeren in een product dat hoogwaardige materiaalkunde combineert met nauwkeurige engineering. Semicera zet zich in voor het bevorderen van de mogelijkheden van halfgeleidertechnologieën en biedt oplossingen die de efficiëntie en betrouwbaarheid van uw elektronische apparaten verbeteren.
Artikelen | Productie | Onderzoek | Dummie |
Kristalparameters | |||
Polytype | 4H | ||
Fout in oppervlakteoriëntatie | <11-20 >4±0,15° | ||
Elektrische parameters | |||
Doteringsmiddel | n-type stikstof | ||
Weerstand | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Mechanische parameters | |||
Diameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Dikte | 350±25 μm | ||
Primaire vlakke oriëntatie | [1-100]±5° | ||
Primaire platte lengte | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Secundaire flat | Geen | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
Boog | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Verdraaien | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Structuur | |||
Dichtheid van de micropijp | <1 stuk/cm2 | <10 stuks/cm2 | <15 stuks/cm2 |
Metaalonzuiverheden | ≤5E10 atomen/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 e/cm2 | ≤3000 e/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 e/cm2 | NA |
Front kwaliteit | |||
Voorkant | Si | ||
Oppervlakteafwerking | Si-face CMP | ||
Deeltjes | ≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm) | NA | |
Krassen | ≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter | Cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA |
Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging | Geen | NA | |
Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten | Geen | ||
Polytype-gebieden | Geen | Cumulatief gebied≤20% | Cumulatief gebied≤30% |
Lasermarkering aan de voorkant | Geen | ||
Terug Kwaliteit | |||
Afwerking achterkant | C-face CMP | ||
Krassen | ≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA | |
Rugdefecten (randchips/inkepingen) | Geen | ||
Ruwheid van de rug | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Lasermarkering op de achterkant | 1 mm (vanaf bovenrand) | ||
Rand | |||
Rand | Afschuining | ||
Verpakking | |||
Verpakking | Epi-ready met vacuümverpakking Verpakking met meerdere wafercassettes | ||
*Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD. |