8 inch N-type SiC-wafel

Korte beschrijving:

De 8 inch N-type SiC-wafels van Semicera zijn ontworpen voor geavanceerde toepassingen in hoogvermogen- en hoogfrequente elektronica. Deze wafers bieden superieure elektrische en thermische eigenschappen, waardoor efficiënte prestaties in veeleisende omgevingen worden gegarandeerd. Semicera levert innovatie en betrouwbaarheid in halfgeleidermaterialen.


Productdetail

Productlabels

De 8 inch N-type SiC-wafels van Semicera lopen voorop op het gebied van halfgeleiderinnovatie en bieden een solide basis voor de ontwikkeling van hoogwaardige elektronische apparaten. Deze wafers zijn ontworpen om te voldoen aan de strenge eisen van moderne elektronische toepassingen, van vermogenselektronica tot hoogfrequente circuits.

De N-type dotering in deze SiC-wafels verbetert hun elektrische geleidbaarheid, waardoor ze ideaal zijn voor een breed scala aan toepassingen, waaronder vermogensdiodes, transistors en versterkers. De superieure geleidbaarheid zorgt voor minimaal energieverlies en een efficiënte werking, wat van cruciaal belang is voor apparaten die op hoge frequenties en vermogensniveaus werken.

Semicera maakt gebruik van geavanceerde productietechnieken om SiC-wafels te produceren met uitzonderlijke oppervlakte-uniformiteit en minimale defecten. Dit nauwkeurigheidsniveau is essentieel voor toepassingen die consistente prestaties en duurzaamheid vereisen, zoals in de lucht- en ruimtevaart-, automobiel- en telecommunicatie-industrie.

Het integreren van Semicera's 8 inch N-type SiC-wafels in uw productielijn biedt een basis voor het creëren van componenten die bestand zijn tegen zware omstandigheden en hoge temperaturen. Deze wafers zijn perfect voor toepassingen op het gebied van stroomconversie, RF-technologie en andere veeleisende gebieden.

Kiezen voor de 8 inch N-type SiC Wafers van Semicera betekent investeren in een product dat hoogwaardige materiaalkunde combineert met nauwkeurige engineering. Semicera zet zich in voor het bevorderen van de mogelijkheden van halfgeleidertechnologieën en biedt oplossingen die de efficiëntie en betrouwbaarheid van uw elektronische apparaten verbeteren.

Artikelen

Productie

Onderzoek

Dummie

Kristalparameters

Polytype

4H

Fout in oppervlakteoriëntatie

<11-20 >4±0,15°

Elektrische parameters

Doteringsmiddel

n-type stikstof

Weerstand

0,015-0,025 ohm·cm

Mechanische parameters

Diameter

150,0 ± 0,2 mm

Dikte

350±25 μm

Primaire vlakke oriëntatie

[1-100]±5°

Primaire platte lengte

47,5 ± 1,5 mm

Secundaire flat

Geen

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5 mm * 5 mm)

≤5 μm (5 mm * 5 mm)

≤10 μm (5 mm * 5 mm)

Boog

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Verdraaien

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM)

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Structuur

Dichtheid van de micropijp

<1 stuk/cm2

<10 stuks/cm2

<15 stuks/cm2

Metaalonzuiverheden

≤5E10 atomen/cm2

NA

BPD

≤1500 e/cm2

≤3000 e/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 e/cm2

NA

Front kwaliteit

Voorkant

Si

Oppervlakteafwerking

Si-face CMP

Deeltjes

≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm)

NA

Krassen

≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter

Cumulatieve lengte≤2*Diameter

NA

Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging

Geen

NA

Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten

Geen

Polytype-gebieden

Geen

Cumulatief gebied≤20%

Cumulatief gebied≤30%

Lasermarkering aan de voorkant

Geen

Terug Kwaliteit

Afwerking achterkant

C-face CMP

Krassen

≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter

NA

Rugdefecten (randchips/inkepingen)

Geen

Ruwheid van de rug

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Lasermarkering op de achterkant

1 mm (vanaf bovenrand)

Rand

Rand

Afschuining

Verpakking

Verpakking

Epi-ready met vacuümverpakking

Verpakking met meerdere wafercassettes

*Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD.

tech_1_2_grootte
SiC-wafels

  • Vorig:
  • Volgende: