6 inch semi-isolerende HPSI SiC-wafel

Korte beschrijving:

Semicera's 6 inch semi-isolerende HPSI SiC-wafels zijn ontworpen voor maximale efficiëntie en betrouwbaarheid in hoogwaardige elektronica. Deze wafers hebben uitstekende thermische en elektrische eigenschappen, waardoor ze ideaal zijn voor een verscheidenheid aan toepassingen, waaronder vermogensapparaten en hoogfrequente elektronica. Kies Semicera voor superieure kwaliteit en innovatie.


Productdetail

Productlabels

Semicera's 6 inch semi-isolerende HPSI SiC-wafels zijn ontworpen om te voldoen aan de strenge eisen van moderne halfgeleidertechnologie. Met uitzonderlijke zuiverheid en consistentie dienen deze wafers als een betrouwbare basis voor de ontwikkeling van uiterst efficiënte elektronische componenten.

Deze HPSI SiC-wafels staan ​​bekend om hun uitstekende thermische geleidbaarheid en elektrische isolatie, die van cruciaal belang zijn voor het optimaliseren van de prestaties van stroomapparaten en hoogfrequente circuits. De semi-isolerende eigenschappen helpen bij het minimaliseren van elektrische interferentie en het maximaliseren van de efficiëntie van het apparaat.

Het hoogwaardige productieproces van Semicera zorgt ervoor dat elke wafel een uniforme dikte en minimale oppervlaktedefecten heeft. Deze precisie is essentieel voor geavanceerde toepassingen zoals radiofrequentieapparatuur, stroomomvormers en LED-systemen, waarbij prestaties en duurzaamheid sleutelfactoren zijn.

Door gebruik te maken van de modernste productietechnieken, levert Semicera wafers die niet alleen voldoen aan de industriële normen, maar deze zelfs overtreffen. Het 6-inch formaat biedt flexibiliteit bij het opschalen van de productie, geschikt voor zowel onderzoeks- als commerciële toepassingen in de halfgeleidersector.

Kiezen voor de 6 inch semi-isolerende HPSI SiC-wafels van Semicera betekent investeren in een product dat consistente kwaliteit en prestaties levert. Deze wafers maken deel uit van Semicera's inzet om de mogelijkheden van halfgeleidertechnologie te bevorderen door middel van innovatieve materialen en nauwgezet vakmanschap.

Artikelen

Productie

Onderzoek

Dummie

Kristalparameters

Polytype

4H

Fout in oppervlakteoriëntatie

<11-20 >4±0,15°

Elektrische parameters

Doteringsmiddel

n-type stikstof

Weerstand

0,015-0,025 ohm·cm

Mechanische parameters

Diameter

150,0 ± 0,2 mm

Dikte

350±25 μm

Primaire vlakke oriëntatie

[1-100]±5°

Primaire platte lengte

47,5 ± 1,5 mm

Secundaire flat

Geen

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5 mm * 5 mm)

≤5 μm (5 mm * 5 mm)

≤10 μm (5 mm * 5 mm)

Boog

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Verdraaien

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM)

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Structuur

Dichtheid van de micropijp

<1 stuk/cm2

<10 stuks/cm2

<15 stuks/cm2

Metaalonzuiverheden

≤5E10 atomen/cm2

NA

BPD

≤1500 e/cm2

≤3000 e/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 e/cm2

NA

Front kwaliteit

Voorkant

Si

Oppervlakteafwerking

Si-face CMP

Deeltjes

≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm)

NA

Krassen

≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter

Cumulatieve lengte≤2*Diameter

NA

Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging

Geen

NA

Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten

Geen

Polytype-gebieden

Geen

Cumulatief gebied≤20%

Cumulatief gebied≤30%

Lasermarkering aan de voorkant

Geen

Terug Kwaliteit

Afwerking achterkant

C-face CMP

Krassen

≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter

NA

Rugdefecten (randchips/inkepingen)

Geen

Ruwheid van de rug

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Lasermarkering op de achterkant

1 mm (vanaf bovenrand)

Rand

Rand

Afschuining

Verpakking

Verpakking

Epi-ready met vacuümverpakking

Verpakking met meerdere wafercassettes

*Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD.

tech_1_2_grootte
SiC-wafels

  • Vorig:
  • Volgende: