Semicera's 6 inch semi-isolerende HPSI SiC-wafels zijn ontworpen om te voldoen aan de strenge eisen van moderne halfgeleidertechnologie. Met uitzonderlijke zuiverheid en consistentie dienen deze wafers als een betrouwbare basis voor de ontwikkeling van uiterst efficiënte elektronische componenten.
Deze HPSI SiC-wafels staan bekend om hun uitstekende thermische geleidbaarheid en elektrische isolatie, die van cruciaal belang zijn voor het optimaliseren van de prestaties van stroomapparaten en hoogfrequente circuits. De semi-isolerende eigenschappen helpen bij het minimaliseren van elektrische interferentie en het maximaliseren van de efficiëntie van het apparaat.
Het hoogwaardige productieproces van Semicera zorgt ervoor dat elke wafel een uniforme dikte en minimale oppervlaktedefecten heeft. Deze precisie is essentieel voor geavanceerde toepassingen zoals radiofrequentieapparatuur, stroomomvormers en LED-systemen, waarbij prestaties en duurzaamheid sleutelfactoren zijn.
Door gebruik te maken van de modernste productietechnieken, levert Semicera wafers die niet alleen voldoen aan de industriële normen, maar deze zelfs overtreffen. Het 6-inch formaat biedt flexibiliteit bij het opschalen van de productie, geschikt voor zowel onderzoeks- als commerciële toepassingen in de halfgeleidersector.
Kiezen voor de 6 inch semi-isolerende HPSI SiC-wafels van Semicera betekent investeren in een product dat consistente kwaliteit en prestaties levert. Deze wafers maken deel uit van Semicera's inzet om de mogelijkheden van halfgeleidertechnologie te bevorderen door middel van innovatieve materialen en nauwgezet vakmanschap.
Artikelen | Productie | Onderzoek | Dummie |
Kristalparameters | |||
Polytype | 4H | ||
Fout in oppervlakteoriëntatie | <11-20 >4±0,15° | ||
Elektrische parameters | |||
Doteringsmiddel | n-type stikstof | ||
Weerstand | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Mechanische parameters | |||
Diameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Dikte | 350±25 μm | ||
Primaire vlakke oriëntatie | [1-100]±5° | ||
Primaire platte lengte | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Secundaire flat | Geen | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
Boog | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Verdraaien | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Structuur | |||
Dichtheid van de micropijp | <1 stuk/cm2 | <10 stuks/cm2 | <15 stuks/cm2 |
Metaalonzuiverheden | ≤5E10 atomen/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 e/cm2 | ≤3000 e/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 e/cm2 | NA |
Front kwaliteit | |||
Voorkant | Si | ||
Oppervlakteafwerking | Si-face CMP | ||
Deeltjes | ≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm) | NA | |
Krassen | ≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter | Cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA |
Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging | Geen | NA | |
Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten | Geen | ||
Polytype-gebieden | Geen | Cumulatief gebied≤20% | Cumulatief gebied≤30% |
Lasermarkering aan de voorkant | Geen | ||
Terug Kwaliteit | |||
Afwerking achterkant | C-face CMP | ||
Krassen | ≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA | |
Rugdefecten (randchips/inkepingen) | Geen | ||
Ruwheid van de rug | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Lasermarkering op de achterkant | 1 mm (vanaf bovenrand) | ||
Rand | |||
Rand | Afschuining | ||
Verpakking | |||
Verpakking | Epi-ready met vacuümverpakking Verpakking met meerdere wafercassettes | ||
*Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD. |