6 inch N-type SiC-wafel

Korte beschrijving:

Semicera's 6 inch N-type SiC Wafer biedt uitstekende thermische geleidbaarheid en hoge elektrische veldsterkte, waardoor het een superieure keuze is voor stroom- en RF-apparaten. Deze wafer, op maat gemaakt om aan de eisen van de industrie te voldoen, is een voorbeeld van Semicera's toewijding aan kwaliteit en innovatie op het gebied van halfgeleidermaterialen.


Productdetail

Productlabels

Semicera's 6 inch N-type SiC Wafer loopt voorop op het gebied van halfgeleidertechnologie. Deze wafer is gemaakt voor optimale prestaties en blinkt uit in toepassingen met hoog vermogen, hoge frequentie en hoge temperaturen, essentieel voor geavanceerde elektronische apparaten.

Onze 6 inch N-type SiC-wafer beschikt over een hoge elektronenmobiliteit en een lage aan-weerstand, wat kritische parameters zijn voor voedingsapparaten zoals MOSFET's, diodes en andere componenten. Deze eigenschappen zorgen voor een efficiënte energieomzetting en verminderde warmteontwikkeling, waardoor de prestaties en levensduur van elektronische systemen worden verbeterd.

De strenge kwaliteitscontroleprocessen van Semicera zorgen ervoor dat elke SiC-wafel een uitstekende vlakheid van het oppervlak en minimale defecten behoudt. Deze nauwgezette aandacht voor detail zorgt ervoor dat onze wafers voldoen aan de strenge eisen van industrieën zoals de automobielsector, de lucht- en ruimtevaart en de telecommunicatie.

Naast zijn superieure elektrische eigenschappen biedt de N-type SiC-wafer robuuste thermische stabiliteit en weerstand tegen hoge temperaturen, waardoor hij ideaal is voor omgevingen waar conventionele materialen mogelijk falen. Deze mogelijkheid is vooral waardevol in toepassingen waarbij sprake is van hoogfrequente en hoogvermogen-operaties.

Door te kiezen voor de 6 inch N-type SiC Wafer van Semicera investeert u in een product dat het toppunt van halfgeleiderinnovatie vertegenwoordigt. We streven ernaar de bouwstenen te leveren voor geavanceerde apparaten en ervoor te zorgen dat onze partners in verschillende industrieën toegang hebben tot de beste materialen voor hun technologische vooruitgang.

Artikelen

Productie

Onderzoek

Dummie

Kristalparameters

Polytype

4H

Fout in oppervlakteoriëntatie

<11-20 >4±0,15°

Elektrische parameters

Doteringsmiddel

n-type stikstof

Weerstand

0,015-0,025 ohm·cm

Mechanische parameters

Diameter

150,0 ± 0,2 mm

Dikte

350±25 μm

Primaire vlakke oriëntatie

[1-100]±5°

Primaire platte lengte

47,5 ± 1,5 mm

Secundaire flat

Geen

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5 mm * 5 mm)

≤5 μm (5 mm * 5 mm)

≤10 μm (5 mm * 5 mm)

Boog

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Verdraaien

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM)

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Structuur

Dichtheid van de micropijp

<1 stuk/cm2

<10 stuks/cm2

<15 stuks/cm2

Metaalonzuiverheden

≤5E10 atomen/cm2

NA

BPD

≤1500 e/cm2

≤3000 e/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 e/cm2

NA

Front kwaliteit

Voorkant

Si

Oppervlakteafwerking

Si-face CMP

Deeltjes

≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm)

NA

Krassen

≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter

Cumulatieve lengte≤2*Diameter

NA

Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging

Geen

NA

Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten

Geen

Polytype-gebieden

Geen

Cumulatief gebied≤20%

Cumulatief gebied≤30%

Lasermarkering aan de voorkant

Geen

Terug Kwaliteit

Afwerking achterkant

C-face CMP

Krassen

≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter

NA

Rugdefecten (randchips/inkepingen)

Geen

Ruwheid van de rug

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Lasermarkering op de achterkant

1 mm (vanaf bovenrand)

Rand

Rand

Afschuining

Verpakking

Verpakking

Epi-ready met vacuümverpakking

Verpakking met meerdere wafercassettes

*Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD.

tech_1_2_grootte
SiC-wafels

  • Vorig:
  • Volgende: