Semicera's 6 inch N-type SiC Wafer loopt voorop op het gebied van halfgeleidertechnologie. Deze wafer is gemaakt voor optimale prestaties en blinkt uit in toepassingen met hoog vermogen, hoge frequentie en hoge temperaturen, essentieel voor geavanceerde elektronische apparaten.
Onze 6 inch N-type SiC-wafer beschikt over een hoge elektronenmobiliteit en een lage aan-weerstand, wat kritische parameters zijn voor voedingsapparaten zoals MOSFET's, diodes en andere componenten. Deze eigenschappen zorgen voor een efficiënte energieomzetting en verminderde warmteontwikkeling, waardoor de prestaties en levensduur van elektronische systemen worden verbeterd.
De strenge kwaliteitscontroleprocessen van Semicera zorgen ervoor dat elke SiC-wafel een uitstekende vlakheid van het oppervlak en minimale defecten behoudt. Deze nauwgezette aandacht voor detail zorgt ervoor dat onze wafers voldoen aan de strenge eisen van industrieën zoals de automobielsector, de lucht- en ruimtevaart en de telecommunicatie.
Naast zijn superieure elektrische eigenschappen biedt de N-type SiC-wafer robuuste thermische stabiliteit en weerstand tegen hoge temperaturen, waardoor hij ideaal is voor omgevingen waar conventionele materialen mogelijk falen. Deze mogelijkheid is vooral waardevol in toepassingen waarbij sprake is van hoogfrequente en hoogvermogen-operaties.
Door te kiezen voor de 6 inch N-type SiC Wafer van Semicera investeert u in een product dat het toppunt van halfgeleiderinnovatie vertegenwoordigt. We streven ernaar de bouwstenen te leveren voor geavanceerde apparaten en ervoor te zorgen dat onze partners in verschillende industrieën toegang hebben tot de beste materialen voor hun technologische vooruitgang.
Artikelen | Productie | Onderzoek | Dummie |
Kristalparameters | |||
Polytype | 4H | ||
Fout in oppervlakteoriëntatie | <11-20 >4±0,15° | ||
Elektrische parameters | |||
Doteringsmiddel | n-type stikstof | ||
Weerstand | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Mechanische parameters | |||
Diameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Dikte | 350±25 μm | ||
Primaire vlakke oriëntatie | [1-100]±5° | ||
Primaire platte lengte | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Secundaire flat | Geen | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
Boog | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Verdraaien | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Structuur | |||
Dichtheid van de micropijp | <1 stuk/cm2 | <10 stuks/cm2 | <15 stuks/cm2 |
Metaalonzuiverheden | ≤5E10 atomen/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 e/cm2 | ≤3000 e/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 e/cm2 | NA |
Front kwaliteit | |||
Voorkant | Si | ||
Oppervlakteafwerking | Si-face CMP | ||
Deeltjes | ≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm) | NA | |
Krassen | ≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter | Cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA |
Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging | Geen | NA | |
Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten | Geen | ||
Polytype-gebieden | Geen | Cumulatief gebied≤20% | Cumulatief gebied≤30% |
Lasermarkering aan de voorkant | Geen | ||
Terug Kwaliteit | |||
Afwerking achterkant | C-face CMP | ||
Krassen | ≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA | |
Rugdefecten (randchips/inkepingen) | Geen | ||
Ruwheid van de rug | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Lasermarkering op de achterkant | 1 mm (vanaf bovenrand) | ||
Rand | |||
Rand | Afschuining | ||
Verpakking | |||
Verpakking | Epi-ready met vacuümverpakking Verpakking met meerdere wafercassettes | ||
*Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD. |