6 inch N-type SiC-substraat

Siliciumcarbide (SiC) eenkristalmateriaal heeft een grote bandbreedte (~Si 3 keer), hoge thermische geleidbaarheid (~Si 3,3 keer of GaAs 10 keer), hoge elektronenverzadigingsmigratiesnelheid (~Si 2,5 keer), hoge elektrische doorslag veld (~Si 10 keer of GaAs 5 keer) en andere uitstekende kenmerken.

De halfgeleidermaterialen van de derde generatie omvatten voornamelijk SiC, GaN, diamant, enz., omdat de bandbreedte (Eg) ervan groter is dan of gelijk is aan 2,3 elektronvolt (eV), ook bekend als halfgeleidermaterialen met grote bandafstand. Vergeleken met de halfgeleidermaterialen van de eerste en tweede generatie hebben de halfgeleidermaterialen van de derde generatie de voordelen van hoge thermische geleidbaarheid, hoog elektrisch doorslagveld, hoge verzadigde elektronenmigratiesnelheid en hoge bindingsenergie, die kunnen voldoen aan de nieuwe eisen van moderne elektronische technologie voor hoge temperatuur, hoog vermogen, hoge druk, hoge frequentie en stralingsweerstand en andere zware omstandigheden. Het heeft belangrijke toepassingsmogelijkheden op het gebied van de nationale defensie, luchtvaart, ruimtevaart, olie-exploratie, optische opslag, enz., en kan het energieverlies met meer dan 50% verminderen in veel strategische industrieën zoals breedbandcommunicatie, zonne-energie, autoproductie, halfgeleiderverlichting en smart grid, en kan het apparatuurvolume met meer dan 75% verminderen, wat van cruciaal belang is voor de ontwikkeling van menselijke wetenschap en technologie.

Semicera Energy kan klanten voorzien van hoogwaardig geleidend (geleidend), semi-isolerend (semi-isolerend), HPSI (high purity semi-isolerend) siliciumcarbidesubstraat; Daarnaast kunnen we klanten voorzien van homogene en heterogene epitaxiale platen van siliciumcarbide; We kunnen de epitaxiale plaat ook aanpassen aan de specifieke behoeften van klanten, en er is geen minimale bestelhoeveelheid.