Semicera's 6-inch LiNbO3 Bonding Wafer is ontworpen om te voldoen aan de strenge normen van de halfgeleiderindustrie en levert ongeëvenaarde prestaties in zowel onderzoeks- als productieomgevingen. Of het nu gaat om hoogwaardige opto-elektronica, MEMS of geavanceerde halfgeleiderverpakkingen, deze bondingwafer biedt de betrouwbaarheid en duurzaamheid die nodig zijn voor de allernieuwste technologische ontwikkeling.
In de halfgeleiderindustrie wordt de 6-inch LiNbO3 Bonding Wafer veel gebruikt voor het verbinden van dunne lagen in opto-elektronische apparaten, sensoren en micro-elektromechanische systemen (MEMS). De uitzonderlijke eigenschappen maken het tot een waardevol onderdeel voor toepassingen die nauwkeurige laagintegratie vereisen, zoals bij de fabricage van geïntegreerde schakelingen (IC's) en fotonische apparaten. De hoge zuiverheid van de wafer zorgt ervoor dat het eindproduct optimale prestaties behoudt, waardoor het risico op besmetting, dat de betrouwbaarheid van het apparaat zou kunnen beïnvloeden, tot een minimum wordt beperkt.
| Thermische en elektrische eigenschappen van LiNbO3 | |
| Smeltpunt | 1250 ℃ |
| Curie-temperatuur | 1140 ℃ |
| Thermische geleidbaarheid | 38 W/m/K @ 25 ℃ |
| Thermische uitzettingscoëfficiënt (@ 25°C) | //a，2,0×10-6/K //c，2,2×10-6/K |
| Weerstand | 2×10-6Ω·cm @ 200 ℃ |
| Diëlektrische constante | εS11/ε0=43，εT11/ε0=78 εS33/ε0=28，εT33/ε0= 2 |
| Piëzo-elektrische constante | D22=2,04×10-11C/N D33=19,22×10-11C/N |
| Elektro-optische coëfficiënt | γT33=32 pm/V， γS33=31 uur/V， γT31= 22.00 uur/V, γS31= 20,6 uur/V， γT22= 18,8 uur/V, γS22= 15,4 uur/V， |
| Halve golfspanning, DC | 3,03 kv 4,02 kv |
De 6-inch LiNbO3 Bonding Wafer van Semicera is speciaal ontworpen voor geavanceerde toepassingen in de halfgeleider- en opto-elektronica-industrie. Deze hechtwafel staat bekend om zijn superieure slijtvastheid, hoge thermische stabiliteit en uitzonderlijke zuiverheid en is ideaal voor hoogwaardige halfgeleiderproductie, en biedt langdurige betrouwbaarheid en precisie, zelfs onder veeleisende omstandigheden.
De 6-inch LiNbO3 Bonding Wafer is vervaardigd met de allernieuwste technologie en zorgt voor minimale vervuiling, wat cruciaal is voor productieprocessen van halfgeleiders die een hoge mate van zuiverheid vereisen. Dankzij de uitstekende thermische stabiliteit is het bestand tegen hoge temperaturen zonder de structurele integriteit in gevaar te brengen, waardoor het een betrouwbare keuze is voor lijmtoepassingen bij hoge temperaturen. Bovendien zorgt de uitstekende slijtvastheid van de wafer ervoor dat deze consistent presteert bij langdurig gebruik, waardoor duurzaamheid op de lange termijn wordt geboden en de noodzaak voor frequente vervangingen wordt verminderd.
