Semicera's 4”6” hoogzuivere semi-isolerende SiC-blokken zijn ontworpen om te voldoen aan de veeleisende normen van de halfgeleiderindustrie. Deze blokken worden geproduceerd met de nadruk op zuiverheid en consistentie, waardoor ze een ideale keuze zijn voor toepassingen met hoog vermogen en hoge frequentie waarbij prestaties voorop staan.
De unieke eigenschappen van deze SiC-blokken, waaronder een hoge thermische geleidbaarheid en uitstekende elektrische weerstand, maken ze bijzonder geschikt voor gebruik in vermogenselektronica en microgolfapparaten. Hun semi-isolerende karakter zorgt voor effectieve warmteafvoer en minimale elektrische interferentie, wat leidt tot efficiëntere en betrouwbaardere componenten.
Semicera maakt gebruik van de modernste productieprocessen om blokken met uitzonderlijke kristalkwaliteit en uniformiteit te produceren. Deze precisie zorgt ervoor dat elke staaf betrouwbaar kan worden gebruikt in gevoelige toepassingen, zoals hoogfrequente versterkers, laserdiodes en andere opto-elektronische apparaten.
De SiC-blokken van Semicera zijn verkrijgbaar in zowel 4-inch als 6-inch maten en bieden de flexibiliteit die nodig is voor verschillende productieschalen en technologische vereisten. Of het nu gaat om onderzoek en ontwikkeling of massaproductie, deze blokken leveren de prestaties en duurzaamheid die moderne elektronische systemen vereisen.
Door te kiezen voor Semicera's semi-isolerende SiC-blokken met hoge zuiverheid investeert u in een product dat geavanceerde materiaalwetenschap combineert met ongeëvenaarde productie-expertise. Semicera is toegewijd aan het ondersteunen van de innovatie en groei van de halfgeleiderindustrie, door materialen aan te bieden die de ontwikkeling van geavanceerde elektronische apparaten mogelijk maken.
| Artikelen | Productie | Onderzoek | Dummie |
| Kristalparameters | |||
| Polytype | 4H | ||
| Fout in oppervlakteoriëntatie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische parameters | |||
| Doteringsmiddel | n-type stikstof | ||
| Weerstand | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Mechanische parameters | |||
| Diameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dikte | 350±25 μm | ||
| Primaire vlakke oriëntatie | [1-100]±5° | ||
| Primaire platte lengte | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secundaire flat | Geen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Boog | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Verdraaien | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Structuur | |||
| Dichtheid van de micropijp | <1 stuk/cm2 | <10 stuks/cm2 | <15 stuks/cm2 |
| Metaalonzuiverheden | ≤5E10 atomen/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 e/cm2 | ≤3000 e/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 e/cm2 | NA |
| Front kwaliteit | |||
| Voorkant | Si | ||
| Oppervlakteafwerking | Si-face CMP | ||
| Deeltjes | ≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm) | NA | |
| Krassen | ≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter | Cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA |
| Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging | Geen | NA | |
| Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten | Geen | ||
| Polytype-gebieden | Geen | Cumulatief gebied≤20% | Cumulatief gebied≤30% |
| Lasermarkering aan de voorkant | Geen | ||
| Terug Kwaliteit | |||
| Afwerking achterkant | C-face CMP | ||
| Krassen | ≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA | |
| Rugdefecten (randchips/inkepingen) | Geen | ||
| Ruwheid van de rug | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkering op de achterkant | 1 mm (vanaf bovenrand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Afschuining | ||
| Verpakking | |||
| Verpakking | Epi-ready met vacuümverpakking Verpakking met meerdere wafercassettes | ||
| *Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD. | |||
