4 inch SiC-substraat N-type

Korte beschrijving:

Semicera biedt een breed assortiment 4H-8H SiC-wafels. Wij zijn al jaren fabrikant en leverancier van producten voor de halfgeleider- en fotovoltaïsche industrie. Onze belangrijkste producten zijn onder meer: etsplaten van siliciumcarbide, boottrailers van siliciumcarbide, waferboten van siliciumcarbide (PV en halfgeleider), ovenbuizen van siliciumcarbide, vrijdragende peddels van siliciumcarbide, klauwplaten van siliciumcarbide, balken van siliciumcarbide, evenals CVD SiC-coatings en TaC-coatings. Bestrijkt de meeste Europese en Amerikaanse markten. We kijken ernaar uit om uw langetermijnpartner in China te zijn.

Stuur een e-mail naar ons

Productdetail

Productlabels

Siliciumcarbide (SiC) eenkristalmateriaal heeft een grote bandbreedte (~Si 3 keer), hoge thermische geleidbaarheid (~Si 3,3 keer of GaAs 10 keer), hoge elektronenverzadigingsmigratiesnelheid (~Si 2,5 keer), hoge elektrische doorslag veld (~Si 10 keer of GaAs 5 keer) en andere uitstekende kenmerken.

Semicera Energy kan klanten voorzien van hoogwaardig geleidend (geleidend), semi-isolerend (semi-isolerend), HPSI (high purity semi-isolerend) siliciumcarbidesubstraat; Daarnaast kunnen we klanten voorzien van homogene en heterogene epitaxiale platen van siliciumcarbide; We kunnen de epitaxiale plaat ook aanpassen aan de specifieke behoeften van klanten, en er is geen minimale bestelhoeveelheid.

Artikelen	Productie	Onderzoek	Dummie
Kristalparameters
Polytype	4H
Fout in oppervlakteoriëntatie	<11-20 >4±0,15°
Elektrische parameters
Doteringsmiddel	n-type stikstof
Weerstand	0,015-0,025 ohm·cm
Mechanische parameters
Diameter	99,5 - 100 mm
Dikte	350±25 μm
Primaire vlakke oriëntatie	[1-100]±5°
Primaire platte lengte	32,5 ± 1,5 mm
Secundaire vlakke positie	90° CW vanaf primair vlak ±5°. silicium naar boven gericht
Secundaire platte lengte	18 ± 1,5 mm
TTV	≤5 μm	≤10 μm	≤20 μm
LTV	≤2 μm (5 mm * 5 mm)	≤5 μm (5 mm * 5 mm)	NA
Boog	-15μm ~ 15μm	-35μm ~ 35μm	-45μm ~ 45μm
Verdraaien	≤20 μm	≤45 μm	≤50 μm
Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM)	Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)
Structuur
Dichtheid van de micropijp	≤1 ea/cm2	≤5 ea/cm2	≤10 ea/cm2
Metaalonzuiverheden	≤5E10 atomen/cm2		NA
BPD	≤1500 e/cm2	≤3000 e/cm2	NA
TSD	≤500 ea/cm2	≤1000 e/cm2	NA
Front kwaliteit
Voorkant	Si
Oppervlakteafwerking	Si-face CMP
Deeltjes	≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm)	NA
Krassen	≤2ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter	Cumulatieve lengte≤2*Diameter	NA
Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging	Geen		NA
Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten	Geen		NA
Polytype-gebieden	Geen	Cumulatief gebied≤20%	Cumulatief gebied≤30%
Lasermarkering aan de voorkant	Geen
Terug Kwaliteit
Afwerking achterkant	C-face CMP
Krassen	≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter	NA
Rugdefecten (randchips/inkepingen)	Geen
Ruwheid van de rug	Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)
Lasermarkering op de achterkant	1 mm (vanaf bovenrand)
Rand
Rand	Afschuining
Verpakking
Verpakking	De binnenzak wordt gevuld met stikstof en de buitenzak wordt gevacumeerd. Multi-wafercassette, epi-klaar.
*Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD.