Semicera's 4 inch High Purity Semi-Insulated (HPSI) SiC dubbelzijdig gepolijste wafersubstraten zijn vervaardigd om te voldoen aan de veeleisende eisen van de halfgeleiderindustrie. Deze substraten zijn ontworpen met uitzonderlijke vlakheid en zuiverheid en bieden een optimaal platform voor geavanceerde elektronische apparaten.
Deze HPSI SiC-wafels onderscheiden zich door hun superieure thermische geleidbaarheid en elektrische isolatie-eigenschappen, waardoor ze een uitstekende keuze zijn voor hoogfrequente en hoogvermogentoepassingen. Het dubbelzijdige polijstproces zorgt voor een minimale oppervlakteruwheid, wat cruciaal is voor het verbeteren van de prestaties en de levensduur van het apparaat.
De hoge zuiverheid van de SiC-wafels van Semicera minimaliseert defecten en onzuiverheden, wat leidt tot hogere opbrengstpercentages en hogere betrouwbaarheid van het apparaat. Deze substraten zijn geschikt voor een breed scala aan toepassingen, waaronder microgolfapparaten, vermogenselektronica en LED-technologieën, waarbij precisie en duurzaamheid essentieel zijn.
Met een focus op innovatie en kwaliteit maakt Semicera gebruik van geavanceerde productietechnieken om wafers te produceren die voldoen aan de strenge eisen van moderne elektronica. Het dubbelzijdig polijsten verbetert niet alleen de mechanische sterkte, maar maakt ook een betere integratie met andere halfgeleidermaterialen mogelijk.
Door te kiezen voor Semicera's 4 inch hoogzuivere semi-isolerende HPSI SiC dubbelzijdig gepolijste wafelsubstraten kunnen fabrikanten profiteren van de voordelen van verbeterd thermisch beheer en elektrische isolatie, waardoor de weg wordt vrijgemaakt voor de ontwikkeling van efficiëntere en krachtigere elektronische apparaten. Semicera blijft toonaangevend in de sector met zijn toewijding aan kwaliteit en technologische vooruitgang.
| Artikelen | Productie | Onderzoek | Dummie |
| Kristalparameters | |||
| Polytype | 4H | ||
| Fout in oppervlakteoriëntatie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische parameters | |||
| Doteringsmiddel | n-type stikstof | ||
| Weerstand | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Mechanische parameters | |||
| Diameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dikte | 350±25 μm | ||
| Primaire vlakke oriëntatie | [1-100]±5° | ||
| Primaire platte lengte | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Secundaire flat | Geen | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Boog | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Verdraaien | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Structuur | |||
| Dichtheid van de micropijp | <1 stuk/cm2 | <10 stuks/cm2 | <15 stuks/cm2 |
| Metaalonzuiverheden | ≤5E10 atomen/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 e/cm2 | ≤3000 e/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 e/cm2 | NA |
| Front kwaliteit | |||
| Voorkant | Si | ||
| Oppervlakteafwerking | Si-face CMP | ||
| Deeltjes | ≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm) | NA | |
| Krassen | ≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter | Cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA |
| Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging | Geen | NA | |
| Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten | Geen | ||
| Polytype-gebieden | Geen | Cumulatief gebied≤20% | Cumulatief gebied≤30% |
| Lasermarkering aan de voorkant | Geen | ||
| Terug Kwaliteit | |||
| Afwerking achterkant | C-face CMP | ||
| Krassen | ≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA | |
| Rugdefecten (randchips/inkepingen) | Geen | ||
| Ruwheid van de rug | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkering op de achterkant | 1 mm (vanaf bovenrand) | ||
| Rand | |||
| Rand | Afschuining | ||
| Verpakking | |||
| Verpakking | Epi-ready met vacuümverpakking Verpakking met meerdere wafercassettes | ||
| *Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD. | |||
