4″6″ 8″ N-type SiC-ingot

Korte beschrijving:

De 4″, 6″ en 8″ N-type SiC-blokken van Semicera vormen de hoeksteen voor halfgeleiderapparaten met hoog vermogen en hoge frequentie. Deze blokken bieden superieure elektrische eigenschappen en thermische geleidbaarheid en zijn gemaakt om de productie van betrouwbare en efficiënte elektronische componenten te ondersteunen. Vertrouw op Semicera voor ongeëvenaarde kwaliteit en prestaties.


Productdetail

Productlabels

Semicera's 4", 6" en 8" N-type SiC Ingots vertegenwoordigen een doorbraak in halfgeleidermaterialen, ontworpen om te voldoen aan de toenemende eisen van moderne elektronische en energiesystemen. Deze ingots bieden een robuuste en stabiele basis voor diverse halfgeleidertoepassingen en zorgen voor optimale prestaties en een lange levensduur.

Onze N-type SiC-blokken worden geproduceerd met behulp van geavanceerde productieprocessen die hun elektrische geleidbaarheid en thermische stabiliteit verbeteren. Dit maakt ze ideaal voor toepassingen met hoog vermogen en hoge frequentie, zoals omvormers, transistors en andere vermogenselektronische apparaten waarbij efficiëntie en betrouwbaarheid voorop staan.

De nauwkeurige dotering van deze blokken zorgt ervoor dat ze consistente en herhaalbare prestaties bieden. Deze consistentie is van cruciaal belang voor ontwikkelaars en fabrikanten die de grenzen van de technologie verleggen op gebieden als de lucht- en ruimtevaart, de automobielsector en de telecommunicatie. De SiC-blokken van Semicera maken de productie mogelijk van apparaten die efficiënt werken onder extreme omstandigheden.

Kiezen voor de N-type SiC-ingots van Semicera betekent het integreren van materialen die gemakkelijk hoge temperaturen en hoge elektrische belastingen aankunnen. Deze blokken zijn bijzonder geschikt voor het maken van componenten die een uitstekend thermisch beheer en hoogfrequente werking vereisen, zoals RF-versterkers en voedingsmodules.

Door te kiezen voor de 4", 6" en 8" N-type SiC-blokken van Semicera investeert u in een product dat uitzonderlijke materiaaleigenschappen combineert met de precisie en betrouwbaarheid die wordt vereist door de allernieuwste halfgeleidertechnologieën. Semicera blijft toonaangevend in de sector door het bieden van innovatieve oplossingen die de vooruitgang van de productie van elektronische apparaten stimuleren.

Artikelen

Productie

Onderzoek

Dummie

Kristalparameters

Polytype

4H

Fout in oppervlakteoriëntatie

<11-20 >4±0,15°

Elektrische parameters

Doteringsmiddel

n-type stikstof

Weerstand

0,015-0,025 ohm·cm

Mechanische parameters

Diameter

150,0 ± 0,2 mm

Dikte

350±25 μm

Primaire vlakke oriëntatie

[1-100]±5°

Primaire platte lengte

47,5 ± 1,5 mm

Secundaire flat

Geen

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5 mm * 5 mm)

≤5 μm (5 mm * 5 mm)

≤10 μm (5 mm * 5 mm)

Boog

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Verdraaien

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM)

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Structuur

Dichtheid van de micropijp

<1 stuk/cm2

<10 stuks/cm2

<15 stuks/cm2

Metaalonzuiverheden

≤5E10 atomen/cm2

NA

BPD

≤1500 e/cm2

≤3000 e/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 e/cm2

NA

Front kwaliteit

Voorkant

Si

Oppervlakteafwerking

Si-face CMP

Deeltjes

≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm)

NA

Krassen

≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter

Cumulatieve lengte≤2*Diameter

NA

Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging

Geen

NA

Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten

Geen

Polytype-gebieden

Geen

Cumulatief gebied≤20%

Cumulatief gebied≤30%

Lasermarkering aan de voorkant

Geen

Terug Kwaliteit

Afwerking achterkant

C-face CMP

Krassen

≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter

NA

Rugdefecten (randchips/inkepingen)

Geen

Ruwheid van de rug

Ra≤0,2 nm (5μm*5μm)

Lasermarkering op de achterkant

1 mm (vanaf bovenrand)

Rand

Rand

Afschuining

Verpakking

Verpakking

Epi-ready met vacuümverpakking

Verpakking met meerdere wafercassettes

*Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD.

tech_1_2_grootte
SiC-wafels

  • Vorig:
  • Volgende: