Semicera's 4", 6" en 8" N-type SiC Ingots vertegenwoordigen een doorbraak in halfgeleidermaterialen, ontworpen om te voldoen aan de toenemende eisen van moderne elektronische en energiesystemen. Deze ingots bieden een robuuste en stabiele basis voor diverse halfgeleidertoepassingen en zorgen voor optimale prestaties en een lange levensduur.
Onze N-type SiC-blokken worden geproduceerd met behulp van geavanceerde productieprocessen die hun elektrische geleidbaarheid en thermische stabiliteit verbeteren. Dit maakt ze ideaal voor toepassingen met hoog vermogen en hoge frequentie, zoals omvormers, transistors en andere vermogenselektronische apparaten waarbij efficiëntie en betrouwbaarheid voorop staan.
De nauwkeurige dotering van deze blokken zorgt ervoor dat ze consistente en herhaalbare prestaties bieden. Deze consistentie is van cruciaal belang voor ontwikkelaars en fabrikanten die de grenzen van de technologie verleggen op gebieden als de lucht- en ruimtevaart, de automobielsector en de telecommunicatie. De SiC-blokken van Semicera maken de productie mogelijk van apparaten die efficiënt werken onder extreme omstandigheden.
Kiezen voor de N-type SiC-ingots van Semicera betekent het integreren van materialen die gemakkelijk hoge temperaturen en hoge elektrische belastingen aankunnen. Deze blokken zijn bijzonder geschikt voor het maken van componenten die een uitstekend thermisch beheer en hoogfrequente werking vereisen, zoals RF-versterkers en voedingsmodules.
Door te kiezen voor de 4", 6" en 8" N-type SiC-blokken van Semicera investeert u in een product dat uitzonderlijke materiaaleigenschappen combineert met de precisie en betrouwbaarheid die wordt vereist door de allernieuwste halfgeleidertechnologieën. Semicera blijft toonaangevend in de sector door het bieden van innovatieve oplossingen die de vooruitgang van de productie van elektronische apparaten stimuleren.
Artikelen | Productie | Onderzoek | Dummie |
Kristalparameters | |||
Polytype | 4H | ||
Fout in oppervlakteoriëntatie | <11-20 >4±0,15° | ||
Elektrische parameters | |||
Doteringsmiddel | n-type stikstof | ||
Weerstand | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Mechanische parameters | |||
Diameter | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Dikte | 350±25 μm | ||
Primaire vlakke oriëntatie | [1-100]±5° | ||
Primaire platte lengte | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Secundaire flat | Geen | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
Boog | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Verdraaien | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Voorste (Si-gezicht) ruwheid (AFM) | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Structuur | |||
Dichtheid van de micropijp | <1 stuk/cm2 | <10 stuks/cm2 | <15 stuks/cm2 |
Metaalonzuiverheden | ≤5E10 atomen/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 e/cm2 | ≤3000 e/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 e/cm2 | NA |
Front kwaliteit | |||
Voorkant | Si | ||
Oppervlakteafwerking | Si-face CMP | ||
Deeltjes | ≤60ea/wafeltje (size≥0.3μm) | NA | |
Krassen | ≤5ea/mm. Cumulatieve lengte ≤Diameter | Cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA |
Sinaasappelschil/putten/vlekken/strepen/scheuren/verontreiniging | Geen | NA | |
Randchips/inkepingen/breuk/zeskantplaten | Geen | ||
Polytype-gebieden | Geen | Cumulatief gebied≤20% | Cumulatief gebied≤30% |
Lasermarkering aan de voorkant | Geen | ||
Terug Kwaliteit | |||
Afwerking achterkant | C-face CMP | ||
Krassen | ≤5ea/mm, cumulatieve lengte≤2*Diameter | NA | |
Rugdefecten (randchips/inkepingen) | Geen | ||
Ruwheid van de rug | Ra≤0,2 nm (5μm*5μm) | ||
Lasermarkering op de achterkant | 1 mm (vanaf bovenrand) | ||
Rand | |||
Rand | Afschuining | ||
Verpakking | |||
Verpakking | Epi-ready met vacuümverpakking Verpakking met meerdere wafercassettes | ||
*Opmerkingen: "NA" betekent geen verzoek. Niet genoemde items kunnen verwijzen naar SEMI-STD. |